晶片封裝結構及形成方法
    8.
    发明专利
    晶片封裝結構及形成方法 审中-公开
    芯片封装结构及形成方法

    公开(公告)号:TW201513244A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:TW103128253

    申请日:2014-08-18

    Abstract: 一種晶片封裝結構及形成方法,所述晶片封裝結構的形成方法包括:沿著待封裝晶圓的切割道方向對待封裝晶圓進行蝕刻以形成溝槽,所述溝槽的寬度大於切割道的寬度;在所述切割道兩側的溝槽底部表面形成第二焊墊和連接結構;利用所述連接結構將晶片和封裝電路板固定連接。由於用於固定連接的連接結構位於所述溝槽內,因此本發明的晶片封裝結構的總厚度小於晶片的厚度、連接結構的高度和封裝電路板的厚度之和,從而有利於產品小型化。

    Abstract in simplified Chinese: 一种芯片封装结构及形成方法,所述芯片封装结构的形成方法包括:沿着待封装晶圆的切割道方向对待封装晶圆进行蚀刻以形成沟槽,所述沟槽的宽度大于切割道的宽度;在所述切割道两侧的沟槽底部表面形成第二焊垫和连接结构;利用所述连接结构将芯片和封装电路板固定连接。由于用于固定连接的连接结构位于所述沟槽内,因此本发明的芯片封装结构的总厚度小于芯片的厚度、连接结构的高度和封装电路板的厚度之和,从而有利于产品小型化。

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