公开(公告)号：TWI455209B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW098134527

申请日：2009-10-12

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CO.

Inventor： 趙國梁 ,  CHAO, KOU LIANG ,  陳美玲 ,  CHEN, MEI LING ,  蘇子川 ,  SU, TSE CHUAN ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI469221B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW098121651

申请日：2009-06-26

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CO.

Inventor： 趙國梁 ,  CHAO, KOU LIANG ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN ,  蘇子川 ,  SU, TSE CHUAN ,  陳美玲 ,  CHEN, MEI LING

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

公开(公告)号：TWI381455B

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW097114725

申请日：2008-04-22

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CO.

Inventor： 趙國梁 ,  CHAO, KOU LIANG ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN ,  蘇子川 ,  SU, TSE CHUAN

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

公开(公告)号：TW201212242A

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：TW099129562

申请日：2010-09-01

Applicant: 節能元件股份有限公司

Inventor： 陳美玲 ,  郭鴻鑫 ,  趙國梁

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/761 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/13091

Abstract: 本案係為一種溝渠隔絕式金氧半P-N接面二極體結構及其製作方法。其在元件之結構設計上,為金氧半N型通道結構與側邊P-N接面二極體共構之架構,並在P型結構中埋入一填滿複晶矽之溝渠氧化層結構,以取代大部份之P型結構區域,該元件具有反應速度快,正向導通壓降値(VF)値低,然後又有反向偏壓漏電流小,有較低之反向回復時間(trr)等特性。

Abstract in simplified Chinese: 本案系为一种沟渠隔绝式金氧半P-N接面二极管结构及其制作方法。其在组件之结构设计上,为金氧半N型信道结构与侧边P-N接面二极管共构之架构,并在P型结构中埋入一填满复晶硅之沟渠氧化层结构,以取代大部份之P型结构区域,该组件具有反应速度快,正向导通压降値(VF)値低,然后又有反向偏压漏电流小,有较低之反向回复时间(trr)等特性。

公开(公告)号：TWI466294B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW101101301

申请日：2012-01-12

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CORPORATION

Inventor： 高隆慶 ,  KAO, LUNG CHING ,  陳美玲 ,  CHEN, MEI LING ,  趙國梁 ,  CHAO, KUO LIANG ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI466302B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW101143404

申请日：2012-11-21

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CORPORATION

Inventor： 趙國梁 ,  CHAO, KUO LIANG ,  陳美玲 ,  CHEN, MEI LING ,  高隆慶 ,  KAO, LUNG CHING ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/66136 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861

公开(公告)号：TWI422041B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW099129562

申请日：2010-09-01

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CORP.

Inventor： 陳美玲 ,  CHEN, MEI LING ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN ,  趙國梁 ,  CHAO, KUO LIANG

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/761 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/13091

公开(公告)号：TW201330265A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101101301

申请日：2012-01-12

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CORPORATION

Inventor： 高隆慶 ,  KAO, LUNG CHING ,  陳美玲 ,  CHEN, MEI LING ,  趙國梁 ,  CHAO, KUO LIANG ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本發明係為一種用於半導體元件之多溝渠終端結構及其製作方法，該半導體元件包含一半導體基板及一主動結構區，該多溝渠終端結構包含一多溝渠結構，該些溝渠係形成於該半導體基板之一露出表面上；一第一罩幕層，形成於該半導體基板之部份表面上，其中該部份表面對應於該半導體元件之一終端結構區；一閘極絕緣層，形成於該多溝渠結構之表面上；一導電層，形成於該閘極絕緣層上，該導電層並凸出於該半導體基板之該露出表面；以及一金屬層，形成於該第一罩幕層及該終端結構區的導電層上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系为一种用于半导体组件之多沟渠终端结构及其制作方法，该半导体组件包含一半导体基板及一主动结构区，该多沟渠终端结构包含一多沟渠结构，该些沟渠系形成于该半导体基板之一露出表面上；一第一罩幕层，形成于该半导体基板之部份表面上，其中该部份表面对应于该半导体组件之一终端结构区；一闸极绝缘层，形成于该多沟渠结构之表面上；一导电层，形成于该闸极绝缘层上，该导电层并凸出于该半导体基板之该露出表面；以及一金属层，形成于该第一罩幕层及该终端结构区的导电层上。

