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    透過電漿輔助製程處理基板的平面內均勻性的控制方法
    5.
    发明专利
    透過電漿輔助製程處理基板的平面內均勻性的控制方法 审中-公开
    透过等离子辅助制程处理基板的平面内均匀性的控制方法

    公开(公告)号：TW201505076A

    公开(公告)日：2015-02-01

    申请号：TW103117478

    申请日：2014-05-19

    申请人： ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

    发明人： 中野竜 ,  NAKANO, RYU ,  井上尚樹 ,  INOUE, NAOKI

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32431

    摘要： 一種用於控制於一反應器中以電漿輔助製程所處理之一基板的面內均勻性的方法，包含：供應一主要氣體至一反應空間，及經由一環形槽而自該反應空間徑向排放該主要氣體；以及從由上方觀看該基板的一外圍時、在該基座的一外周邊近處的一區域供應一次要氣體至該反應空間，以至少部分流動於通過該基板的該外圍之一向內方向中，使該次要氣體的方向反轉以在該基板的該外圍附近流向該環形槽，並且經由該環形槽而從該反應空間與該主要氣體一起徑向排放該次要氣體。

    简体摘要： 一种用于控制于一反应器中以等离子辅助制程所处理之一基板的面内均匀性的方法，包含：供应一主要气体至一反应空间，及经由一环形槽而自该反应空间径向排放该主要气体；以及从由上方观看该基板的一外围时、在该基座的一外周边近处的一区域供应一次要气体至该反应空间，以至少部分流动于通过该基板的该外围之一向内方向中，使该次要气体的方向反转以在该基板的该外围附近流向该环形槽，并且经由该环形槽而从该反应空间与该主要气体一起径向排放该次要气体。

    處理裝置及閥動作確認方法
    8.
    发明专利
    處理裝置及閥動作確認方法 审中-公开
    处理设备及阀动作确认方法

    公开(公告)号：TW201346981A

    公开(公告)日：2013-11-16

    申请号：TW101151027

    申请日：2012-12-28

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 廣瀨勝人 ,  HIROSE, KATSUHITO ,  宮澤俊男 ,  MIYAZAWA, TOSHIO ,  平田俊治 ,  HIRATA, TOSHIHARU ,  田中利昌 ,  TANAKA, TOSHIMASA

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： C23C16/4551 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  F16K37/00 ,  F16K37/0041 ,  G01M13/00 ,  H03K21/00 ,  H03K21/023

    摘要： 本發明的課題是在於掌握往處理容器內供給氣體的氣體供給系統的閥的動作狀態，即時檢測出或防範於未然迴避閥的異常。其解決手段是將DO開閉計數器(421)及DI開閉計數器(423)設在比MC401還下位的控制單元之I/O板(415)，計數腔室閥(37，47，57，67)的開閉次數。根據DO開閉計數器(421)及DI開閉計數器(423)之腔室閥(37)的動作狀態是若DO開閉計數器(421)的計數值A，DI開閉計數器(423)的計數值B為A=B，則判定正常，若A≠B，則判定異常。

    简体摘要： 本发明的课题是在于掌握往处理容器内供给气体的气体供给系统的阀的动作状态，实时检测出或防范于未然回避阀的异常。其解决手段是将DO开闭计数器(421)及DI开闭计数器(423)设在比MC401还下位的控制单元之I/O板(415)，计数腔室阀(37，47，57，67)的开闭次数。根据DO开闭计数器(421)及DI开闭计数器(423)之腔室阀(37)的动作状态是若DO开闭计数器(421)的计数值A，DI开闭计数器(423)的计数值B为A=B，则判定正常，若A≠B，则判定异常。

    薄膜製作方法
    9.
    发明专利
    薄膜製作方法 失效
    薄膜制作方法

    公开(公告)号：TW209253B

    公开(公告)日：1993-07-11

    申请号：TW080107082

    申请日：1991-09-06

    申请人： 日本電氣股份有限公司 ,  亞尼爾巴股份有限公司

    发明人： 村上俊一 ,  辰巳徹 ,  明田川賢一 ,  室田裕義 ,  酒井純朗

    IPC分类号： C23C

    CPC分类号： C23C16/4551 ,  C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08

    摘要： 在真空容器內，對基板供應反應氣體分子，並在基板之表面堆積薄膜的薄膜製作方法。
    將真空容器內之壓力設成使包括於反應氣體之分子的平均自由行程（ｄ）較長於基板與真空容器之真空側露出壁之間的最短距離（Ｌ），（亦即ｄ＞Ｌ）。
    其板係設成反應氣體實質上分解反應之溫度（Ｔ sub）。
    又，真空容器的真空側露出壁之溫度（Ｔ wall)為設成更高於與包括於反應氣體之分子的分壓可維持相同之蒸汽壓力的溫度(Ｔ vap），且較低於基板之溫度（Ｔ sub）的溫度（Ｔ uap＜Ｔ wall＜Ｔ sub）。

    简体摘要： 在真空容器内，对基板供应反应气体分子，并在基板之表面堆积薄膜的薄膜制作方法。 将真空容器内之压力设成使包括于反应气体之分子的平均自由行程（ｄ）较长于基板与真空容器之真空侧露出壁之间的最短距离（Ｌ），（亦即ｄ＞Ｌ）。 其板系设成反应气体实质上分解反应之温度（Ｔ sub）。 又，真空容器的真空侧露出壁之温度（Ｔ wall)为设成更高于与包括于反应气体之分子的分压可维持相同之蒸汽压力的温度(Ｔ vap），且较低于基板之温度（Ｔ sub）的温度（Ｔ uap＜Ｔ wall＜Ｔ sub）。