公开(公告)号：TW201742946A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW106104420

申请日：2017-02-10

Applicant: 波音公司 ,  THE BOEING COMPANY

Inventor： 杭費爾德 凱斯 丹尼爾 ,  HUMFELD, KEITH DANIEL ,  斯里瓦斯塔瓦 伊堤 ,  SRIVASTAVA, ITI

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/05

CPC classification number: C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/45593 ,  C23C16/52 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/843

Abstract: 茲揭示一種用於從固體或液體原料124形成奈米碳管152的化學氣相沉積(CVD)系統100。CVD系統100包括反應器102，反應器102包括殼體120，殼體120包括入口104和出口106。殼體120定義內部122，以用於容納原料124，並且內部122容納惰性氣體148。CVD系統100包括與入口104流體連通的第一截止閥113和與出口106流體連通的第二截止閥114。第一和第二截止閥113/114密封入口104和出口106，使得當原料124進行反應時，在內部122中形成靜態環境。加熱器132將內部122加熱到使原料124被汽化的溫度，如此形成經汽化原料150。CVD系統100還包括與第一和第二閥及加熱器132連通的控制器145。控制器145被配置為選擇性地致動第一和第二閥及加熱器132。

Abstract in simplified Chinese: 兹揭示一种用于从固体或液体原料124形成奈米碳管152的化学气相沉积(CVD)系统100。CVD系统100包括反应器102，反应器102包括壳体120，壳体120包括入口104和出口106。壳体120定义内部122，以用于容纳原料124，并且内部122容纳惰性气体148。CVD系统100包括与入口104流体连通的第一截止阀113和与出口106流体连通的第二截止阀114。第一和第二截止阀113/114密封入口104和出口106，使得当原料124进行反应时，在内部122中形成静态环境。加热器132将内部122加热到使原料124被汽化的温度，如此形成经汽化原料150。CVD系统100还包括与第一和第二阀及加热器132连通的控制器145。控制器145被配置为选择性地致动第一和第二阀及加热器132。

公开(公告)号：TW201130733A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：TW099143825

申请日：2010-12-14

Applicant: 智慧太陽能有限公司

Inventor： 達塞爾 馬克W ,  蕭傑

IPC: C01B ,  C23C ,  C30B

CPC classification number: C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10742 ,  C01B33/10773 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45593

Abstract: 本發明提供用於藉由化學氣相沈積高效地、有成本效益地製造矽之系統及製程。在不必對反應副產品進行回收及外部處理之情形下回收利用該等副產品以供在該等系統及製程內使用。該等系統及製程提供資本及操作成本兩者之節省。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于借由化学气相沉积高效地、有成本效益地制造硅之系统及制程。在不必对反应副产品进行回收及外部处理之情形下回收利用该等副产品以供在该等系统及制程内使用。该等系统及制程提供资本及操作成本两者之节省。

