公开(公告)号：TWI614877B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW105110663

申请日：2012-08-14

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 金澤孝光 ,  KANAZAWA, TAKAMITSU ,  秋山悟 ,  AKIYAMA, SATORU

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/3702 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40145 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

公开(公告)号：TW201709522A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105112205

申请日：2016-04-20

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 豊田久志 ,  TOYODA, HISASHI ,  山崎幸一 ,  YAMAZAKI, KOICHI ,  新井耕一 ,  ARAI, KOICHI ,  關達弘 ,  SEKI, TATSUHIRO

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1095 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H02P27/06 ,  H03K17/102 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/74 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本發明之目的係使半導體裝置的性能提昇。本發明之半導體裝置包括：常開型之接面FET（Field Effect Transistor；場效電晶體）3，具備閘極電極3g、源極電極3s、及汲極電極3d；以及常閉型之MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；金屬氧化物半導體場效電晶體）4，具備閘極電極4g、源極電極4s、及汲極電極4d。接面FET3的源極電極3s係與MOSFET4的汲極電極4d電性連接，藉以將接面FET3與MOSFET4串聯連接。接面FET3的閘極電極3g係與MOSFET4的閘極電極4g電性連接。

简体摘要： 本发明之目的系使半导体设备的性能提升。本发明之半导体设备包括：常开型之接面FET（Field Effect Transistor；场效应管）3，具备闸极电极3g、源极电极3s、及汲极电极3d；以及常闭型之MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；金属氧化物半导体场效应管）4，具备闸极电极4g、源极电极4s、及汲极电极4d。接面FET3的源极电极3s系与MOSFET4的汲极电极4d电性连接，借以将接面FET3与MOSFET4串联连接。接面FET3的闸极电极3g系与MOSFET4的闸极电极4g电性连接。

公开(公告)号：TWI505462B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：TW099130421

申请日：2010-09-09

申请人： 香港科技大學 ,  THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： 陳敬 ,  袁理 ,  陳洪維 ,  周春華

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/872 ,  H01L29/88 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI463640B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW101137135

申请日：2012-10-08

申请人： 夏普股份有限公司 ,  SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 谷口清美 ,  TANIGUCHI, KIYOMI ,  植田順 ,  UEDA, JUN ,  小野敦 ,  ONO, ATSUSHI

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L27/0883 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI398002B

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW098123937

申请日：2009-07-15

申请人： 箴言整合產品股份有限公司 ,  MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.

发明人： 艾許勞夫翟德 安邁 ,  ASHRAFZADEH, AHMAD

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L23/041 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L29/42372 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201314866A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101129402

申请日：2012-08-14

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 金澤孝光 ,  KANAZAWA, TAKAMITSU ,  秋山悟 ,  AKIYAMA, SATORU

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/3702 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40145 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

摘要： 本發明係提供一種可提高半導體裝置之可靠性之技術。在本發明中，形成於半導體晶片CHP1之表面上之閘極焊墊GPj係以比其他引線(汲極引線DL或閘極引線GL)更接近源極引線SL之方式配置。其結果，根據本發明，由於可縮短閘極焊墊GPj與源極引線SL間之距離，故可縮短連接閘極焊墊GPj與源極引線SL之導線Wgj之長度。因此，根據本發明，可充分降低存在於導線Wgj中之寄生電感。

简体摘要： 本发明系提供一种可提高半导体设备之可靠性之技术。在本发明中，形成于半导体芯片CHP1之表面上之闸极焊垫GPj系以比其他引线(汲极引线DL或闸极引线GL)更接近源极引线SL之方式配置。其结果，根据本发明，由于可缩短闸极焊垫GPj与源极引线SL间之距离，故可缩短连接闸极焊垫GPj与源极引线SL之导线Wgj之长度。因此，根据本发明，可充分降低存在于导线Wgj中之寄生电感。

公开(公告)号：TW201304061A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：TW101114761

申请日：2012-04-25

申请人： 住友電氣工業股份有限公司 ,  SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

发明人： 杉村貴弘 ,  SUGIMURA, TAKAHIRO ,  築野孝 ,  TSUNO, TAKASHI

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L23/24 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明之一實施形態之半導體裝置(10)包括：絕緣性基板(121)；佈線層(122)，其形成於絕緣性基板之第1主表面(121a)上；及半導體元件(14)，其搭載於佈線層上。於該半導體裝置中，佈線層包括含有銅及熱膨脹係數小於銅之金屬之第1含銅材料，且第1含銅材料之熱膨脹係數小於銅之熱膨脹係數。

