公开(公告)号：TW201635489A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105119952

申请日：2012-07-24

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1116 ,  G06F17/5072 ,  G11C11/412 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/1104

摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。 其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。 其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

公开(公告)号：TW201804600A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106135133

申请日：2012-07-24

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1116 ,  G06F17/5072 ,  G11C11/412 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/1104

摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

公开(公告)号：TWI587485B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105119952

申请日：2012-07-24

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1116 ,  G06F17/5072 ,  G11C11/412 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/1104

公开(公告)号：TWI665673B

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：TW104109116

申请日：2015-03-23

申请人： 日商瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 佐野聰明 ,  SANO, TOSHIAKI ,  柴田健 ,  SHIBATA, KEN ,  田中信二 ,  TANAKA, SHINJI ,  藪內誠 ,  YABUUCHI, MAKOTO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI

IPC分类号： G11C11/419 ,  G11C7/12 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/10

公开(公告)号：TWI546938B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW101126633

申请日：2012-07-24

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1116 ,  G06F17/5072 ,  G11C11/412 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/1104

公开(公告)号：TW201312733A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW101126633

申请日：2012-07-24

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1116 ,  G06F17/5072 ,  G11C11/412 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/1104

摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

公开(公告)号：TWI670829B

公开(公告)日：2019-09-01

申请号：TW107120818

申请日：2012-07-24

申请人： 日商瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI634644B

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW106135133

申请日：2012-07-24

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI607550B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106110846

申请日：2012-07-24

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1116 ,  G06F17/5072 ,  G11C11/412 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/1104

公开(公告)号：TW201836122A

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：TW107120818

申请日：2012-07-24

申请人： 日商瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 森本薰夫 ,  MORIMOTO, MASAO ,  前田德章 ,  MAEDA, NORIAKI ,  島崎靖久 ,  SHIMAZAKI, YASUHISA

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。 其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。

简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。 其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。