公开(公告)号：TW201809648A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105126570

申请日：2016-08-19

申请人： 光合聲科技股份有限公司 ,  CHIP WIN TECHNOLOGY CO., LTD ,  余昭慶 ,  YU, CHAO CHING

发明人： 余昭慶 ,  YU, CHAO CHING ,  鍾林達 ,  CHUNG, LIN TA ,  袁禧霙 ,  YUAN, HSI YING ,  廖克槃 ,  LIAO, KE PAN

IPC分类号： G01N27/02

CPC分类号： G01N27/4145 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L2200/027 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0887 ,  G01N27/00 ,  G01N33/48707 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76 ,  H01L29/00 ,  H01L29/772

摘要： 本發明提供一種電子式生物感測器與微流體裝置的整合結構，包括：一基板，具有導電墊提供與外部電性相連；一流道層，設置於基板上方，包含一流道，以供一流體流動；一覆蓋件，設置於流道層上方，具有一第一流體入口及一第一流體出口，以供流體之流入及流出，第一流體入口及第一流體出口與流道層之流道相連接，且具有一鏤空窗口，以暴露流體；以及一電子式生物感測器，以覆晶方式設置於覆蓋件之上，電子式生物感測器具有一生物感測層，流體從第一流體入口流入，藉由流道流經電子式生物感測器之生物感測層，以進行感測，再從第一流體出口流出。

简体摘要： 本发明提供一种电子式生物传感器与微流体设备的集成结构，包括：一基板，具有导电垫提供与外部电性相连；一流道层，设置于基板上方，包含一流道，以供一流体流动；一覆盖件，设置于流道层上方，具有一第一流体入口及一第一流体出口，以供流体之流入及流出，第一流体入口及第一流体出口与流道层之流道相连接，且具有一镂空窗口，以暴露流体；以及一电子式生物传感器，以覆晶方式设置于覆盖件之上，电子式生物传感器具有一生物传感层，流体从第一流体入口流入，借由流道流经电子式生物传感器之生物传感层，以进行传感，再从第一流体出口流出。

公开(公告)号：TW201717422A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105135399

申请日：2016-11-02

申请人： 首爾偉傲世有限公司 ,  SEOUL VIOSYS CO., LTD.

发明人： 張成逵 ,  JANG, SEONG KYU ,  李圭浩 ,  LEE, KYU HO ,  尹餘鎭 ,  YOON, YEO JIN ,  印致賢 ,  IN, CHI HYUN ,  蔡鐘炫 ,  CHAE, JONG HYEON ,  趙弘錫 ,  CHO, HONG SUK

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/19107

摘要： 本發明公開一種紫外線發光裝置。本發明的第一實施例的紫外線發光裝置可以包括：基板，其具有第一面以及與第一面相對的第二面；發光結構體，其在基板的第一面形成，包括第一型半導體層、釋放紫外線光的活性層以及第二型半導體層，基板的面積與發光結構體的發光面積的比值可為6.5以下。

简体摘要： 本发明公开一种紫外线发光设备。本发明的第一实施例的紫外线发光设备可以包括：基板，其具有第一面以及与第一面相对的第二面；发光结构体，其在基板的第一面形成，包括第一型半导体层、释放紫外线光的活性层以及第二型半导体层，基板的面积与发光结构体的发光面积的比值可为6.5以下。

公开(公告)号：TW201711154A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105120165

申请日：2016-06-27

申请人： 吉林克斯公司 ,  XILINX, INC.