简体摘要： 本发明之一实施形态之半导体设备(10)包括：绝缘性基板(121)；布线层(122)，其形成于绝缘性基板之第1主表面(121a)上；及半导体组件(14)，其搭载于布线层上。于该半导体设备中，布线层包括含有铜及热膨胀系数小于铜之金属之第1含铜材料，且第1含铜材料之热膨胀系数小于铜之热膨胀系数。

公开(公告)号：TW201240031A

公开(公告)日：2012-10-01

申请号：TW100146600

申请日：2011-12-15

申请人： 茂力科技股份有限公司

发明人： 蔣航

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L21/565 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49572 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明公開了一種微電子封裝及其散熱方法。該微電子封裝包括:半導體晶片,具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面,其中在第一表面設置有接合點;引線框架,靠近半導體晶片,具有引腳;電耦接元件,耦接於半導體晶片的接合點與引線框架的引腳之間;以及塑型材料,具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面,該塑型材料至少部分地封入半導體晶片、引線框架和電耦接元件;其中至少部分半導體晶片的第二表面通過塑型材料的第二表面暴露出來。

简体摘要： 本发明公开了一种微电子封装及其散热方法。该微电子封装包括:半导体芯片,具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,其中在第一表面设置有接合点;引线框架,靠近半导体芯片,具有引脚;电耦接组件,耦接于半导体芯片的接合点与引线框架的引脚之间;以及塑型材料,具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,该塑型材料至少部分地封入半导体芯片、引线框架和电耦接组件;其中至少部分半导体芯片的第二表面通过塑型材料的第二表面暴露出来。

公开(公告)号：TW201135979A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW100103329

申请日：2011-01-28

申请人： LG伊諾特股份有限公司

发明人： 丁煥熙 ,  李尚烈 ,  宋俊午 ,  崔光基

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/78 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種發光裝置,其係包括有一第一電極、一發光結構、一第二電極、以及一控制開關。其中該發光結構係包括有一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層於該第一電極上。該第二電極係於該發光結構上。且該控制開關係於該發光結構上以控制該發光結構。

简体摘要： 本发明揭示一种发光设备,其系包括有一第一电极、一发光结构、一第二电极、以及一控制开关。其中该发光结构系包括有一第一半导体层、一主动层以及一第二半导体层于该第一电极上。该第二电极系于该发光结构上。且该控制开关系于该发光结构上以控制该发光结构。

公开(公告)号：TW201030912A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：TW098138216

申请日：2009-11-11

申请人： 飛思卡爾半導體公司

发明人： 瓊斯 傑佛瑞K ,  席瑪諾斯基 瑪格利特A ,  麥拉 米歇爾L ,  任紹偉 ,  柏格 維尼R ,  班奈特 馬克A ,  柯爾 柯林

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/05076 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 在一共用基體上具有一主動裝置區域及接合墊(BP)區域的電子元件期望地包括位於該BP下的一電介質區域,以隨著該等電子元件縮放為較高的電力及/或操作頻率而減小該BP及其互連體的寄生阻抗。由簡單(例如僅氧化物)的電介質區域所產生的機械應力可能不利地影響性能、製造良率、墊至裝置的接近度,且佔據面積。這可以透過提供具有經電氣隔離之包含物的一合成電介質區域來避免,該等包含物具有一熱膨脹係數(TEC),且其TEC小於供其等嵌入之該電介質材料的TEC,且/或較接近於該基體之TEC。對於矽基體,聚合矽或非晶質矽適合於該等包含物,且氧化矽適合於該電介質材料。該等包含物較佳地具有由該電介質材料所分離且包圍的一刀片狀形狀。

简体摘要： 在一共享基体上具有一主动设备区域及接合垫(BP)区域的电子组件期望地包括位于该BP下的一电介质区域,以随着该等电子组件缩放为较高的电力及/或操作频率而减小该BP及其互连体的寄生阻抗。由简单(例如仅氧化物)的电介质区域所产生的机械应力可能不利地影响性能、制造良率、垫至设备的接近度,且占据面积。这可以透过提供具有经电气隔离之包含物的一合成电介质区域来避免,该等包含物具有一热膨胀系数(TEC),且其TEC小于供其等嵌入之该电介质材料的TEC,且/或较接近于该基体之TEC。对于硅基体,聚合硅或非晶质硅适合于该等包含物,且氧化硅适合于该电介质材料。该等包含物较佳地具有由该电介质材料所分离且包围的一刀片状形状。