专利检索 ap:("高效電源轉換公司" OR "EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION") AND inv:"劉芳昌" 第 1 页

1.

发明专利
具有匹配臨界電壓之積體電路及其製造方法有权
简体标题：具有匹配临界电压之集成电路及其制造方法

公开(公告)号：TWI615977B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW103125845

申请日：2014-07-29

申请人： 高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 馬豔萍 , MA, YANPING , 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 庫魯里謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI , 猶哈爾阿古斯 , JAUHAR, AGUS

IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787

2.

发明专利
製作氮化鎵裝置及積體電路中之自我對準隔離部的方法审中-公开
简体标题：制作氮化镓设备及集成电路中之自我对准隔离部的方法

公开(公告)号：TW201519364A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103123322

申请日：2014-07-07

申请人： 高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 庫魯里謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 馬豔萍 , MA, YANPING , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI

IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/77

CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/76 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/088 , H01L29/2003 , H01L29/7786

摘要： 一種用以形成具有一隔離區域之一增強模式GaN HFET裝置之方法，且該隔離區域自我對準一接觸開口或金屬遮罩窗。有利地，該方法不需要一專用隔離遮罩及相關程序步驟，因此減少製造成本。該方法包括提供一EPI結構，且該EPI結構包括一基材、一緩衝層、一GaN層及一障壁層。一介電層形成在該障壁層上方，且多數開口形成在該介電層中用於多數裝置接觸開口及一隔離部接觸開口。接著在該介電層上方形成一金屬層，且在各裝置接觸開口上方沈積一光阻。接著蝕刻該金屬層，以便在該隔離部接觸開口上方形成一金屬遮罩窗，且在藉由在該介電層中之隔離部接觸開口暴露之部份蝕刻該障壁及GaN層。

简体摘要： 一种用以形成具有一隔离区域之一增强模式GaN HFET设备之方法，且该隔离区域自我对准一接触开口或金属遮罩窗。有利地，该方法不需要一专用隔离遮罩及相关进程步骤，因此减少制造成本。该方法包括提供一EPI结构，且该EPI结构包括一基材、一缓冲层、一GaN层及一障壁层。一介电层形成在该障壁层上方，且多数开口形成在该介电层中用于多数设备接触开口及一隔离部接触开口。接着在该介电层上方形成一金属层，且在各设备接触开口上方沉积一光阻。接着蚀刻该金属层，以便在该隔离部接触开口上方形成一金属遮罩窗，且在借由在该介电层中之隔离部接触开口暴露之部份蚀刻该障壁及GaN层。

3.

发明专利
具有閘極間隔件之增強模式氮化鎵高電子遷移率電晶體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：具有闸极间隔件之增强模式氮化镓高电子迁移率晶体管组件及其制造方法

公开(公告)号：TW201347177A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102106269

申请日：2013-02-22

申请人： 高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 趙廣元 , ZHAO, GUANG YUAN , 史瑞特瑪特羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG

IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/7787

摘要： 一種具有閘極間隔件之增強模式氮化鎵元件，自動對準之一閘極金屬材料及一閘極化合物，及其形成方法。該等材料係使用一單一光罩圖案化及蝕刻，且這減少製造成本。該閘極間隔件與該閘極化合物之界面具有比一介電薄膜與該閘極化合物之界面低之洩漏，因此減少閘極洩漏。此外，使用一歐姆接觸金屬層作為一場板以降低在一摻雜III-V閘極化合物角落朝向該汲極接頭之一電場，且這導致一較低閘極洩漏及較高閘極信賴性。

简体摘要： 一种具有闸极间隔件之增强模式氮化镓组件，自动对准之一闸极金属材料及一闸极化合物，及其形成方法。该等材料系使用一单一光罩图案化及蚀刻，且这减少制造成本。该闸极间隔件与该闸极化合物之界面具有比一介电薄膜与该闸极化合物之界面低之泄漏，因此减少闸极泄漏。此外，使用一欧姆接触金属层作为一场板以降低在一掺杂III-V闸极化合物角落朝向该汲极接头之一电场，且这导致一较低闸极泄漏及较高闸极信赖性。

4.

发明专利
氮化鎵裝置及積體電路中之隔離結構有权
简体标题：氮化镓设备及集成电路中之隔离结构

公开(公告)号：TWI543368B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW103123323

申请日：2014-07-07

申请人： 高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 庫魯里謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 馬豔萍 , MA, YANPING , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI

IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/762

CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786

5.

