公开(公告)号：TW200947664A

公开(公告)日：2009-11-16

申请号：TW097148047

申请日：2008-12-10

申请人： 瑞薩科技股份有限公司

发明人： 荒木誠 ,  石田心平 ,  中村滋

IPC分类号： H01L ,  G06K

CPC分类号： H01L24/91 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/186 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10969 ,  H05K2203/049 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，該半導體裝置係於將半導體晶片埋入配線基板內部，且覆晶連接形成於半導體晶片表面之凸塊電極與形成於配線基板內部之配線之情形時，使半導體晶片之整個背面充分起作用作為背面電極。將半導體晶片CHP1埋入配線基板內部而進行安裝。此時，半導體晶片CHP1係藉由凸塊電極BP而與形成配線基板之核心層的基底基板20進行覆晶(面朝下)連接。於半導體晶片CHP1之與凸塊電極形成面相反側的面上形成有導體膜11。導體膜11起作用作為向形成於半導體晶片CHP1內部之積體電路供給基準電位之背面電極，該導體膜11經由通道V而與第3層配線L3電性連接。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备及其制造方法，该半导体设备系于将半导体芯片埋入配线基板内部，且覆晶连接形成于半导体芯片表面之凸块电极与形成于配线基板内部之配线之情形时，使半导体芯片之整个背面充分起作用作为背面电极。将半导体芯片CHP1埋入配线基板内部而进行安装。此时，半导体芯片CHP1系借由凸块电极BP而与形成配线基板之内核层的基底基板20进行覆晶(面朝下)连接。于半导体芯片CHP1之与凸块电极形成面相反侧的面上形成有导体膜11。导体膜11起作用作为向形成于半导体芯片CHP1内部之集成电路供给基准电位之背面电极，该导体膜11经由信道V而与第3层配线L3电性连接。