公开(公告)号：TW201242035A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW100113255

申请日：2011-04-15

Applicant: 節能元件股份有限公司

Inventor： 趙國梁 ,  陳美玲 ,  郭鴻鑫

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/407 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

Abstract: 一種直立式金氧半整流二極體及製作方法。此方法包含下列步驟:提供一半導體基板;於半導體基板之第一側形成一第一多溝渠結構和一第一罩幕層;於半導體基板之第二側形成一第二多溝渠結構;以及於第二多溝渠結構上形成一閘極氧化層、一多晶矽結構和一金屬濺鍍層。而直立式金氧半整流二極體包含有:一濕式氧化層,對應第一多溝渠結構而形成於半導體基板之內部;一離子佈植層,形成於半導體基板內和第二多溝渠結構間,並相鄰於第一罩幕層。其中,金屬濺鍍層並對應第一多溝渠結構而形成於第一罩幕層上,且使第一罩幕層之部份表面加以露出。

Abstract in simplified Chinese: 一种直立式金氧半整流二极管及制作方法。此方法包含下列步骤:提供一半导体基板;于半导体基板之第一侧形成一第一多沟渠结构和一第一罩幕层;于半导体基板之第二侧形成一第二多沟渠结构;以及于第二多沟渠结构上形成一闸极氧化层、一多晶硅结构和一金属溅镀层。而直立式金氧半整流二极管包含有:一湿式氧化层,对应第一多沟渠结构而形成于半导体基板之内部;一离子布植层,形成于半导体基板内和第二多沟渠结构间,并相邻于第一罩幕层。其中,金属溅镀层并对应第一多沟渠结构而形成于第一罩幕层上,且使第一罩幕层之部份表面加以露出。

公开(公告)号：TW201101395A

公开(公告)日：2011-01-01

申请号：TW098121651

申请日：2009-06-26

Applicant: 節能元件股份有限公司

Inventor： 趙國梁 ,  郭鴻鑫 ,  蘇子川 ,  陳美玲

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本發明係為一種溝渠式蕭基二極體及其製作方法。該方法包含下列步驟:提供一半導體基板;於該半導體基板上形成一第一罩幕層;根據該第一罩幕層對該半導體基板進行蝕刻,以於該半導體基板中形成一多溝渠結構;於該多溝渠結構之表面上形成一閘極氧化層;於該閘極氧化層上與該第一罩幕層上形成一多晶矽結構;對該多晶矽結構進行蝕刻,以將該第一罩幕層之頂面與部份側面加以露出;於部份之該多晶矽結構上與部份之該第一罩幕層上形成一第二罩幕層,以將該半導體基板、該多晶矽結構和該閘極氧化層之部份表面加以露出;於該第二罩幕層上與該半導體基板、該多晶矽結構和該閘極氧化層之部份表面上形成一金屬濺鍍層;以及對該金屬濺鍍層進行蝕刻,以將該第二罩幕層之部份表面加以露出。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系为一种沟渠式萧基二极管及其制作方法。该方法包含下列步骤:提供一半导体基板;于该半导体基板上形成一第一罩幕层;根据该第一罩幕层对该半导体基板进行蚀刻,以于该半导体基板中形成一多沟渠结构;于该多沟渠结构之表面上形成一闸极氧化层;于该闸极氧化层上与该第一罩幕层上形成一多晶硅结构;对该多晶硅结构进行蚀刻,以将该第一罩幕层之顶面与部份侧面加以露出;于部份之该多晶硅结构上与部份之该第一罩幕层上形成一第二罩幕层,以将该半导体基板、该多晶硅结构和该闸极氧化层之部份表面加以露出;于该第二罩幕层上与该半导体基板、该多晶硅结构和该闸极氧化层之部份表面上形成一金属溅镀层;以及对该金属溅镀层进行蚀刻,以将该第二罩幕层之部份表面加以露出。