公开(公告)号：TWI562212B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW103106640

申请日：2014-02-27

申请人： 諾斯洛普葛魯門系統公司 ,  NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION

发明人： 難波 卡蘿O ,  NAMBA, CAROL O. ,  劉 柏欣 ,  LIU, PO-HSIN ,  泡司特 蘇米可 ,  POUST, SUMIKO ,  斯摩奇科娃 伊歐利亞 ,  SMORCHKOVA, IOULIA ,  沃圖維克 麥可 ,  WOJTOWICZ, MICHAEL ,  葛朗德巴赫 羅南德 ,  GRUNDBACHER, RONALD

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28114 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201417279A

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW102124138

申请日：2013-07-05

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 牧山剛三 ,  MAKIYAMA, KOZO ,  岡本直哉 ,  OKAMOTO, NAOYA ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28581 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

摘要： 一種化合物半導體裝置，係包含：化合物半導體層；覆蓋該化合物半導體層之頂部的保護絕緣膜；以及形成於該保護絕緣膜上的閘極電極，其中該保護絕緣膜有第一溝槽以及與該第一溝槽並排地形成的第二溝槽，以及在該第二溝槽中在化合物半導體層上只留下有預定厚度的該保護絕緣膜，其中該閘極電極填滿該第一溝槽，以及該閘極電極的一端遠離該第一溝槽以及至少位於該第二溝槽中。

简体摘要： 一种化合物半导体设备，系包含：化合物半导体层；覆盖该化合物半导体层之顶部的保护绝缘膜；以及形成于该保护绝缘膜上的闸极电极，其中该保护绝缘膜有第一沟槽以及与该第一沟槽并排地形成的第二沟槽，以及在该第二沟槽中在化合物半导体层上只留下有预定厚度的该保护绝缘膜，其中该闸极电极填满该第一沟槽，以及该闸极电极的一端远离该第一沟槽以及至少位于该第二沟槽中。

公开(公告)号：TW201034227A

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：TW098139742

申请日：2009-11-23

申请人： 杜邦股份有限公司 ,  美國北卡羅萊那州立大學

发明人： 伯藍德 威廉J ,  葛利克斯曼 霍華 大衛 ,  馬利亞 尚保羅

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L21/28537 ,  Y02E10/50

摘要： 本發明提供光伏打電池(包括矽太陽能電池)及用以製造諸如光伏打電池之方法及組成物。提供一具有一p型矽基底及一n型矽層之矽基板，於該基板上形成一氮化矽層、一與該氮化矽層接觸之交換金屬及一與該交換金屬接觸之非交換金屬。將此組合件燒製，以形成一在該矽基板上之金屬矽化物接點及一與該金屬矽化物接點接觸之導電金屬電極。該交換金屬係選自鎳、鈷、鐵、錳、鉬及其組合，以及該非交換金屬係選自銀、銅、錫、鉍、鉛、銻、砷、銦、鋅、鍺、金、鎘、鈹及其組合。

简体摘要： 本发明提供光伏打电池(包括硅太阳能电池)及用以制造诸如光伏打电池之方法及组成物。提供一具有一p型硅基底及一n型硅层之硅基板，于该基板上形成一氮化硅层、一与该氮化硅层接触之交换金属及一与该交换金属接触之非交换金属。将此组合件烧制，以形成一在该硅基板上之金属硅化物接点及一与该金属硅化物接点接触之导电金属电极。该交换金属系选自镍、钴、铁、锰、钼及其组合，以及该非交换金属系选自银、铜、锡、铋、铅、锑、砷、铟、锌、锗、金、镉、铍及其组合。

公开(公告)号：TWI286343B

公开(公告)日：2007-09-01

申请号：TW093141819

申请日：2004-12-31

申请人： 橡實工業技術公司 ACORN TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 丹尼爾J 康尼利 CONNELLY, DANIEL J. ,  丹尼爾E 葛羅普 GRUPP, DANIEL E.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/0895 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/812

