公开(公告)号：TWI645512B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW106125739

申请日：2017-07-31

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN

IPC: H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1368

公开(公告)号：TW201735176A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105130360

申请日：2016-09-20

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  萬昌峻 ,  WAN, CHANG-CHUN ,  張煒熾 ,  CHANG, WEI-CHIH ,  吳逸蔚 ,  WU, I-WEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明提供一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，包括：在通道層上形成包含銦和鋅的金屬氧化物的第一子層；形成包含金屬的第二子層覆蓋於所述第一子層上；形成包含銦和鋅的金屬氧化物的第三子層覆蓋於所述第二子層上；所述第一子層、第二子層和第三子層蝕刻形成一凹槽貫穿所述第一子層、第二子層和第三子層,以形成通過凹槽得以間隔的源極與汲極；沿第三子層指向第一子層的方向，該凹槽的尺寸逐漸變小。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种薄膜晶体管数组基板的制造方法，包括：在信道层上形成包含铟和锌的金属氧化物的第一子层；形成包含金属的第二子层覆盖于所述第一子层上；形成包含铟和锌的金属氧化物的第三子层覆盖于所述第二子层上；所述第一子层、第二子层和第三子层蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层,以形成通过凹槽得以间隔的源极与汲极；沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。

公开(公告)号：TW201642477A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104116716

申请日：2015-05-25

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  李誌隆 ,  LEE, CHIH-LUNG ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  方國龍 ,  FANG, KUO-LUNG

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/47635 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969

Abstract: 一種薄膜電晶體包括：閘極、閘極絕緣層、導電溝道層、半導體溝道層、源極及汲極；該閘極絕緣層覆蓋於該閘極上；該導電溝道層位於該閘極絕緣層上且與該閘極對應設置；該源極及該汲極分別蓋設於該導電溝道層兩相對側；該半導體溝道層設於該源極與該導電溝道層之間及該汲極與該導電溝道層之間，以使該源極與該導電溝道層及該汲極與該導電溝道層彼此隔開；至少部分該導電溝道層顯露於該源極與該汲極之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜晶体管包括：闸极、闸极绝缘层、导电沟道层、半导体沟道层、源极及汲极；该闸极绝缘层覆盖于该闸极上；该导电沟道层位于该闸极绝缘层上且与该闸极对应设置；该源极及该汲极分别盖设于该导电沟道层两相对侧；该半导体沟道层设于该源极与该导电沟道层之间及该汲极与该导电沟道层之间，以使该源极与该导电沟道层及该汲极与该导电沟道层彼此隔开；至少部分该导电沟道层显露于该源极与该汲极之间。

公开(公告)号：TWI653614B

公开(公告)日：2019-03-11

申请号：TW107104851

申请日：2018-02-12

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 張煒熾 ,  CHANG, WEI-CHIH ,  賴寵文 ,  LAI, CHUNG-WEN ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  李國勝 ,  LEE, KUO-SHENG ,  江冠賢 ,  JIANG, KUAN-HSIEN

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36

公开(公告)号：TWI636509B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：TW105130360

申请日：2016-09-20

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  萬昌峻 ,  WAN, CHANG-CHUN ,  張煒熾 ,  CHANG, WEI-CHIH ,  吳逸蔚 ,  WU, I-WEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/4763

公开(公告)号：TWI618123B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105117103

申请日：2016-05-31

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI617012B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW105130361

申请日：2016-09-20

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  李誌隆 ,  LEE, CHIH-LUNG ,  張煒熾 ,  CHANG, WEI-CHIH ,  陸一民 ,  LU, I-MIN

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201712663A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW104131972

申请日：2015-09-30

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 魏福呈 ,  WEI, FU-CHENG ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  劉鳳翔 ,  LIU, FENG-HSIANG

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0404 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0478 ,  G09G2330/02 ,  G09G2330/027

Abstract: 本發明提供一種液晶顯示裝置及放電控制方法，當該液晶顯示裝置關機時，放電控制電路輸出控制信號到資料驅動器與公共電壓產生器，該資料驅動器停止輸出灰階電壓，多條公共電極線經該公共電壓產生器接地，以使該多個圖元電極的殘留電荷釋放。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种液晶显示设备及放电控制方法，当该液晶显示设备关机时，放电控制电路输出控制信号到数据驱动器与公共电压产生器，该数据驱动器停止输出灰阶电压，多条公共电极线经该公共电压产生器接地，以使该多个图元电极的残留电荷释放。

公开(公告)号：TWI565081B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW103146403

申请日：2014-12-31

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 方國龍 ,  FANG, KUO-LUNG ,  施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  李誌隆 ,  LEE, CHIH-LUNG

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201642478A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104117092

申请日：2015-05-28

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  李誌隆 ,  LEE, CHIH-LUNG ,  方國龍 ,  FANG, KUO-LUNG ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於基板上形成閘極及閘極絕緣層；於閘極絕緣層上覆蓋導電層；於導電層上形成第一光阻層，並以一光罩及閘極分別作為正背面曝光掩膜對第一光阻層進行正背面同時曝光以形成第一圖案化光阻層；去除未被第一圖案化光阻層覆蓋的導電層以形成導電溝道層；於導電溝道層上依次形成半導體層及第二光阻層，並以上述光罩及閘極分別作為正背面曝光掩膜對第二光阻層進行正背面同時曝光以形成第二圖案化光阻層；去除未被第二圖案化光阻層覆蓋的半導體層以形成半導體溝道層；形成源極及汲極。

Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成闸极及闸极绝缘层；于闸极绝缘层上覆盖导电层；于导电层上形成第一光阻层，并以一光罩及闸极分别作为正背面曝光掩膜对第一光阻层进行正背面同时曝光以形成第一图案化光阻层；去除未被第一图案化光阻层覆盖的导电层以形成导电沟道层；于导电沟道层上依次形成半导体层及第二光阻层，并以上述光罩及闸极分别作为正背面曝光掩膜对第二光阻层进行正背面同时曝光以形成第二图案化光阻层；去除未被第二图案化光阻层覆盖的半导体层以形成半导体沟道层；形成源极及汲极。