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公开(公告)号：TWI693718B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105101162
申请日：2016-01-15
发明人： 呂佳霖 , LU, CHIA-LIN , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG , 陳俊隆 , CHEN, CHUN-LUNG , 廖琨垣 , LIAO, KUN-YUAN , 張峰溢 , CHANG, FENG-YI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336 , H01L21/76
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公开(公告)号：TWI650833B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104110713
申请日：2015-04-01
发明人： 劉恩銓 , LIOU, EN CHIUAN , 楊智偉 , YANG, CHIH WEI , 童宇誠 , TUNG, YU CHENG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
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公开(公告)号：TW201832023A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106104867
申请日：2017-02-15
发明人： 劉恩銓 , LIOU, EN-CHIUAN , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG
IPC分类号： G03F9/00 , H01L21/027
摘要： 本發明是提供一種層疊對準標記，包含一基底以及位在基底上的複數組第一圖案區塊以及第二圖案區塊。基底定義有一第一方向與一第二方向，第一方向垂直於第二方向。每一組的第一圖案區塊與第二圖案區塊沿著一中心成旋轉對稱，其中各第一圖案區塊包含一大矩框以及複數個小矩框，各第二圖案區塊包含一大矩框以及複數小矩框，各大矩框短邊值是各小矩框短邊值的3倍以上。本發明還提供了一種評估製程穩定度的方法。
简体摘要： 本发明是提供一种层叠对准标记，包含一基底以及位在基底上的复数组第一图案区块以及第二图案区块。基底定义有一第一方向与一第二方向，第一方向垂直于第二方向。每一组的第一图案区块与第二图案区块沿着一中心成旋转对称，其中各第一图案区块包含一大矩框以及复数个小矩框，各第二图案区块包含一大矩框以及复数小矩框，各大矩框短边值是各小矩框短边值的3倍以上。本发明还提供了一种评估制程稳定度的方法。
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公开(公告)号：TW201820629A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105138330
申请日：2016-11-23
发明人： 劉恩銓 , LIOU, EN-CHIUAN , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一種半導體裝置包括一半導體基底、一淺溝隔離結構、複數個閘極電極以及一閘極隔離結構。半導體基底包括複數個鰭狀結構，各鰭狀結構沿一第一方向延伸。淺溝隔離結構設置於半導體基底上且設置於鰭狀結構之間。閘極電極設置於半導體基底以及淺溝隔離結構上，各閘極電極係沿一第二方向延伸且跨越設置於至少一鰭狀結構上。閘極隔離結構於第二方向上設置於兩相鄰之閘極電極之間，且閘極隔離結構之底面係低於淺溝隔離結構之頂面。
简体摘要： 一种半导体设备包括一半导体基底、一浅沟隔离结构、复数个闸极电极以及一闸极隔离结构。半导体基底包括复数个鳍状结构，各鳍状结构沿一第一方向延伸。浅沟隔离结构设置于半导体基底上且设置于鳍状结构之间。闸极电极设置于半导体基底以及浅沟隔离结构上，各闸极电极系沿一第二方向延伸且跨越设置于至少一鳍状结构上。闸极隔离结构于第二方向上设置于两相邻之闸极电极之间，且闸极隔离结构之底面系低于浅沟隔离结构之顶面。
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公开(公告)号：TW201717314A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104137271
申请日：2015-11-12
发明人： 劉恩銓 , LIOU, EN-CHIUAN , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/30604 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/66795
摘要： 本發明提供一種鰭狀電晶體，包含一基底，其上定義有複數條鰭狀結構，一閘極結構橫跨各個鰭狀結構，兩第一凹槽分別位於該閘極結構的兩側，其中各該第一凹槽中更包含有複數個第二凹槽，且各該第二凹槽的位置對應各該鰭狀結構，以及兩磊晶層分別設置於該閘極結構的兩側的該第一凹槽與各該第二凹槽中，其中各該磊晶層具有一第二凹凸輪廓的底面，且各該磊晶層直接接觸該第一凹槽的一底面與各該第二凹槽的一底面。
简体摘要： 本发明提供一种鳍状晶体管，包含一基底，其上定义有复数条鳍状结构，一闸极结构横跨各个鳍状结构，两第一凹槽分别位于该闸极结构的两侧，其中各该第一凹槽中更包含有复数个第二凹槽，且各该第二凹槽的位置对应各该鳍状结构，以及两磊晶层分别设置于该闸极结构的两侧的该第一凹槽与各该第二凹槽中，其中各该磊晶层具有一第二凹凸轮廓的底面，且各该磊晶层直接接触该第一凹槽的一底面与各该第二凹槽的一底面。
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公开(公告)号：TW201635536A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104109776
申请日：2015-03-26
发明人： 劉恩銓 , LIOU, EN CHIUAN , 楊智偉 , YANG, CHIH WEI , 黃志森 , HUANG, CHIH SEN , 童宇誠 , TUNG, YU CHENG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76895 , H01L21/28008 , H01L21/28088 , H01L21/3085 , H01L21/76834 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L29/00 , H01L29/66545 , H01L29/66553
摘要： 本發明揭露一種半導體元件，其包含一基底，一閘極結構設於基底上，一第一層間介電層環繞閘極結構，一第一硬遮罩設於閘極結構上以及一第二硬遮罩設於閘極結構上，其中第一硬遮罩設於第二硬遮罩兩側且第一硬遮罩包含氮化矽。
简体摘要： 本发明揭露一种半导体组件，其包含一基底，一闸极结构设于基底上，一第一层间介电层环绕闸极结构，一第一硬遮罩设于闸极结构上以及一第二硬遮罩设于闸极结构上，其中第一硬遮罩设于第二硬遮罩两侧且第一硬遮罩包含氮化硅。
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公开(公告)号：TWI527229B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW101114671
申请日：2012-04-25
发明人： 童宇誠 , TUNG, YU CHENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201603274A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103123281
申请日：2014-07-07
发明人： 吳彥良 , WU, YEN LIANG , 童宇誠 , TUNG, YU CHENG , 李鎮全 , LI,JHEN CYUAN , 呂水煙 , LU, SHUI YEN
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： 一種鰭式場效電晶體(FinFET)及其製造方法。一FinFET包括具有一上表面之一基板和一絕緣物(insulation)形成於基板之上表面上。基板上具有至少一凹陷鰭部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。絕緣物包括鄰近凹陷鰭部之一外側部(lateral portion)，和鄰接外側部之一中央部(central portion)，其中外側部之一上表面係高於中央部之一上表面。凹陷鰭部之一上表面係低於中央部之上表面。
简体摘要： 一种鳍式场效应管(FinFET)及其制造方法。一FinFET包括具有一上表面之一基板和一绝缘物(insulation)形成于基板之上表面上。基板上具有至少一凹陷鳍部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。绝缘物包括邻近凹陷鳍部之一外侧部(lateral portion)，和邻接外侧部之一中央部(central portion)，其中外侧部之一上表面系高于中央部之一上表面。凹陷鳍部之一上表面系低于中央部之上表面。
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公开(公告)号：TWI683395B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW104137271
申请日：2015-11-12
发明人： 劉恩銓 , LIOU, EN-CHIUAN , 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/06
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公开(公告)号：TWI653687B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104121304
申请日：2015-07-01
发明人： 童宇誠 , TUNG, YU-CHENG , 劉恩銓 , LIOU, EN-CHIUAN
IPC分类号： H01L21/311
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