发明专利
具有匹配臨界電壓之積體電路及其製造方法审中-公开
简体标题：具有匹配临界电压之集成电路及其制造方法

公开(公告)号：TW201513364A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103125845

申请日：2014-07-29

申请人： 高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 馬豔萍 , MA, YANPING , 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 庫魯里謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI , 猶哈爾阿古斯 , JAUHAR, AGUS

IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787

摘要： 一種積體電路具有一基材、一緩衝層形成於基材上、一阻礙層形成於緩衝層上，以及一隔離區將一增強模式裝置與一耗盡模式裝置隔離。積體電路更包括一增強模式裝置的第一閘極接觸件設置於一閘極接觸凹部與一耗盡模式裝置的第二閘極接觸件設置於一第二閘極接觸凹部。

简体摘要： 一种集成电路具有一基材、一缓冲层形成于基材上、一阻碍层形成于缓冲层上，以及一隔离区将一增强模式设备与一耗尽模式设备隔离。集成电路更包括一增强模式设备的第一闸极接触件设置于一闸极接触凹部与一耗尽模式设备的第二闸极接触件设置于一第二闸极接触凹部。

6.

发明专利
具有用於產生附加構件之多晶矽層的氮化鎵電晶體审中-公开
简体标题：具有用于产生附加构件之多晶硅层的氮化镓晶体管

公开(公告)号：TW201519363A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103125695

申请日：2014-07-28

申请人： 高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 馬豔萍 , MA, YANPING , 史瑞特瑪特羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 迪魯吉麥可A , DE ROOJI, MICHAEL A. , 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 庫魯里謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI , 猶哈爾阿古斯 , JAUHAR, AGUS

IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/77 , H01L27/10

CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/763 , H01L21/8221 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L29/04 , H01L29/1066 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787

摘要： 本發明係有關具有用以產生用於一積體電路之附加構件的多晶矽層之一GaN電晶體以及其製造方法。GaN裝置包括一EPI結構及置設在EPI結構上方的一絕緣材料。並且，一或多個多晶矽層置設在該絕緣材料中，而該等多晶矽層具有一或多個n型區域及p型區域。此裝置更包括置設在該絕緣材料上的金屬互連體，及置設在該絕緣材料中的通孔，其將源極與汲極金屬連接至該多晶矽層的n型及p型區域。

简体摘要： 本发明系有关具有用以产生用于一集成电路之附加构件的多晶硅层之一GaN晶体管以及其制造方法。GaN设备包括一EPI结构及置设在EPI结构上方的一绝缘材料。并且，一或多个多晶硅层置设在该绝缘材料中，而该等多晶硅层具有一或多个n型区域及p型区域。此设备更包括置设在该绝缘材料上的金属互连体，及置设在该绝缘材料中的通孔，其将源极与汲极金属连接至该多晶硅层的n型及p型区域。

7.

发明专利
氮化鎵裝置及積體電路中之隔離結構审中-公开
简体标题：氮化镓设备及集成电路中之隔离结构

公开(公告)号：TW201511263A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103123323

申请日：2014-07-07

申请人： 高效電源轉換公司 , EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 里道亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 庫魯里謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 馬豔萍 , MA, YANPING , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI

IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/762

CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786

摘要： 一種整合半導體裝置包括一基材層、形成在該基材層上之一緩衝層、形成在該緩衝層上之一氮化鎵層、及形成在該氮化鎵層上之一障壁層。此外，用於多數電晶體裝置之歐姆接點係形成在該障壁層上。詳而言之，用於第一電晶體裝置之多數第一歐姆接點係形成在該障壁層之表面之一第一部份上，且用於第二電晶體裝置之多數第二歐姆接點係形成在該障壁層之表面之一第二部份上。又，一或多個閘極結構形成在該障壁之表面之一第三部份上且在該等第一與第二電晶體裝置之間。較佳地，該等一或多個閘極結構及在該等電晶體裝置之該等閘極結構與該等源極接點之間的空間一起形成一隔離區，且該隔離區電氣隔離該第一電晶體裝置與該第二電晶體裝置。

简体摘要： 一种集成半导体设备包括一基材层、形成在该基材层上之一缓冲层、形成在该缓冲层上之一氮化镓层、及形成在该氮化镓层上之一障壁层。此外，用于多数晶体管设备之欧姆接点系形成在该障壁层上。详而言之，用于第一晶体管设备之多数第一欧姆接点系形成在该障壁层之表面之一第一部份上，且用于第二晶体管设备之多数第二欧姆接点系形成在该障壁层之表面之一第二部份上。又，一或多个闸极结构形成在该障壁之表面之一第三部份上且在该等第一与第二晶体管设备之间。较佳地，该等一或多个闸极结构及在该等晶体管设备之该等闸极结构与该等源极接点之间的空间一起形成一隔离区，且该隔离区电气隔离该第一晶体管设备与该第二晶体管设备。