黏著標籤
    4.
    发明专利
    黏著標籤 审中-公开
    黏着标签

    公开(公告)号:TW201633271A

    公开(公告)日:2016-09-16

    申请号:TW104142829

    申请日:2015-12-18

    申请人: 傲卓公司 ARJOBEX

    IPC分类号: G09F3/02 G09F3/10 B42D25/382

    摘要: 本發明係關於一種黏著標籤(10),其包含:可印刷前片(20、22),其對IR輻射透明,用於將該標籤黏結於應用支撐物上之黏著層(25),該前片之內聚強度低於該黏著層之黏著強度,當受到該IR輻射通過該前片(20、22)照射時具有預定特性之化合物(24),在該IR輻射照射期間該化合物之電磁響應可通過該前片偵測。

    简体摘要: 本发明系关于一种黏着标签(10),其包含:可印刷前片(20、22),其对IR辐射透明,用于将该标签黏结于应用支撑物上之黏着层(25),该前片之内聚强度低于该黏着层之黏着强度,当受到该IR辐射通过该前片(20、22)照射时具有预定特性之化合物(24),在该IR辐射照射期间该化合物之电磁响应可通过该前片侦测。

    半導體關聯構件加工用薄片以及利用該薄片之晶片的製造方法
    5.
    发明专利
    半導體關聯構件加工用薄片以及利用該薄片之晶片的製造方法 审中-公开
    半导体关联构件加工用薄片以及利用该薄片之芯片的制造方法

    公开(公告)号:TW201546225A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:TW104106602

    申请日:2015-03-03

    摘要: 本發明提供一種半導體關聯構件加工用薄片以及利用該薄片之晶片的製造方法。本發明的半導體關聯構件加工用薄片(1)能夠穩定地實現:提高半導體關聯構件加工用薄片的剝離性;及利用半導體關聯構件加工用薄片,從而包括由半導體關聯構件製造之晶片之構件的可靠性不易降低,前述半導體關聯構件加工用薄片(1)包括基材(2)和設置於基材(2)的一面上方之黏著劑層(3),其中,黏著劑層(3)含有具有能量射線聚合性官能基之能量射線聚合性化合物,能量射線聚合性化合物的至少一種為具有分支構造之聚合物亦即聚合性分支聚合物,將半導體關聯構件加工用薄片(1)的黏著劑層(3)側的面貼付於矽晶圓的鏡面,並對半導體關聯構件加工用薄片(1)照射能量射線,以降低黏著劑層(3)對矽晶圓的鏡面之的黏著性,之後,將從矽晶圓剝離半導體關聯構件加工用薄片(1)而獲得之、矽晶圓中之黏貼有半導體關聯構件加工用薄片(1)之鏡面作為測定對象面,於25℃、相對濕度50%的環境下,利用水滴測定出之接觸角為40°以下。

    简体摘要: 本发明提供一种半导体关联构件加工用薄片以及利用该薄片之芯片的制造方法。本发明的半导体关联构件加工用薄片(1)能够稳定地实现:提高半导体关联构件加工用薄片的剥离性;及利用半导体关联构件加工用薄片,从而包括由半导体关联构件制造之芯片之构件的可靠性不易降低,前述半导体关联构件加工用薄片(1)包括基材(2)和设置于基材(2)的一面上方之黏着剂层(3),其中,黏着剂层(3)含有具有能量射线聚合性官能基之能量射线聚合性化合物,能量射线聚合性化合物的至少一种为具有分支构造之聚合物亦即聚合性分支聚合物,将半导体关联构件加工用薄片(1)的黏着剂层(3)侧的面贴付于硅晶圆的镜面,并对半导体关联构件加工用薄片(1)照射能量射线,以降低黏着剂层(3)对硅晶圆的镜面之的黏着性,之后,将从硅晶圆剥离半导体关联构件加工用薄片(1)而获得之、硅晶圆中之黏贴有半导体关联构件加工用薄片(1)之镜面作为测定对象面,于25℃、相对湿度50%的环境下,利用水滴测定出之接触角为40°以下。

    切割片與半導體晶片之製造方法
    10.
    发明专利
    切割片與半導體晶片之製造方法 审中-公开
    切割片与半导体芯片之制造方法

    公开(公告)号:TW201638264A

    公开(公告)日:2016-11-01

    申请号:TW105105220

    申请日:2016-02-23

    IPC分类号: C09J7/02 C09J133/08

    摘要: 本發明係關於一種切割片與半導體晶片之製造方法。其中,本發明之切割片係具有基材3與其單面上所形成的中間層2,以及中間層2之上所形成的黏接劑層1的切割片10,黏接劑層1含有分子內具有能量線硬化性雙鍵的化合物,黏接劑層1硬化前於23℃時的儲存模數G’比中間層2於23℃時的儲存模數G’大,對於黏接劑層1硬化前的切割片10,以JISZ0237:2000為基準對矽晶圓實行180°撕除的黏接力測試時,所測得的黏接力係2000mN/25mm以上,黏接劑層1硬化前於23℃時的損失因數tanδ係0.23以上。透過這種切割片10,將切割片10黏貼於半導體晶圓30上所獲得的積層體,即使在所設定的時間內靜置,也很難發生部分剝離。

    简体摘要: 本发明系关于一种切割片与半导体芯片之制造方法。其中,本发明之切割片系具有基材3与其单面上所形成的中间层2,以及中间层2之上所形成的黏接剂层1的切割片10,黏接剂层1含有分子内具有能量线硬化性双键的化合物,黏接剂层1硬化前于23℃时的存储模数G’比中间层2于23℃时的存储模数G’大,对于黏接剂层1硬化前的切割片10,以JISZ0237:2000为基准对硅晶圆实行180°撕除的黏接力测试时,所测得的黏接力系2000mN/25mm以上,黏接剂层1硬化前于23℃时的损失因子tanδ系0.23以上。透过这种切割片10,将切割片10黏贴于半导体晶圆30上所获得的积层体,即使在所设置的时间内静置,也很难发生部分剥离。