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公开(公告)号：TW201519363A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103125695
申请日：2014-07-28
发明人： 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 馬豔萍 , MA, YANPING , 史瑞特瑪特 羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 迪魯吉 麥可A , DE ROOJI, MICHAEL A. , 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 庫魯里 謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI , 猶哈爾 阿古斯 , JAUHAR, AGUS
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/763 , H01L21/8221 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L29/04 , H01L29/1066 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
摘要： 本發明係有關具有用以產生用於一積體電路之附加構件的多晶矽層之一GaN電晶體以及其製造方法。GaN裝置包括一EPI結構及置設在EPI結構上方的一絕緣材料。並且，一或多個多晶矽層置設在該絕緣材料中，而該等多晶矽層具有一或多個n型區域及p型區域。此裝置更包括置設在該絕緣材料上的金屬互連體，及置設在該絕緣材料中的通孔，其將源極與汲極金屬連接至該多晶矽層的n型及p型區域。
简体摘要： 本发明系有关具有用以产生用于一集成电路之附加构件的多晶硅层之一GaN晶体管以及其制造方法。GaN设备包括一EPI结构及置设在EPI结构上方的一绝缘材料。并且，一或多个多晶硅层置设在该绝缘材料中，而该等多晶硅层具有一或多个n型区域及p型区域。此设备更包括置设在该绝缘材料上的金属互连体，及置设在该绝缘材料中的通孔，其将源极与汲极金属连接至该多晶硅层的n型及p型区域。
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公开(公告)号：TW201511263A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103123323
申请日：2014-07-07
发明人： 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特 羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 庫魯里 謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 馬豔萍 , MA, YANPING , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
摘要： 一種整合半導體裝置包括一基材層、形成在該基材層上之一緩衝層、形成在該緩衝層上之一氮化鎵層、及形成在該氮化鎵層上之一障壁層。此外，用於多數電晶體裝置之歐姆接點係形成在該障壁層上。詳而言之，用於第一電晶體裝置之多數第一歐姆接點係形成在該障壁層之表面之一第一部份上，且用於第二電晶體裝置之多數第二歐姆接點係形成在該障壁層之表面之一第二部份上。又，一或多個閘極結構形成在該障壁之表面之一第三部份上且在該等第一與第二電晶體裝置之間。較佳地，該等一或多個閘極結構及在該等電晶體裝置之該等閘極結構與該等源極接點之間的空間一起形成一隔離區，且該隔離區電氣隔離該第一電晶體裝置與該第二電晶體裝置。
简体摘要： 一种集成半导体设备包括一基材层、形成在该基材层上之一缓冲层、形成在该缓冲层上之一氮化镓层、及形成在该氮化镓层上之一障壁层。此外，用于多数晶体管设备之欧姆接点系形成在该障壁层上。详而言之，用于第一晶体管设备之多数第一欧姆接点系形成在该障壁层之表面之一第一部份上，且用于第二晶体管设备之多数第二欧姆接点系形成在该障壁层之表面之一第二部份上。又，一或多个闸极结构形成在该障壁之表面之一第三部份上且在该等第一与第二晶体管设备之间。较佳地，该等一或多个闸极结构及在该等晶体管设备之该等闸极结构与该等源极接点之间的空间一起形成一隔离区，且该隔离区电气隔离该第一晶体管设备与该第二晶体管设备。
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公开(公告)号：TWI543368B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103123323
申请日：2014-07-07
发明人： 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特 羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 庫魯里 謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 馬豔萍 , MA, YANPING , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/76 , H01L27/0605 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786
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公开(公告)号：TW201513364A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103125845
申请日：2014-07-29
发明人： 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特 羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 馬豔萍 , MA, YANPING , 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 庫魯里 謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI , 猶哈爾 阿古斯 , JAUHAR, AGUS
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
摘要： 一種積體電路具有一基材、一緩衝層形成於基材上、一阻礙層形成於緩衝層上，以及一隔離區將一增強模式裝置與一耗盡模式裝置隔離。積體電路更包括一增強模式裝置的第一閘極接觸件設置於一閘極接觸凹部與一耗盡模式裝置的第二閘極接觸件設置於一第二閘極接觸凹部。
简体摘要： 一种集成电路具有一基材、一缓冲层形成于基材上、一阻碍层形成于缓冲层上，以及一隔离区将一增强模式设备与一耗尽模式设备隔离。集成电路更包括一增强模式设备的第一闸极接触件设置于一闸极接触凹部与一耗尽模式设备的第二闸极接触件设置于一第二闸极接触凹部。
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公开(公告)号：TWI434414B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW099110729
申请日：2010-04-07
发明人： 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 曹建軍 , CAO, JIANJUN , 趙廣元 , ZHAO, GUANG YUAN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1066 , H01L29/2003
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公开(公告)号：TWI572037B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW100146472
申请日：2011-12-15
发明人： 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 史泰登 約翰 , STRYDOM, JOHAN , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 趙廣元 , ZHAO, GUANG YUAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/761 , H01L21/76283 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L23/535 , H01L27/0605 , H01L27/0688 , H01L27/085 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/732 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/7827 , H01L29/88 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI555209B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW103125694
申请日：2014-07-28
发明人： 柯里諾 史蒂芬L , COLINO, STEPHEN L. , 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 馬豔萍 , MA, YANPING , 史瑞特瑪特 羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 迪魯吉 麥可A , DE ROOJI, MICHAEL A. , 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 庫魯里 謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI , 猶哈爾 阿古斯 , JAUHAR, AGUS
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/0642 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66462
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公开(公告)号：TWI514568B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099110730
申请日：2010-04-07
发明人： 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 趙廣元 , ZHAO, GUANG YUAN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7786
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公开(公告)号：TWI615977B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103125845
申请日：2014-07-29
发明人： 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 史瑞特瑪特 羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT , 趙廣元 , ZHAO, GUANGYUAN , 馬豔萍 , MA, YANPING , 周春華 , ZHOU, CHUNHUA , 庫魯里 謝斯海德里 , KOLLURI, SESHADRI , 劉芳昌 , LIU, FANG CHANG , 江銘崑 , CHIANG, MING KUN , 曹佳麗 , CAO, JIALI , 猶哈爾 阿古斯 , JAUHAR, AGUS
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
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公开(公告)号：TWI538208B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101103547
申请日：2012-02-03
发明人： 里道 亞力山大 , LIDOW, ALEXANDER , 畢曲 羅伯特 , BEACH, ROBERT , 納卡塔 亞雷納 , NAKATA, ALANA , 曹 建軍 , CAO, JIANJUN , 趙廣元 , ZHAO, GUANG YUAN , 史瑞特瑪特 羅伯特 , STRITTMATTER, ROBERT
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
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