发明人： 鍾 磊 ,  CHONG, NUI ,  安 在璥 ,  AHN, JAE-GYUNG ,  葉 秉津 ,  YEH, PING-CHIN ,  張 慶煌 ,  CHANG, CHEANG-WHANG

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/0738 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/24

摘要： 本發明提供一種積體電路結構，其包含：一半導體基板；一位於該半導體基板中的淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，STI)區；一或更多個主動式裝置，它們被形成在該半導體基板上；以及一電阻器陣列，其具有被設置在該STI區上的複數個電阻器；其中，該電阻器陣列包括用於互連至該一或更多個主動式裝置的一或更多個互連接點層中的一部分。

简体摘要： 本发明提供一种集成电路结构，其包含：一半导体基板；一位于该半导体基板中的浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)区；一或更多个主动式设备，它们被形成在该半导体基板上；以及一电阻器数组，其具有被设置在该STI区上的复数个电阻器；其中，该电阻器数组包括用于互连至该一或更多个主动式设备的一或更多个互连接点层中的一部分。

公开(公告)号：TW201637128A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105100577

申请日：2016-01-08

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 姚皓然 ,  YIU, HO YIN ,  溫英男 ,  WEN, YING NAN ,  劉建宏 ,  LIU, CHIEN HUNG ,  李士儀 ,  LEE, SHIH YI

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/268 ,  H01L23/528 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L23/522 ,  H01L21/78 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L23/5226 ,  G06K9/0002 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種晶片封裝體，包含一晶片。晶片具有一導電墊，以及相對之一第一表面與一第二表面，其中導電墊位於第一表面。一第一穿孔自第二表面朝第一表面延伸，並暴露導電墊。一導電結構位於第二表面上與第一穿孔中，並接觸導電墊，導電結構包含一第二導電層與一雷射阻擋部分。而一第一絕緣層位於第二表面上並覆蓋導電結構，其中第一絕緣層具有相對於第二表面的一第三表面。一第二穿孔自第三表面朝第二表面延伸，並暴露雷射阻擋部分，而一第一導電層位於第三表面上與第二穿孔中，並接觸雷射阻擋部分。

简体摘要： 一种芯片封装体，包含一芯片。芯片具有一导电垫，以及相对之一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面。一第一穿孔自第二表面朝第一表面延伸，并暴露导电垫。一导电结构位于第二表面上与第一穿孔中，并接触导电垫，导电结构包含一第二导电层与一激光阻挡部分。而一第一绝缘层位于第二表面上并覆盖导电结构，其中第一绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面。一第二穿孔自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡部分，而一第一导电层位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡部分。

公开(公告)号：TW201616602A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW103137000

申请日：2014-10-27

申请人： 漢磊科技股份有限公司

发明人： 吳孝嘉 ,  WU, HSIAO CHIA ,  鄧敦仁 ,  TENG, DUN JEN ,  戴其杰 ,  DAI, CHI JEI

IPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76202 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613

摘要： 一種抑制漏電的結構及包含此結構的半導體元件。此種抑制漏電的結構包括具有第一導電型之基底、具有第一導電型之井區、隔離結構以及PN接面二極體。井區位於基底中。隔離結構位於井區上。PN接面二極體位於隔離結構上，用以抑制上述半導體元件漏電的現象。

简体摘要： 一种抑制漏电的结构及包含此结构的半导体组件。此种抑制漏电的结构包括具有第一导电型之基底、具有第一导电型之井区、隔离结构以及pn结二极管。井区位于基底中。隔离结构位于井区上。pn结二极管位于隔离结构上，用以抑制上述半导体组件漏电的现象。

公开(公告)号：TWI508299B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW103105783

申请日：2014-02-21

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  許夢舫 ,  HSU, MENG FANG ,  張宮賓 ,  CHANG, KONG PIN ,  梁家銘 ,  LIANG, CHIA MING

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7834

公开(公告)号：TW201519364A

公开(公告)日：2015-05-16

申请号：TW103123322

申请日：2014-07-07

申请人： 高效電源轉換公司 ,  EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 周春華 ,  ZHOU, CHUNHUA ,  曹 建軍 ,  CAO, JIANJUN ,  里道 亞力山大 ,  LIDOW, ALEXANDER ,  畢曲 羅伯特 ,  BEACH, ROBERT ,  納卡塔 亞雷納 ,  NAKATA, ALANA ,  史瑞特瑪特 羅伯特 ,  STRITTMATTER, ROBERT ,  趙廣元 ,  ZHAO, GUANGYUAN ,  庫魯里 謝斯海德里 ,  KOLLURI, SESHADRI ,  馬豔萍 ,  MA, YANPING ,  劉芳昌 ,  LIU, FANG CHANG ,  江銘崑 ,  CHIANG, MING KUN ,  曹佳麗 ,  CAO, JIALI