摘要： 本發明揭示一種包括一半導體(例如C、Ge或以Si為主之半導體)、一導體與置放於二者之間之一介面層之電接合面。該介面層厚得足以將該半導體之一費米能階去梢，然而又薄得足以為該接合面提供小於或等於大約1000 Ω-μm2之一接觸電阻率，有時係一最小接觸電阻率。

简体摘要： 本发明揭示一种包括一半导体(例如C、Ge或以Si为主之半导体)、一导体与置放于二者之间之一界面层之电接合面。该界面层厚得足以将该半导体之一费米能阶去梢，然而又薄得足以为该接合面提供小于或等于大约1000 Ω-μm2之一接触电阻率，有时系一最小接触电阻率。

公开(公告)号：TWI488290B

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：TW099103150

申请日：2010-02-03

申请人： 海力士半導體股份有限公司 ,  HYNIX SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 都官佑 ,  DO, KWAN-WOO ,  李起正 ,  LEE, KEE-JEUNG ,  金榮大 ,  KIM, YOUNG-DAE ,  李美炯 ,  LEE, MI-HYOUNG ,  李正燁 ,  LEE, JEONG-YEOP

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/318 ,  H01L29/92

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：TW201403677A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102117973

申请日：2013-05-22

申请人： 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 申忠桓 ,  SHIN, CHUNG-HWAN ,  姜尙範 ,  KANG, SANG-BOM ,  金大容 ,  KIM, DAE-YONG ,  金楨益 ,  KIM, JEONG-IK ,  金哲性 ,  KIM, CHUL-SUNG ,  柳制亨 ,  RYU, JE-HYUNG ,  李相遇 ,  LEE, SANG-WOO ,  崔孝錫 ,  CHOI, HYO-SEOK

IPC分类号： H01L21/24 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/7839 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體元件的形成方法，包括形成露出升高的源極/汲極區的表面的開口。可縮小開口的大小，且可通過開口施行預非晶化佈植至升高的源極/汲極區內，以形成升高的源極/汲極區的非晶化部分。可由金屬與非晶化部分形成金屬矽化物。

简体摘要： 一种半导体组件的形成方法，包括形成露出升高的源极/汲极区的表面的开口。可缩小开口的大小，且可通过开口施行预非晶化布植至升高的源极/汲极区内，以形成升高的源极/汲极区的非晶化部分。可由金属与非晶化部分形成金属硅化物。

公开(公告)号：TW201031770A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：TW099100649

申请日：2010-01-12

申请人： 中央國家研究科學學會

发明人： 達普爾特 帕斯寇 ,  瑟瑞爾 希瑞兒

IPC分类号： C23C ,  B01J ,  H01M ,  C07F

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F15/0086 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76843 ,  H01M4/8867 ,  H01M4/92

摘要： 本發明係關於一種鉑錯合物、一種製備該等錯合物之方法,及該等錯合物用於鉑金屬之化學氣相沉積之用途。自包含具有含至少兩個不相鄰C=C雙鍵之環狀結構之配位體的有機金屬鉑化合物開始,將鉑化學氣相沉積於載體上,且該有機金屬鉑化合物具有平行四邊形結構,其中鉑鍵結至該配位體之每一C=C雙鍵,形成介於60�與70�之間的(C=C)-Pt-(C=C)角。

简体摘要： 本发明系关于一种铂错合物、一种制备该等错合物之方法,及该等错合物用于铂金属之化学气相沉积之用途。自包含具有含至少两个不相邻C=C双键之环状结构之配位体的有机金属铂化合物开始,将铂化学气相沉积于载体上,且该有机金属铂化合物具有平行四边形结构,其中铂键结至该配位体之每一C=C双键,形成介于60�与70�之间的(C=C)-Pt-(C=C)角。

