专利检索 ap:("新日鐵住金高新材料股份有限公司" OR "NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.") AND inv:"UNO, TOMOHIRO" 第 1 页

1.

发明专利
沃斯田鐵系不鏽鋼箔有权
简体标题：沃斯田铁系不锈钢箔

公开(公告)号：TWI609973B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105126257

申请日：2016-08-17

申请人： 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 海野裕人 , UNNO, HIROTO , 佐脇直哉 , SAWAKI, NAOYA , 藤本直樹 , FUJIMOTO, NAOKI , 福田將大 , FUKUDA, MASAHIRO , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO , 稻熊徹 , INAGUMA, TORU

IPC分类号： C21D9/46 , H01M2/02

CPC分类号： B32B15/08 , B32B15/18 , C21D9/46 , C22C38/00 , C22C38/58 , H01M2/02

2.

发明专利
半導體裝置用接合線审中-公开
简体标题：半导体设备用接合线

公开(公告)号：TW201738391A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105130910

申请日：2016-09-23

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 小田大造 , ODA, DAIZO , 大壁巧 , OHKABE, TAKUMI , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： C22C5/02 , H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/45139 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048

摘要： 本發明之課題在於提供一種於以Ag為主成分之半導體裝置用接合線中，實現球形接合部之充分且穩定之接合強度、於低線弧中亦不會發生頸部損傷、偏斜特性良好、FAB形狀良好之半導體裝置用接合線。為了解決上述課題，本發明之半導體裝置用接合線之特徵為總計含有0.031～0.180原子%之Be、B、P、Ca、Y、La、Ce之一種以上，進而總計含有0.05～5.00原子%之In、Ga、Cd之一種以上，其餘部分包含Ag及不可避免之雜質。藉此，可成為充分地形成球形部接合界面之金屬間化合物層而確保球形接合部之接合強度、且低線弧亦不會發生頸部損傷、偏斜特性良好、FAB形狀良好之半導體裝置用接合線。

简体摘要： 本发明之课题在于提供一种于以Ag为主成分之半导体设备用接合线中，实现球形接合部之充分且稳定之接合强度、于低线弧中亦不会发生颈部损伤、偏斜特性良好、FAB形状良好之半导体设备用接合线。为了解决上述课题，本发明之半导体设备用接合线之特征为总计含有0.031～0.180原子%之Be、B、P、Ca、Y、La、Ce之一种以上，进而总计含有0.05～5.00原子%之In、Ga、Cd之一种以上，其余部分包含Ag及不可避免之杂质。借此，可成为充分地形成球形部接合界面之金属间化合物层而确保球形接合部之接合强度、且低线弧亦不会发生颈部损伤、偏斜特性良好、FAB形状良好之半导体设备用接合线。

3.

发明专利
半導體裝置用接合線有权
简体标题：半导体设备用接合线

公开(公告)号：TWI571888B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW104130999

申请日：2015-09-18

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 小田大造 , ODA, DAIZO , 江藤基稀 , ETO, MOTOKI , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01L24/45 , B32B15/00 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/06 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43827 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45671 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01028 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/013 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01033

4.

发明专利
半導體裝置用接合導線审中-公开
简体标题：半导体设备用接合导线

公开(公告)号：TW201643890A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW104124133

申请日：2015-07-24

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02 , H01L23/48

CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013

摘要： 本發明係於具有Cu合金芯材與形成於其表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合導線，謀求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、與耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之併存。藉由於導線中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1種以上總計0.03~2質量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，進而藉由於對於接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中、相對於導線長度方向而角度差為15度以下的結晶方位之方位比率設為50%以上，且將接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.3μm，而使耐力比為1.6以下。

简体摘要： 本发明系于具有Cu合金芯材与形成于其表面之Pd被覆层之半导体设备用接合导线，谋求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、与耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之并存。借由于导线中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1种以上总计0.03~2质量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，进而借由于对于接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中、相对于导线长度方向而角度差为15度以下的结晶方位<100>之方位比率设为50%以上，且将接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.3μm，而使耐力比为1.6以下。

5.

发明专利
半導體裝置用接合導線有权
简体标题：半导体设备用接合导线

公开(公告)号：TWI562167B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW104124133

申请日：2015-07-24

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02 , H01L23/48

CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013

6.

发明专利
半導體裝置用接合導線审中-公开
简体标题：半导体设备用接合导线

公开(公告)号：TW201642279A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104131499

申请日：2015-09-23

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02 , C01G3/00

CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45664 , H01L2924/00012 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2224/45644 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01083

摘要： 本發明係提供一種對表面具有Pd被覆層之Cu接合導線改善高溫高濕環境下之球接合部之接合可靠性而適於車載裝置的接合導線。於具有Cu合金芯材與形成於其表面之Pd被覆層的半導體裝置用接合導線中，接合導線含有合計0.1~100質量ppm之As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中之1種以上之元素。藉此，可延長高溫高濕環境下之球接合部之接合壽命，改善接合可靠性。若Cu合金芯材進而含有分別為0.011~1.2質量%之Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中之1種以上，則可提高170℃以上之高溫環境下之球接合部可靠性。又，若於Pd被覆層之表面進而形成包含Au與Pd之合金表皮層，則楔形接合性改善。

简体摘要： 本发明系提供一种对表面具有Pd被覆层之Cu接合导线改善高温高湿环境下之球接合部之接合可靠性而适于车载设备的接合导线。于具有Cu合金芯材与形成于其表面之Pd被覆层的半导体设备用接合导线中，接合导线含有合计0.1~100质量ppm之As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中之1种以上之元素。借此，可延长高温高湿环境下之球接合部之接合寿命，改善接合可靠性。若Cu合金芯材进而含有分别为0.011~1.2质量%之Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中之1种以上，则可提高170℃以上之高温环境下之球接合部可靠性。又，若于Pd被覆层之表面进而形成包含Au与Pd之合金表皮层，则楔形接合性改善。