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公开(公告)号：TW201806098A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106106191
申请日：2017-02-23
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 八甫谷明彦 , HAPPOYA, AKIHIKO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/49579 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/49555 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4852 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 實施形態之半導體封裝係具備半導體晶片、導電部、接合線、塑模樹脂部、與分子接合層。前述分子接合層係至少設於前述接合線的表面與前述塑模樹脂部之間。前述分子接合層的至少一部分係與被包含於前述接合線之金屬形成化學鍵。前述分子接合層的至少一部分係與被包含於前述塑模樹脂部之樹脂形成化學鍵。
简体摘要： 实施形态之半导体封装系具备半导体芯片、导电部、接合线、塑模树脂部、与分子接合层。前述分子接合层系至少设于前述接合线的表面与前述塑模树脂部之间。前述分子接合层的至少一部分系与被包含于前述接合线之金属形成化学键。前述分子接合层的至少一部分系与被包含于前述塑模树脂部之树脂形成化学键。
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公开(公告)号：TW201806047A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106107437
申请日：2017-03-07
发明人： 洪瑞斌 , HUNG, JUI-PIN , 許峰誠 , HSU, FENG-CHENG , 鄭心圃 , JENG, SHIN-PUU
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/31053 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76885 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02311 , H01L2224/0237 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 一種方法包含形成第一複數個重佈線，形成第一金屬柱於該第一複數個重佈線上方並且電連接至該第一複數個重佈線，以及接合第一裝置晶粒至該第一複數個重佈線。該第一金屬柱與該第一裝置晶粒被囊封於第一囊封材料中。而後，平坦化該第一囊封材料。該方法另包含形成第二金屬柱於該第一金屬柱上方並且電連接至該第一金屬柱，經由黏著膜而附接第二裝置晶粒至該第一囊封材料，囊封該第二金屬柱與該第二裝置晶粒於第二囊封材料中，平坦化該第二囊封材料，以及形成第二複數個重佈線於該第二金屬柱與該第二裝置晶粒上方並且電耦合至該第二金屬柱與該第二裝置晶粒。
简体摘要： 一种方法包含形成第一复数个重布线，形成第一金属柱于该第一复数个重布在线方并且电连接至该第一复数个重布线，以及接合第一设备晶粒至该第一复数个重布线。该第一金属柱与该第一设备晶粒被囊封于第一囊封材料中。而后，平坦化该第一囊封材料。该方法另包含形成第二金属柱于该第一金属柱上方并且电连接至该第一金属柱，经由黏着膜而附接第二设备晶粒至该第一囊封材料，囊封该第二金属柱与该第二设备晶粒于第二囊封材料中，平坦化该第二囊封材料，以及形成第二复数个重布线于该第二金属柱与该第二设备晶粒上方并且电耦合至该第二金属柱与该第二设备晶粒。
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公开(公告)号：TW201802965A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106107259
申请日：2017-03-06
发明人： 陳英儒 , CHEN, YING JU , 陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L22/20 , H01L23/3142 , H01L23/481 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/15311
摘要： 一種堆疊式封裝裝置的製造方法：(i)接收前驅物封裝，前驅物封裝包括前驅物基板及前驅物基板上之複數個半導體封裝，其中在前驅物基板與半導體封裝之每一者之間存在縫隙；(ii)形成填充縫隙之底部封膠材料；(iii)沿著半導體封裝之相鄰多者之間的區域切割前驅物基板，以形成複數個離散的堆疊式封裝裝置；以及(iv)將補充底部封膠材料應用至該等堆疊式封裝裝置中的一個堆疊式封裝裝置。
简体摘要： 一种堆栈式封装设备的制造方法：(i)接收前驱物封装，前驱物封装包括前驱物基板及前驱物基板上之复数个半导体封装，其中在前驱物基板与半导体封装之每一者之间存在缝隙；(ii)形成填充缝隙之底部封胶材料；(iii)沿着半导体封装之相邻多者之间的区域切割前驱物基板，以形成复数个离散的堆栈式封装设备；以及(iv)将补充底部封胶材料应用至该等堆栈式封装设备中的一个堆栈式封装设备。
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公开(公告)号：TW201739150A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106114096
申请日：2017-04-27
申请人： 亞德諾半導體環球公司 , ANALOG DEVICES GLOBAL
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L23/49541 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L23/53271 , H01L23/552 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L27/0255 , H01L27/0647 , H01L29/0649 , H01L29/0684 , H01L29/0692 , H01L29/73 , H01L29/861 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49105 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/12036 , H01L2924/1207 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/1426 , H01L2924/3025 , H04B1/40 , H01L2924/00