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： 一種用以形成具有一隔離區域之一增強模式GaN HFET裝置之方法，且該隔離區域自我對準一接觸開口或金屬遮罩窗。有利地，該方法不需要一專用隔離遮罩及相關程序步驟，因此減少製造成本。該方法包括提供一EPI結構，且該EPI結構包括一基材、一緩衝層、一GaN層及一障壁層。一介電層形成在該障壁層上方，且多數開口形成在該介電層中用於多數裝置接觸開口及一隔離部接觸開口。接著在該介電層上方形成一金屬層，且在各裝置接觸開口上方沈積一光阻。接著蝕刻該金屬層，以便在該隔離部接觸開口上方形成一金屬遮罩窗，且在藉由在該介電層中之隔離部接觸開口暴露之部份蝕刻該障壁及GaN層。

简体摘要： 一种用以形成具有一隔离区域之一增强模式GaN HFET设备之方法，且该隔离区域自我对准一接触开口或金属遮罩窗。有利地，该方法不需要一专用隔离遮罩及相关进程步骤，因此减少制造成本。该方法包括提供一EPI结构，且该EPI结构包括一基材、一缓冲层、一GaN层及一障壁层。一介电层形成在该障壁层上方，且多数开口形成在该介电层中用于多数设备接触开口及一隔离部接触开口。接着在该介电层上方形成一金属层，且在各设备接触开口上方沉积一光阻。接着蚀刻该金属层，以便在该隔离部接触开口上方形成一金属遮罩窗，且在借由在该介电层中之隔离部接触开口暴露之部份蚀刻该障壁及GaN层。

公开(公告)号：TW201511230A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103111952

申请日：2014-03-31

申请人： PS4盧克斯科公司 ,  PS4 LUXCO S. A. R. L.

发明人： 池淵義徳 ,  IKEBUCHI, YOSHINORI

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/10876 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/0649

摘要： 提供一種並不需要對於與字元線(WL)進行自我整合之元件分離區域施加電壓的半導體裝置。 半導體裝置之製造方法，係具備有：形成將在X方向上相鄰接之活性區域(3a)相互作了連接的形狀之假活性區域之工程；和形成犧牲膜之工程；和藉由亦包含犧牲膜地而進行蝕刻，來形成區劃出活性區域(3a)之複數之第1溝渠之工程；和在複數之第1溝渠中埋入元件分離用絕緣膜(10)，之後將上述犧牲膜除去之工程；和形成將元件分離用絕緣膜(10)之露出側面作覆蓋之第1側壁絕緣膜，並形成將此第1側壁絕緣膜之側面作覆蓋的第2側壁絕緣膜之工程；和在起因於形成了第2側壁絕緣膜一事所出現的複數之第2溝渠中埋入帽絕緣膜之工程；和在第2側壁絕緣膜之位置處形成複數之第3溝渠，並於其下部形成字元線(WL)之工程。

简体摘要： 提供一种并不需要对于与字符线(WL)进行自我集成之组件分离区域施加电压的半导体设备。 半导体设备之制造方法，系具备有：形成将在X方向上相邻接之活性区域(3a)相互作了连接的形状之假活性区域之工程；和形成牺牲膜之工程；和借由亦包含牺牲膜地而进行蚀刻，来形成区划出活性区域(3a)之复数之第1沟渠之工程；和在复数之第1沟渠中埋入组件分离用绝缘膜(10)，之后将上述牺牲膜除去之工程；和形成将组件分离用绝缘膜(10)之露出侧面作覆盖之第1侧壁绝缘膜，并形成将此第1侧壁绝缘膜之侧面作覆盖的第2侧壁绝缘膜之工程；和在起因于形成了第2侧壁绝缘膜一事所出现的复数之第2沟渠中埋入帽绝缘膜之工程；和在第2侧壁绝缘膜之位置处形成复数之第3沟渠，并于其下部形成字符线(WL)之工程。

公开(公告)号：TW201807838A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106111419

申请日：2017-04-05

申请人： 新加坡恒立私人有限公司 ,  HEPTAGON MICRO OPTICS PTE. LTD.

