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公开(公告)号：TW201635489A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105119952
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1116 , G06F17/5072 , G11C11/412 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L27/1104
摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。 其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。 其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
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公开(公告)号：TWI546938B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW101126633
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1116 , G06F17/5072 , G11C11/412 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L27/1104
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公开(公告)号：TW201312733A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101126633
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1116 , G06F17/5072 , G11C11/412 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L27/1104
摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
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公开(公告)号：TW201836122A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107120818
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。 其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。 其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
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公开(公告)号：TW201727873A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106110846
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1116 , G06F17/5072 , G11C11/412 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L27/1104
摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
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公开(公告)号：TWI670829B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107120818
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
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公开(公告)号：TWI634644B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106135133
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
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公开(公告)号：TWI607550B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106110846
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1116 , G06F17/5072 , G11C11/412 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L27/1104
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公开(公告)号：TW202018711A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107116398
申请日：2018-05-15
发明人： 澤田陽平 , SAWADA, YOHEI , 藪內誠 , YABUUCHI, MAKOTO , 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO
摘要： 本發明之目的在於提供一種面積縮減的內容參照記憶體。為了達成上述目的，本發明之內容參照記憶體，包含：複數個TCAM單元，其構成1個項目；第1字元線，其與該複數個TCAM單元連接；第2字元線，其與該複數個TCAM單元連接；以及匹配線，其與該複數個TCAM單元連接。內容參照記憶體，更包含：有效單元，其儲存表示該項目有效或無效的有效位元；位元線，其與該有效單元連接；以及選擇電路，其與該第1字元線以及該第2字元線連接，並根據該第1字元線或該第2字元線被設為選擇狀態，而將該有效單元設為選擇狀態。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种面积缩减的内容参照内存。为了达成上述目的，本发明之内容参照内存，包含：复数个TCAM单元，其构成1个项目；第1字符线，其与该复数个TCAM单元连接；第2字符线，其与该复数个TCAM单元连接；以及匹配线，其与该复数个TCAM单元连接。内容参照内存，更包含：有效单元，其存储表示该项目有效或无效的有效比特；比特线，其与该有效单元连接；以及选择电路，其与该第1字符线以及该第2字符线连接，并根据该第1字符线或该第2字符线被设为选择状态，而将该有效单元设为选择状态。
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公开(公告)号：TW201804600A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106135133
申请日：2012-07-24
发明人： 森本薰夫 , MORIMOTO, MASAO , 前田德章 , MAEDA, NORIAKI , 島崎靖久 , SHIMAZAKI, YASUHISA
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1116 , G06F17/5072 , G11C11/412 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L27/1104
摘要： 本發明的課題是在於提供可謀求其特性的提升之SRAM的單元佈局。其解決手段係以具有下列構成的方式構成SRAM，一體的第1活性區域(AcP1)，其係配置有第1電晶體(TND1)及第5電晶體(TNA1)；第2活性區域(AcP2)，其係與第1活性區域(AcP1)分離，配置有第2電晶體(TND2)；一體的第3活性區域(AcP3)，其係配置有第3電晶體(TND3)及第6電晶體(TNA2)；及第4活性區域(AcP4)，其係與第3活性區域(AcP3)分離，配置有第4電晶體(TND4)，且，將驅動器電晶體分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置於不同的活性區域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
简体摘要： 本发明的课题是在于提供可谋求其特性的提升之SRAM的单元布局。其解决手段系以具有下列构成的方式构成SRAM，一体的第1活性区域(AcP1)，其系配置有第1晶体管(TND1)及第5晶体管(TNA1)；第2活性区域(AcP2)，其系与第1活性区域(AcP1)分离，配置有第2晶体管(TND2)；一体的第3活性区域(AcP3)，其系配置有第3晶体管(TND3)及第6晶体管(TNA2)；及第4活性区域(AcP4)，其系与第3活性区域(AcP3)分离，配置有第4晶体管(TND4)，且，将驱动器晶体管分割(TND1及TND2，TND3及TND4)，配置于不同的活性区域(AcP2及AcP1，AcP4及AcP3)上。
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