公开(公告)号：TWI234289B

公开(公告)日：2005-06-11

申请号：TW093107828

申请日：2004-03-23

申请人： 竹懋科技股份有限公司 CHIP INTEGRATION TECH. CO., LTD. ,  吳協霖 WU, SHYE LIN

发明人： 吳協霖 WU, SHYE LIN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/872

摘要： 一種蕭特基二極體結構及其製造方法，包含以下步驟：首先，提供一n+重摻雜半導體基板，該半導體基板上具有一 n-磊晶層形成於其上。隨後，一第一氧化層形成於n-磊晶層上。一圖案化製程隨即圖案化第一氧化層以定義護環區域。在除去光阻圖案層後，一多晶矽層接著沈積，再進行硼或BF2+的離子佈植。隨後，進行高溫退火活化離子並形成p+區於n-磊晶層中。接下來，一熱氧化製程接著氧化多晶矽層並擴大p+區而形成護環。一第二光罩及蝕刻過程隨後進行，以定義出主動區。緊接著，一阻障金屬(barrier metal)層沉積於主動區上並施以金屬矽化程序。在未反應的金屬層移除後，最後再沈積一陽極金屬導電層，再施以第三光罩並圖案化以定義陽極區域。另以金屬導電層則形成於基板背面以作為陰極。

简体摘要： 一种萧特基二极管结构及其制造方法，包含以下步骤：首先，提供一n+重掺杂半导体基板，该半导体基板上具有一 n-磊晶层形成于其上。随后，一第一氧化层形成于n-磊晶层上。一图案化制程随即图案化第一氧化层以定义护环区域。在除去光阻图案层后，一多晶硅层接着沉积，再进行硼或BF2+的离子布植。随后，进行高温退火活化离子并形成p+区于n-磊晶层中。接下来，一热氧化制程接着氧化多晶硅层并扩大p+区而形成护环。一第二光罩及蚀刻过程随后进行，以定义出主动区。紧接着，一阻障金属(barrier metal)层沉积于主动区上并施以金属硅化进程。在未反应的金属层移除后，最后再沉积一阳极金属导电层，再施以第三光罩并图案化以定义阳极区域。另以金属导电层则形成于基板背面以作为阴极。

公开(公告)号：TW200411924A

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：TW092122031

申请日：2003-08-11

申请人： 橡實工業技術公司 ACORN TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 葛魯波, 丹尼爾E. GRUPP, DANIEL E. ,  孔尼立, 丹尼爾J. CONNELLY, DANIEL J.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/28537 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8126 ,  Y10S438/958

摘要： 一種電晶體包括一半導體通道，係設置於一閘極附近以及一源極與一汲極之間之一電力路徑中，其中通道與源極或汲極至少其中一者係由一界面層分隔，以形成一通道-界面層-源極／汲極接面，其中半導體通道之一費米能階(Fermilevel)係在一接近於接面之區域內封堵，且接面具有一小於約1000Ω-μm^2之指定接觸電阻。界面層可包括一鈍化材料，例如，通道半導體之氮化物、氟化物、氧化物、氮氧化物、氫化物及／或砷化物。在一些實例中，界面層主要由一建構用以封堵通道半導體費米能階之單層組成，或由足以終止半導體通道所有或足量未匹配鍵之鈍化材料量組成，以利於取得表面之化學穩定性。再者，界面層可包括一不同材料於鈍化材料者之分離層，使用時，分離層具有一厚度，其足以減少半導體通道內之金屬感應間隙狀況效應。

简体摘要： 一种晶体管包括一半导体信道，系设置于一闸极附近以及一源极与一汲极之间之一电力路径中，其中信道与源极或汲极至少其中一者系由一界面层分隔，以形成一信道-界面层-源极／汲极接面，其中半导体信道之一费米能阶(Fermilevel)系在一接近于接面之区域内封堵，且接面具有一小于约1000Ω-μm^2之指定接触电阻。界面层可包括一钝化材料，例如，信道半导体之氮化物、氟化物、氧化物、氮氧化物、氢化物及／或砷化物。在一些实例中，界面层主要由一建构用以封堵信道半导体费米能阶之单层组成，或由足以终止半导体信道所有或足量未匹配键之钝化材料量组成，以利于取得表面之化学稳定性。再者，界面层可包括一不同材料于钝化材料者之分离层，使用时，分离层具有一厚度，其足以减少半导体信道内之金属感应间隙状况效应。

公开(公告)号：TWI462228B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW096118657

申请日：2007-05-25

申请人： 高級微裝置公司 ,  ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： 貝絲爾 波R ,  BESSER PAUL R.

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/823871 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835