摘要： 於此所揭露係一種用於保護電路免受暫態放電事件影響之積體電路裝置。一積體電路裝置包括一半導體基板，一雙向半導體整流器(semiconductor rectifier，SCR)形成於該半導體基板上，該雙向半導體整流器具有電連接至一第一端子之一陰極/陽極與電連接至一第二端子之一陰極/陽極。該積體電路裝置進一步包括複數個金屬化層，其形成於半導體基板上方。該積體電路裝置進一步包括一觸發裝置，其形成於第一側上之該半導體基板中並與該雙向半導體整流器相鄰。該觸發裝置包括至少一雙極型接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)或一突崩PN二極體(avalanche PN diode)，其中該觸發裝置之一第一裝置端子與該陰極/陽極(K/A)共同連接至該第一端子(T1)，且該觸發裝置之一第二裝置端子透過該至少一金屬化層電連接至該雙向半導體整流器之一中央區域。
简体摘要： 于此所揭露系一种用于保护电路免受暂态放电事件影响之集成电路设备。一集成电路设备包括一半导体基板，一双向半导体整流器(semiconductor rectifier，SCR)形成于该半导体基板上，该双向半导体整流器具有电连接至一第一端子之一阴极/阳极与电连接至一第二端子之一阴极/阳极。该集成电路设备进一步包括复数个金属化层，其形成于半导体基板上方。该集成电路设备进一步包括一触发设备，其形成于第一侧上之该半导体基板中并与该双向半导体整流器相邻。该触发设备包括至少一双极型接面晶体管(bipolar junction transistor，BJT)或一突崩PN二极管(avalanche PN diode)，其中该触发设备之一第一设备端子与该阴极/阳极(K/A)共同连接至该第一端子(T1)，且该触发设备之一第二设备端子透过该至少一金属化层电连接至该双向半导体整流器之一中央区域。
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公开(公告)号：TWI544582B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW100142472
申请日：2011-11-21
申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人： 貝爾 漢斯 彼德 , BAER, HANS-PETER , 法伯 保羅 , FARBER, PAUL , 懷斯 史堤方 , WEISS, STEFAN , 勞許 陸茲 , RAUSCHER, LUTZ
CPC分类号： H01L24/94 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/81801 , H01L2224/85186 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2224/0231 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099
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公开(公告)号：TW201626527A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104138611
申请日：2015-11-20
发明人： 基特那諾 瑞桑 , KITNARONG, RANGSUN , 普尼亞珀 帕拉奇 , PUNYAPOR, PRACHIT , 肯阿南太儂 艾克加洽 , KENGANANTANON, EKGACHAI
IPC分类号： H01L23/495 , H01L27/118 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L21/288 , H01L21/4825 , H01L21/4839 , H01L21/4842 , H01L21/4889 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49548 , H01L23/544 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2223/54453 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H05K3/3442 , H05K3/3494 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： 根據本發明之一實施例，一種用於一積體電路(IC)裝置之引腳架可包括：一中心支撐結構，用於安裝一IC晶片；複數個接針，其自該中心支撐結構延伸；及一棒條，其連接該複數個接針且遠離該中心支撐結構。該複數個接針中之每一接針可包含一微坑。
简体摘要： 根据本发明之一实施例，一种用于一集成电路(IC)设备之引脚架可包括：一中心支撑结构，用于安装一IC芯片；复数个接针，其自该中心支撑结构延伸；及一棒条，其连接该复数个接针且远离该中心支撑结构。该复数个接针中之每一接针可包含一微坑。
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公开(公告)号：TW201620106A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104127511
申请日：2015-08-24
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 梅爾 索斯登 , MEYER, THORSTEN , 傑維納 保利 , JAERVINEN, PAULI , 帕滕 理查德 , PATTEN, RICHARD
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L23/49 , H01L23/528 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L25/07 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48235 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/207
