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    混合整合構件及其製造方法
    4.
    发明专利
    混合整合構件及其製造方法 审中-公开
    混合集成构件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201416312A

    公开(公告)日：2014-05-01

    申请号：TW102120839

    申请日：2013-06-13

    申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

    发明人： 克拉森 約翰尼斯 ,  CLASSEN, JOHANNES ,  法伯 保羅 ,  FARBER, PAUL

    IPC分类号： B81B7/02 ,  H01L25/16

    CPC分类号： B81B3/0018 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00261 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  B81C2203/0785

    摘要： 一種混合整合構件，包括一MEMS元件(20)、一用於該MEMS元件(20)之微機械結構(23)的罩蓋(30)及一設有若干電路元件(11)的ASIC元件(10)，本發明對該構件的功能範圍予以擴展。該構件(100)中，該ASIC元件(10)的該等電路元件(11)與該MEMS元件(20)之微機械結構(23)進行共同作用。該MEMS元件(20)安裝於該ASIC元件(10)上，使得該MEMS元件(20)之微機械結構(23)佈置於位於該罩蓋(30)與該ASIC元件(10)之間的一空腔(24)內。此外還為該ASIC元件(10)配設一磁感測機構的若干電路元件(171，172，173)。在該ASIC元件(10)之CMOS後端疊層(12)中或其上製成該等電路元件(171，172，173)。不必為實現該磁感測機構而增大晶片面積。

    简体摘要： 一种混合集成构件，包括一MEMS组件(20)、一用于该MEMS组件(20)之微机械结构(23)的罩盖(30)及一设有若干电路组件(11)的ASIC组件(10)，本发明对该构件的功能范围予以扩展。该构件(100)中，该ASIC组件(10)的该等电路组件(11)与该MEMS组件(20)之微机械结构(23)进行共同作用。该MEMS组件(20)安装于该ASIC组件(10)上，使得该MEMS组件(20)之微机械结构(23)布置于位于该罩盖(30)与该ASIC组件(10)之间的一空腔(24)内。此外还为该ASIC组件(10)配设一磁传感机构的若干电路组件(171，172，173)。在该ASIC组件(10)之CMOS后端叠层(12)中或其上制成该等电路组件(171，172，173)。不必为实现该磁传感机构而增大芯片面积。

    微磁場感測器，微磁場感測器裝置及微磁場檢出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN
    6.
    发明专利
    微磁場感測器，微磁場感測器裝置及微磁場檢出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN 审中-公开
    微磁场传感器，微磁场传感器设备及微磁场检出方法 MIKRO-MAGNETFELDSENSOR, MIKRO-MAGNETFELDSENSORVORRICHTUNG SOWIE VERFAHREN

    公开(公告)号：TW201237447A

    公开(公告)日：2012-09-16

    申请号：TW100142473

    申请日：2011-11-21

    申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司

    发明人： 萊賢巴哈 法蘭克 ,  夏茲 法蘭克 ,  法伯 保羅 ,  懷斯 史堤方 ,  帕塔克 克里斯堤安 ,  尼蒙其 斐德列克 尼坎

    IPC分类号： G01R

    CPC分类号： G01R33/0005 ,  G01R33/0206

    摘要： 一種微磁場感測器，用於將一磁場作三維式的檢出，包含至少三個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)，各用於測量該磁場的至少一方向，其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中，且其中至少一第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中，第二平面與第一平面垂直，且其中至少有一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角(100)或一鈍角(101)，該第三平面對第一及第二平面成垂直。此外關於，一種微磁場感測器裝置，用於將一磁場作三維式的檢出，包含：至少一個依申請專利範圍第1～第5項至少一項的微磁場感測器，以及分析手段(4)，該分析手段與至少一分析感測器配合，以將該至少一微機械式感測器的測量信號分析。此外還包含，一種將一磁場作三維式檢出的方法，包含以下步驟：(S1)：利用各至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)檢出一磁場的各至少一方向，其中至少二個感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第一平面中，且其中至少第三感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設在一第二平面中，該第二平面垂直於第一平面，其中至少一感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)設成對一第三平面成一銳角或鈍度(100)(101)，該第三平面垂直於該第一及第二平面設置；(S2)：將所檢出之磁場方向呈測量之感測器元件(1a)(1b)(1c)(1d)的測量資料形式送到至少一分析手段(4)；及(S3)：利用該分析手段將測量資料分析，以將磁場作三維式檢出。(圖2a)

    简体摘要： 一种微磁场传感器，用于将一磁场作三维式的检出，包含至少三个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)，各用于测量该磁场的至少一方向，其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中，且其中至少一第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中，第二平面与第一平面垂直，且其中至少有一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角(100)或一钝角(101)，该第三平面对第一及第二平面成垂直。此外关于，一种微磁场传感器设备，用于将一磁场作三维式的检出，包含：至少一个依申请专利范围第1～第5项至少一项的微磁场传感器，以及分析手段(4)，该分析手段与至少一分析传感器配合，以将该至少一微机械式传感器的测量信号分析。此外还包含，一种将一磁场作三维式检出的方法，包含以下步骤：(S1)：利用各至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)检出一磁场的各至少一方向，其中至少二个传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第一平面中，且其中至少第三传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设在一第二平面中，该第二平面垂直于第一平面，其中至少一传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)设成对一第三平面成一锐角或钝度(100)(101)，该第三平面垂直于该第一及第二平面设置；(S2)：将所检出之磁场方向呈测量之传感器组件(1a)(1b)(1c)(1d)的测量数据形式送到至少一分析手段(4)；及(S3)：利用该分析手段将测量数据分析，以将磁场作三维式检出。(图2a)

    用於測量磁場的裝置與方法 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM MESSEN VON MAGNETFELDERN
    7.
    发明专利
    用於測量磁場的裝置與方法 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM MESSEN VON MAGNETFELDERN 审中-公开
    用于测量磁场的设备与方法 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM MESSEN VON MAGNETFELDERN

    公开(公告)号：TW201243370A

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：TW101109006

    申请日：2012-03-16

    申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司

    发明人： 蘭密爾 葛哈德 ,  懷斯 史堤方 ,  夏茲 法蘭克 ,  法伯 保羅 ,  貝里尼 弗德

    IPC分类号： G01R

    CPC分类号： G01R33/02 ,  G01R15/148 ,  G01R33/04 ,  G01R33/05 ,  G01R33/18

    摘要： 本發明係有關於一種用於測量磁場的裝置，包含鐵芯(1)及勵磁線圈，該鐵芯具有可再磁化鐵芯材料，該勵磁線圈用於再磁化該鐵芯材料，其中，該鐵芯材料實施為一層或多個彼此間隔一定距離的層(12，14，16)，該鐵芯(10)具有：最大總延伸度G且2.5 mm≧G≧0.2 mm，大於等於二十的長寬比，及厚度D且2 μm≧D≧0.2 μm。本發明亦有關於一種測量磁場的相應方法。

    简体摘要： 本发明系有关于一种用于测量磁场的设备，包含铁芯(1)及励磁线圈，该铁芯具有可再磁化铁芯材料，该励磁线圈用于再磁化该铁芯材料，其中，该铁芯材料实施为一层或多个彼此间隔一定距离的层(12，14，16)，该铁芯(10)具有：最大总延伸度G且2.5 mm≧G≧0.2 mm，大于等于二十的长宽比，及厚度D且2 μm≧D≧0.2 μm。本发明亦有关于一种测量磁场的相应方法。