公开(公告)号：TWI547998B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW103136420

申请日：2014-10-22

Applicant: 英特摩庫勒公司 ,  INTERMOLECULAR INC. ,  格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 威克 瑞納 ,  WILLEKE, REINER ,  安塔哪莎瓦 坦雅 ,  ATANASOVA, TANYA ,  楊 安 ,  DUONG, ANH ,  諾林 葛瑞格 ,  NOWLING, GREG

IPC: H01L21/3213

CPC classification number: H01L24/11 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941

公开(公告)号：TW201533801A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103136420

申请日：2014-10-22

Applicant: 英特摩庫勒公司 ,  INTERMOLECULAR INC. ,  格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 威克 瑞納 ,  WILLEKE, REINER ,  安塔哪莎瓦 坦雅 ,  ATANASOVA, TANYA ,  楊 安 ,  DUONG, ANH ,  諾林 葛瑞格 ,  NOWLING, GREG

IPC: H01L21/3213

CPC classification number: H01L24/11 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941

Abstract: 本發明揭露在製造積體電路期間蝕刻銅的方法。在一個示例實施例中，一種製造積體電路的方法包括：提供積體電路結構，該積體電路結構包括銅凸塊結構以及位於該銅凸塊結構下方並鄰近該銅凸塊結構的銅晶種層；以及利用濕式蝕刻化學相對該銅凸塊結構選擇性蝕刻該晶種層，該濕式蝕刻化學由體積百分比為約0.07至約0.36的H3PO4，體積百分比為約0.1至約0.7的H2O2，以及其餘為H2O及可選的NH4OH組成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露在制造集成电路期间蚀刻铜的方法。在一个示例实施例中，一种制造集成电路的方法包括：提供集成电路结构，该集成电路结构包括铜凸块结构以及位于该铜凸块结构下方并邻近该铜凸块结构的铜晶种层；以及利用湿式蚀刻化学相对该铜凸块结构选择性蚀刻该晶种层，该湿式蚀刻化学由体积百分比为约0.07至约0.36的H3PO4，体积百分比为约0.1至约0.7的H2O2，以及其余为H2O及可选的NH4OH组成。