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    半導體裝置及其製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201635495A

    公开(公告)日：2016-10-01

    申请号：TW104141439

    申请日：2015-12-10

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 前川徑一 ,  MAEKAWA, KEIICHI ,  吉田省史 ,  YOSHIDA, SHOJI ,  竹內隆 ,  TAKEUCHI, TAKASHI ,  柳田博史 ,  YANAGITA, HIROSHI

    IPC分类号： H01L27/112

    CPC分类号： H01L27/11206 ,  G11C17/12 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252

    摘要： 本發明使半導體裝置的性能提高。本發明之半導體裝置，具備：SOI基板1，以及形成於SOI基板1的反熔絲元件AF。SOI基板1，具有：形成於支持基板2的主面側的p型井區域PW1，以及隔著BOX層3形成於p型井區域PW1上的SOI層4。反熔絲元件AF，具有隔著閘極絶緣膜GI11形成於SOI層4上的閘極電極GE11。利用反熔絲元件AF形成記憶元件，在記憶元件的寫入動作時，對閘極電極GE11施加第1電位，且對p型井區域PW1施加與第1電位極性相同的第2電位。

    简体摘要： 本发明使半导体设备的性能提高。本发明之半导体设备，具备：SOI基板1，以及形成于SOI基板1的反熔丝组件AF。SOI基板1，具有：形成于支持基板2的主面侧的p型井区域PW1，以及隔着BOX层3形成于p型井区域PW1上的SOI层4。反熔丝组件AF，具有隔着闸极绝缘膜GI11形成于SOI层4上的闸极电极GE11。利用反熔丝组件AF形成记忆组件，在记忆组件的写入动作时，对闸极电极GE11施加第1电位，且对p型井区域PW1施加与第1电位极性相同的第2电位。

    半導體裝置之製造方法
    3.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201614775A

    公开(公告)日：2016-04-16

    申请号：TW104130677

    申请日：2015-09-16

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 川嶋祥之 ,  KAWASHIMA, YOSHIYUKI ,  吉田省史 ,  YOSHIDA, SHOJI

    IPC分类号： H01L21/8247

    CPC分类号： H01L29/7923 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    摘要： 本發明之課題在於提高混載有非揮發性記憶胞及場效電晶體之半導體裝置之性能。 於一實施形態之半導體裝置之製造方法中，於形成含氫絕緣膜HF後對半導體晶圓進行熱處理，上述含氫絕緣膜HF係覆蓋形成記憶胞之區域之閘極電極CG1及閘極絕緣膜，且露出形成構成周邊電路之MISFET之區域。藉此，使含氫絕緣膜HF內之氫向該閘極絕緣膜與半導體基板SB之界面擴散，藉此選擇性地修復該界面之缺陷。

    简体摘要： 本发明之课题在于提高混载有非挥发性记忆胞及场效应管之半导体设备之性能。 于一实施形态之半导体设备之制造方法中，于形成含氢绝缘膜HF后对半导体晶圆进行热处理，上述含氢绝缘膜HF系覆盖形成记忆胞之区域之闸极电极CG1及闸极绝缘膜，且露出形成构成周边电路之MISFET之区域。借此，使含氢绝缘膜HF内之氢向该闸极绝缘膜与半导体基板SB之界面扩散，借此选择性地修复该界面之缺陷。