半導體晶片的封裝方法以及封裝結構
    2.
    发明专利
    半導體晶片的封裝方法以及封裝結構 审中-公开
    半导体芯片的封装方法以及封装结构

    公开(公告)号:TW201810465A

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:TW106117060

    申请日:2017-05-23

    摘要: 本發明提供一種半導體晶片的封裝方法以及封裝結構,所述封裝方法包括:提供晶圓,所述晶圓具有位於第一表面側的功能區以及焊墊;於所述晶圓的第二表面形成通孔,所述通孔底部暴露所述焊墊;於所述通孔的底部以及側壁形成金屬佈線層,所述金屬佈線層延伸至所述晶圓的第二表面,所述金屬佈線層與所述焊墊電連接;於所述晶圓的第二表面以及所述通孔中形成阻焊層;於所述阻焊層對應通孔的位置形成凹槽,所述凹槽的深度與所述通孔的深度之間的差值為0-20微米,通過減少阻焊層在通孔中的填充量,有效降低了阻焊層在後續的信賴性測試中產生的作用於金屬佈線層的應力,避免了金屬佈線層與焊墊分層脫離的情況。

    简体摘要: 本发明提供一种半导体芯片的封装方法以及封装结构,所述封装方法包括:提供晶圆,所述晶圆具有位于第一表面侧的功能区以及焊垫;于所述晶圆的第二表面形成通孔,所述通孔底部暴露所述焊垫;于所述通孔的底部以及侧壁形成金属布线层,所述金属布线层延伸至所述晶圆的第二表面,所述金属布线层与所述焊垫电连接;于所述晶圆的第二表面以及所述通孔中形成阻焊层;于所述阻焊层对应通孔的位置形成凹槽,所述凹槽的深度与所述通孔的深度之间的差值为0-20微米,通过减少阻焊层在通孔中的填充量,有效降低了阻焊层在后续的信赖性测试中产生的作用于金属布线层的应力,避免了金属布线层与焊垫分层脱离的情况。