发明人： 余 啟川 ,  YU, QICHUAN ,  盧德曼 哈馬特 ,  RUDMANN, HARTMUT ,  王吉 ,  WANG, JI ,  黃 建森 ,  NG, KIAN SIANG ,  古瑟 賽門 ,  GUBSER, SIMON ,  伊勒斯登 詹姆士 ,  EILERTSEN, JAMES ,  加納沙巴登 桑德 ,  GNANA SAMBANDAM, SUNDAR RAMAN

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/101 ,  H01L31/147

CPC分类号： H01L33/56 ,  H01L21/76 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02164 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/005 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02288 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 晶圓級製造方法可以製造諸如光電模組的超薄光學裝置。透明封裝被施加於包括主動光學部件和晶圓尺寸基板的初始晶圓。其上，產生限定孔徑的可光結構化的光譜濾光片層。然後，產生延伸穿過透明封裝並建立中間產品的側壁的溝槽。然後，對中間產品施加不透明封裝，從而填充溝槽並產生孔徑光闌。切割穿過存在於溝槽中的不透明封裝材料，產生分割的光學模組，其中中間產品的側壁被不透明封裝材料覆蓋。在大多數製程步驟期間，晶圓尺寸的基板可以被附接到剛性載體晶圓。

简体摘要： 晶圆级制造方法可以制造诸如光电模块的超薄光学设备。透明封装被施加于包括主动光学部件和晶圆尺寸基板的初始晶圆。其上，产生限定孔径的可光结构化的光谱滤光片层。然后，产生延伸穿过透明封装并创建中间产品的侧壁的沟槽。然后，对中间产品施加不透明封装，从而填充沟槽并产生孔径光阑。切割穿过存在于沟槽中的不透明封装材料，产生分割的光学模块，其中中间产品的侧壁被不透明封装材料覆盖。在大多数制程步骤期间，晶圆尺寸的基板可以被附接到刚性载体晶圆。

公开(公告)号：TW201743409A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW106119874

申请日：2017-06-14

申请人： 宰體有限公司 ,  JT CORPORATION

发明人： 柳弘俊 ,  YOO, HONG-JUN ,  宋厚根 ,  SONG, HU GEUN

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00

摘要： 本發明涉及一種半導體晶片模組的製造方法，詳言之，係對包含貼合有多個半導體晶片的PCB層的PCB基板以半導體晶片的邊界為準進行切割，從而製造半導體晶片模組的半導體晶片模組的製造方法。本發明揭露一種半導體晶片模組的製造方法，包括：PCB基板(1)準備步驟，準備PCB基板(1)，PCB基板(1)包括PCB層(20)和玻璃層(10)，PCB層(20)貼合有執行預先設定功能的多個半導體晶片(24)，並以半導體晶片(24)為基準分割PCB層(20)，玻璃層(10)附著在PCB層20的一面；分割步驟，利用雷射光束依次切割PCB層(20)和玻璃層(10)，以半導體晶片(24)為基準按照預先設定的形狀分割的分割PCB基板(1)步驟。

简体摘要： 本发明涉及一种半导体芯片模块的制造方法，详言之，系对包含贴合有多个半导体芯片的PCB层的PCB基板以半导体芯片的边界为准进行切割，从而制造半导体芯片模块的半导体芯片模块的制造方法。本发明揭露一种半导体芯片模块的制造方法，包括：PCB基板(1)准备步骤，准备PCB基板(1)，PCB基板(1)包括PCB层(20)和玻璃层(10)，PCB层(20)贴合有运行预先设置功能的多个半导体芯片(24)，并以半导体芯片(24)为基准分割PCB层(20)，玻璃层(10)附着在PCB层20的一面；分割步骤，利用激光光束依次切割PCB层(20)和玻璃层(10)，以半导体芯片(24)为基准按照预先设置的形状分割的分割PCB基板(1)步骤。