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    薄膜電晶體的製造方法
    5.
    发明专利
    薄膜電晶體的製造方法 审中-公开
    薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号：TW201642478A

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：TW104117092

    申请日：2015-05-28

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  李誌隆 ,  LEE, CHIH-LUNG ,  方國龍 ,  FANG, KUO-LUNG ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    Abstract: 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於基板上形成閘極及閘極絕緣層；於閘極絕緣層上覆蓋導電層；於導電層上形成第一光阻層，並以一光罩及閘極分別作為正背面曝光掩膜對第一光阻層進行正背面同時曝光以形成第一圖案化光阻層；去除未被第一圖案化光阻層覆蓋的導電層以形成導電溝道層；於導電溝道層上依次形成半導體層及第二光阻層，並以上述光罩及閘極分別作為正背面曝光掩膜對第二光阻層進行正背面同時曝光以形成第二圖案化光阻層；去除未被第二圖案化光阻層覆蓋的半導體層以形成半導體溝道層；形成源極及汲極。

    Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成闸极及闸极绝缘层；于闸极绝缘层上覆盖导电层；于导电层上形成第一光阻层，并以一光罩及闸极分别作为正背面曝光掩膜对第一光阻层进行正背面同时曝光以形成第一图案化光阻层；去除未被第一图案化光阻层覆盖的导电层以形成导电沟道层；于导电沟道层上依次形成半导体层及第二光阻层，并以上述光罩及闸极分别作为正背面曝光掩膜对第二光阻层进行正背面同时曝光以形成第二图案化光阻层；去除未被第二图案化光阻层覆盖的半导体层以形成半导体沟道层；形成源极及汲极。

    薄膜電晶體陣列基板
    9.
    发明专利
    薄膜電晶體陣列基板 审中-公开
    薄膜晶体管数组基板

    公开(公告)号：TW201737473A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW105130362

    申请日：2016-09-20

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA ,  施博理 ,  SHIH, PO-LI ,  張煒熾 ,  CHANG, WEI-CHIH ,  陸一民 ,  LU, I-MIN ,  吳逸蔚 ,  WU, I-WEI

    IPC: H01L27/12

    CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

    Abstract: 一種薄膜電晶體陣列基板，其第二導電層為多層結構，所述第二導電層形成為間隔設置的源極和汲極，第二導電層至少包含：第一子層，其位於通道層上且與所述通道層電連接；第二子層，其位於第一子層上；第三子層，其位於第二子層上；所述第一子層、第三子層包含含有銦和鋅的氧化物材料；所述第一子層中的銦鋅原子個數比大於所述第三子層中的銦鋅原子個數比；所述第二導電層中形成有一凹槽，所述第一子層和所述第三子層銦鋅原子個數比的差異影響蝕刻過程中凹槽的輪廓的形成，導致該凹槽在所述第三子層的寬度大於該凹槽在所述第一子層的寬度。

    Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜晶体管数组基板，其第二导电层为多层结构，所述第二导电层形成为间隔设置的源极和汲极，第二导电层至少包含：第一子层，其位于信道层上且与所述信道层电连接；第二子层，其位于第一子层上；第三子层，其位于第二子层上；所述第一子层、第三子层包含含有铟和锌的氧化物材料；所述第一子层中的铟锌原子个数比大于所述第三子层中的铟锌原子个数比；所述第二导电层中形成有一凹槽，所述第一子层和所述第三子层铟锌原子个数比的差异影响蚀刻过程中凹槽的轮廓的形成，导致该凹槽在所述第三子层的宽度大于该凹槽在所述第一子层的宽度。

    陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法陣列基板
    10.
    发明专利
    陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法陣列基板 审中-公开
    数组基板、显示设备及数组基板的制备方法数组基板

    公开(公告)号：TW201721720A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105117102

    申请日：2016-05-31

    Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： 高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA

    IPC: H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417

    CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    Abstract: 一種陣列基板，其包括基板、設置於基板上的第一薄膜電晶體與第二薄膜電晶體，所述第一薄膜電晶體包括第一通道層，所述第二薄膜電晶體包括第二通道層；所述陣列基板還包括第三絕緣層，所述第一通道層形成在所述基板上，所述第一通道層的材質為摻雜的多晶矽層，所述第二通道層的材質為金屬氧化物半導體；在對應該第二通道層兩側的位置分別開設有一第二汲極孔和一第二源極孔貫穿所述第三絕緣層，所述第二汲極孔與第二源極孔之間的第三絕緣層定義一保護區域以保護所述第二通道層。本發明還提供應用該陣列基板的顯示面板、顯示裝置及該陣列基板的製備方法。保護區域覆蓋所述第二通道層能夠有效保護第二通道層。

    Abstract in simplified Chinese: 一种数组基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一信道层，所述第二薄膜晶体管包括第二信道层；所述数组基板还包括第三绝缘层，所述第一信道层形成在所述基板上，所述第一信道层的材质为掺杂的多晶硅层，所述第二信道层的材质为金属氧化物半导体；在对应该第二信道层两侧的位置分别开设有一第二汲极孔和一第二源极孔贯穿所述第三绝缘层，所述第二汲极孔与第二源极孔之间的第三绝缘层定义一保护区域以保护所述第二信道层。本发明还提供应用该数组基板的显示皮肤、显示设备及该数组基板的制备方法。保护区域覆盖所述第二信道层能够有效保护第二信道层。

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