公开(公告)号：TWI557884B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW100125820

申请日：2011-07-21

申请人： 飛思卡爾半導體公司 ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 山德斯 保羅W ,  SANDERS, PAUL W. ,  柏格 維尼R ,  BURGER, WAYNE R. ,  道 水B ,  DAO, THUY B. ,  奇伊斯 喬爾E ,  KEYS, JOEL E. ,  彼特拉斯 麥可F ,  PETRAS, MICHAEL F. ,  普萊爾 羅伯特A ,  PRYOR, ROBERT A. ,  任紹偉 ,  REN, XIAOWEI

IPC分类号： H01L27/118 ,  H03F3/195

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7816 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/30107 ,  H03F3/195 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201230308A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100125820

申请日：2011-07-21

申请人： 飛思卡爾半導體公司

发明人： 山德斯 保羅W ,  柏格 維尼R ,  道 水B ,  奇伊斯 喬爾E ,  彼特拉斯 麥可F ,  普萊爾 羅伯特A ,  任紹偉

IPC分类号： H01L ,  H03F

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7816 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/30107 ,  H03F3/195 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 單石積體電路(IC)之被動組件當於微波頻率操作時相關聯之低Q可藉針對IC使用高電阻係數(例如大於或等於100歐姆-厘米)半導體基體及較低電阻電感器而予避免或減輕。如此消除來自覆在基體上方的平面電感器及互連體的顯著基體內電磁耦合損耗。該(等)主動電晶體係形成於基體內靠近前表面。平面電容器也係形成於該基體之前表面上方。電晶體、電容器及電感器之多個終端係使用貫穿基體通孔而耦接至基體後表面上之一底平面來減少寄生電阻。藉將平面電感器及重載電流導體配置於IC之外表面上,於該處其係製作成實質上較厚且具有較低電阻,平面電感器及重載電流導體相關聯之寄生電阻係經最小化。結果可獲得先前無法達成的單石微波積體電路。

简体摘要： 单石集成电路(IC)之被动组件当于微波频率操作时相关联之低Q可藉针对IC使用高电阻系数(例如大于或等于100欧姆-厘米)半导体基体及较低电阻电感器而予避免或减轻。如此消除来自覆在基体上方的平面电感器及互连体的显着基体内电磁耦合损耗。该(等)主动晶体管系形成于基体内靠近前表面。平面电容器也系形成于该基体之前表面上方。晶体管、电容器及电感器之多个终端系使用贯穿基体通孔而耦接至基体后表面上之一底平面来减少寄生电阻。藉将平面电感器及重载电流导体配置于IC之外表面上,于该处其系制作成实质上较厚且具有较低电阻,平面电感器及重载电流导体相关联之寄生电阻系经最小化。结果可获得先前无法达成的单石微波集成电路。