摘要： 本發明之實施例關於積體電路(IC)封裝，該封裝包括至少部分嵌入在第一封裝層中的第一晶粒和至少部分嵌入在第二封裝層中的第二晶粒。第一晶粒具有配置在第一封裝層之第一側的第一複數個晶粒互連結構。IC封裝也包括至少部分嵌入在第一封裝層內的複數個電路由特徵，且被組構成在第一封裝層的第一側與第二側之間路由電信號。第二側可配置在第一側的相對側。第二晶粒具有第二複數個晶粒級互連結構，其藉由接合線與至少複數個電路由特徵的子集電耦接。
简体摘要： 本发明之实施例关于集成电路(IC)封装，该封装包括至少部分嵌入在第一封装层中的第一晶粒和至少部分嵌入在第二封装层中的第二晶粒。第一晶粒具有配置在第一封装层之第一侧的第一复数个晶粒互链接构。IC封装也包括至少部分嵌入在第一封装层内的复数个电路由特征，且被组构成在第一封装层的第一侧与第二侧之间路由电信号。第二侧可配置在第一侧的相对侧。第二晶粒具有第二复数个晶粒级互链接构，其借由接合线与至少复数个电路由特征的子集电耦接。
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公开(公告)号：TWI518912B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW103101299
申请日：2014-01-14
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 費 安東尼 , FAI, ANTHONY , 伯勒 伊凡R , BOYLE, EVAN R. , 楊志平 , YANG, ZHIPING , 吳忠華 , WU, ZHONGHUA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/115
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5283 , H01L23/5286 , H01L23/5384 , H01L23/552 , H01L23/60 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/06151 , H01L2224/06177 , H01L2224/1405 , H01L2224/1414 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06537 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
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公开(公告)号：TW201530723A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103145865
申请日：2014-12-26
发明人： 費南德茲 約瑟夫D , FERNANDEZ, JOSEPH D. , 肯阿南太儂 艾克加洽 , KENGANANTANON, EKGACHAI , 珀沙諾斯基 葛瑞格 , PERZANOWSKI, GREG , 孫特恩維帕特 塔拉龐 , SOONTORNVIPART, TARAPONG , 馬布塔司 奧立佛 , MABUTAS, OLIVER
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L21/4821 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2223/54486 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48177 , H01L2224/48247 , H01L2224/48639 , H01L2224/48839 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01047 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/35121 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本發明揭示一種用於製造一積體電路裝置之方法。提供一導線框，其具有經組態以接納一積體電路晶粒之一晶粒支撐區域及與晶粒支撐區域相鄰之複數個導線框引腳，各導線框引腳包含在該導線框引腳之一個端處之一引腳尖端區域。該導線框經遮蔽使得該導線框之一或多個區域被覆蓋且該導線框之一或多個區域曝露，其中針對各導線框引腳，該各自引腳尖端區域之一第一區由該遮蔽覆蓋且該各自引腳尖端區域之一第二區曝露。該導線框之該一或多個曝露區域鍍銀，使得針對各導線框引腳，該各自引腳尖端區域之該第二區鍍銀且該各自引腳尖端區域之該第一區不鍍銀。
简体摘要： 本发明揭示一种用于制造一集成电路设备之方法。提供一导线框，其具有经组态以接纳一集成电路晶粒之一晶粒支撑区域及与晶粒支撑区域相邻之复数个导线框引脚，各导线框引脚包含在该导线框引脚之一个端处之一引脚尖端区域。该导线框经屏蔽使得该导线框之一或多个区域被覆盖且该导线框之一或多个区域曝露，其中针对各导线框引脚，该各自引脚尖端区域之一第一区由该屏蔽覆盖且该各自引脚尖端区域之一第二区曝露。该导线框之该一或多个曝露区域镀银，使得针对各导线框引脚，该各自引脚尖端区域之该第二区镀银且该各自引脚尖端区域之该第一区不镀银。
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公开(公告)号：TWI485225B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW102108050
申请日：2013-03-07
发明人： 小玉美虞彌 , KODAMA, MEGUMI , 徳安孝寛 , TOKUYASU, TAKAHIRO , 岩倉哲郎 , IWAKURA, TETSUROU
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J7/00 , C09J7/10 , C09J113/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2413/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/27001 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49179 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00 , H01L2224/48095 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
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