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公开(公告)号：TWI690984B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105125383
申请日：2016-08-10
发明人： 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 傅思逸 , FU, SSU-I , 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 程偉麒 , CHENG, WEI-CHI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
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公开(公告)号：TW201803016A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121146
申请日：2016-07-05
发明人： 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 程偉麒 , CHENG, WEI-CHI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/823821 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02636 , H01L21/26513 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76224 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/66795
摘要： 本發明提供一種形成半導體元件的方法，其特徵在於包含以下步驟：首先，提供一基底，接著形成至少一閘極結構位於該基底上，然後依序形成一蝕刻停止層以及一第一介電層，覆蓋於該基底上，之後進行一第一蝕刻步驟，將該第一介電層移除，並曝露該蝕刻停止層的一底部與一側壁，接下來，進行一第二蝕刻步驟，移除部分該蝕刻停止層，並於該基底中形成至少一磊晶凹槽，進行一磊晶成長步驟，於該磊晶凹槽中形成一磊晶層，以及形成一接觸結構於該磊晶層上。
简体摘要： 本发明提供一种形成半导体组件的方法，其特征在于包含以下步骤：首先，提供一基底，接着形成至少一闸极结构位于该基底上，然后依序形成一蚀刻停止层以及一第一介电层，覆盖于该基底上，之后进行一第一蚀刻步骤，将该第一介电层移除，并曝露该蚀刻停止层的一底部与一侧壁，接下来，进行一第二蚀刻步骤，移除部分该蚀刻停止层，并于该基底中形成至少一磊晶凹槽，进行一磊晶成长步骤，于该磊晶凹槽中形成一磊晶层，以及形成一接触结构于该磊晶层上。
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公开(公告)号：TW201725725A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100108
申请日：2016-01-05
发明人： 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 林昭宏 , LIN, CHAO-HUNG , 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/76816 , H01L21/76895 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L23/535 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L28/00 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/66545 , H01L29/7851
摘要： 一種半導體元件及其形成方法，該半導體元件包含第一及第二鰭狀結構、第一及第二閘極結構、一介電層以及第一及第二插塞。該第一及第二鰭狀結構分別設置在基底的第一區域及第二區域內。該第一及第二閘極結構分別橫跨該第一及第二鰭狀結構。該介電層設置在該基底上，覆蓋該第一及該第二閘極結構。該第一插塞及第二插塞設置在該介電層中，該第一插塞電連接位在該第一閘極結構兩側的第一源極/汲極區，並且接觸該第一閘極結構的一側壁，該第二插塞則電連接位在該第二閘極結構兩側的第二源極/汲極區，並且不接觸該第二閘極結構的一側壁。
简体摘要： 一种半导体组件及其形成方法，该半导体组件包含第一及第二鳍状结构、第一及第二闸极结构、一介电层以及第一及第二插塞。该第一及第二鳍状结构分别设置在基底的第一区域及第二区域内。该第一及第二闸极结构分别横跨该第一及第二鳍状结构。该介电层设置在该基底上，覆盖该第一及该第二闸极结构。该第一插塞及第二插塞设置在该介电层中，该第一插塞电连接位在该第一闸极结构两侧的第一源极/汲极区，并且接触该第一闸极结构的一侧壁，该第二插塞则电连接位在该第二闸极结构两侧的第二源极/汲极区，并且不接触该第二闸极结构的一侧壁。
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公开(公告)号：TWI664732B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104120067
申请日：2015-06-23
发明人： 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201740475A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105113924
申请日：2016-05-05
发明人： 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 程偉麒 , CHENG, WEI-CHI , 傅思逸 , FU, SSU-I , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/28518 , H01L21/28525 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L21/76819 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/7848
摘要： 本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，然後形成一閘極結構於基底上。接著形成一凹槽於閘極結構旁，形成一磊晶層於凹槽內，形成一層間介電層於閘極結構上，形成一第一接觸洞於層間介電層中且位於閘極結構旁，最後再形成一遮蓋層於第一接觸洞內，其中遮蓋層之上表面切齊或低於基底之上表面。
简体摘要： 本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，然后形成一闸极结构于基底上。接着形成一凹槽于闸极结构旁，形成一磊晶层于凹槽内，形成一层间介电层于闸极结构上，形成一第一接触洞于层间介电层中且位于闸极结构旁，最后再形成一遮盖层于第一接触洞内，其中遮盖层之上表面切齐或低于基底之上表面。
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公开(公告)号：TWI692872B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105100108
申请日：2016-01-05
发明人： 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 林昭宏 , LIN, CHAO-HUNG , 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201707070A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104125042
申请日：2015-08-03
发明人： 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 林昭宏 , LIN, CHAO-HUNG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L29/0649 , H01L29/45
摘要： 本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底具有一第一鰭狀結構設於一第一區域上以及一第二鰭狀結構設於一第二區域上，然後形成複數個第一閘極結構於第一鰭狀結構上、複數個第二閘極結構於第二鰭狀結構上以及一層間介電層圍繞第一閘極結構及第二閘極結構，形成一第一圖案化遮罩於層間介電層上及第一區域與第二區域之間，形成一第二圖案化遮罩於第二區域上，利用第一圖案化遮罩及第二圖案化遮罩去除第一區域上之層間介電層及第二區域上部分之層間介電層，以於第一區域形成複數個第一接觸洞以及於第二區域形成複數個第二接觸洞。
简体摘要： 本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底具有一第一鳍状结构设于一第一区域上以及一第二鳍状结构设于一第二区域上，然后形成复数个第一闸极结构于第一鳍状结构上、复数个第二闸极结构于第二鳍状结构上以及一层间介电层围绕第一闸极结构及第二闸极结构，形成一第一图案化遮罩于层间介电层上及第一区域与第二区域之间，形成一第二图案化遮罩于第二区域上，利用第一图案化遮罩及第二图案化遮罩去除第一区域上之层间介电层及第二区域上部分之层间介电层，以于第一区域形成复数个第一接触洞以及于第二区域形成复数个第二接触洞。
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公开(公告)号：TWI688042B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW105121146
申请日：2016-07-05
发明人： 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 程偉麒 , CHENG, WEI-CHI , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/768
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公开(公告)号：TWI686879B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105113924
申请日：2016-05-05
发明人： 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 程偉麒 , CHENG, WEI-CHI , 傅思逸 , FU, SSU-I , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
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公开(公告)号：TWI650804B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104125042
申请日：2015-08-03
发明人： 洪裕祥 , HUNG, YU-HSIANG , 許智凱 , HSU, CHIH-KAI , 林昭宏 , LIN, CHAO-HUNG , 傅思逸 , FU, SSU-I , 鄭志祥 , JENQ, JYH-SHYANG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L29/78
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