公开(公告)号：TWI320060B

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：TW095111412

申请日：2006-03-31

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  國際商業機器股份有限公司

Inventor： 鈴木健二 ,  葛雷特J 盧森克 ,  費登R 麥菲力

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45593

Abstract: 一種羰基金屬前驅物之再生方法及系統。該方法包括：提供一包含羰基金屬前驅物之金屬前驅物蒸發系統，其中該羰基金屬前驅物含有未反應及部分反應羰基金屬前驅物；令含一氧化碳氣體流過該金屬前驅物蒸發系統而至與該金屬前驅物蒸發系統流體相通之前驅物收集系統，以將該未反應羰基金屬前驅物輸送至該前驅物收集系統；以及收集在該前驅物收集系統中之該已輸送羰基金屬前驅物。提供一種監測至少一羰基金屬前驅物參數的方法，以決定該羰基金屬前驅物之狀態及該羰基金屬前驅物之再生需求。 A method and system for refurbishing a metal carbonyl precursor. The method includes providing a metal precursor vaporization system containing a metal carbonyl precursor containing un－reacted and partially reacted metal carbonyl precursor, flowing a CO－containing gas through the metal precursor vaporization system to a precursor collection system in fluid counication with the metal precursor vaporization system to transfer the un－reacted metal carbonyl precursor vapor to the precursor collection system, and collecting the transferred metal carbonyl precursor in the precursor collection system. A method is provided for monitoring at least one metal carbonyl precursor parameter to determine a status of the metal carbonyl precursor and the need for refurbishing the metal carbonyl precursor. 【創作特點】 本發明提供一種用於將金屬層或含金屬層沉積在基板上的羰基金屬前驅物之再生方法及系統。本發明實施例允許從部分反應羰基金屬前驅物中分離出未反應羰基金屬前驅物。根據本發明一實施例，令一氧化碳氣體流過羰基金屬前驅物，以從部分反應羰基金屬前驅物中分離出並輸送該未反應羰基金屬前驅物。一氧化碳氣體容許藉由減少羰基金屬前驅物之提早熱分解而提高昇華/蒸發之溫度，藉以允許從部分反應羰基金屬前驅物中有效地分離出未反應羰基金屬前驅物。
因此在包含羰基金屬前驅物之金屬前驅物蒸發系統中，其中該羰基金屬前驅物含有未反應羰基金屬前驅物結合非期望程度之部分反應羰基金屬前驅物，該方法包括：令含一氧化碳氣體流過金屬前驅物蒸發系統而至與金屬前驅物蒸發系統流體相通之前驅物收集系統，以將未反應羰基金屬前驅物輸送至前驅物收集系統；以及收集在前驅物收集系統中之已輸送羰基金屬前驅物。
根據本發明一實施例，提供一種於一個以上之基板處理期間、在金屬前驅物蒸發系統中之羰基金屬前驅物之狀態監測方法，其用來決定在該金屬前驅物蒸發系統中之部分反應羰基金屬前驅物相對於未反應羰基金屬前驅物何時已達到一非期望程度。該方法包括：監測至少一羰基金屬前驅物參數；自該監測步驟決定該羰基金屬前驅物之狀態；當該決定步驟顯示已達到該非期望程度時，停止該處理並再生該羰基金屬前驅物。
本發明實施例可包含各式具有通式Mx(CO)y之羰基金屬前驅物。該羰基金屬包含但不侷限於W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6、Ru3(CO)12或Os3(CO)12。
根據本發明一實施例，提供了一種前驅物再生系統，其包括：一金屬前驅物蒸發系統，用以使未反應羰基金屬前驅物蒸發；一前驅物收集系統，與該金屬前驅物蒸發系統流體相通；一氣體源，用以令含一氧化碳氣體流過該金屬前驅物蒸發系統而至該前驅物收集系統；一泵抽系統，用以排空該金屬前驅物蒸發系統及該前驅物收集系統；一溫度控制系統，用以將該前驅物收集系統維持在低於該金屬前驅物蒸發系統之溫度下；以及一控制器，用以於該未反應羰基金屬前驅物輸送至該前驅物收集系統期間控制該再生系統。

Abstract in simplified Chinese: 一种羰基金属前驱物之再生方法及系统。该方法包括：提供一包含羰基金属前驱物之金属前驱物蒸发系统，其中该羰基金属前驱物含有未反应及部分反应羰基金属前驱物；令含一氧化碳气体流过该金属前驱物蒸发系统而至与该金属前驱物蒸发系统流体相通之前驱物收集系统，以将该未反应羰基金属前驱物输送至该前驱物收集系统；以及收集在该前驱物收集系统中之该已输送羰基金属前驱物。提供一种监测至少一羰基金属前驱物参数的方法，以决定该羰基金属前驱物之状态及该羰基金属前驱物之再生需求。 A method and system for refurbishing a metal carbonyl precursor. The method includes providing a metal precursor vaporization system containing a metal carbonyl precursor containing un－reacted and partially reacted metal carbonyl precursor, flowing a CO－containing gas through the metal precursor vaporization system to a precursor collection system in fluid counication with the metal precursor vaporization system to transfer the un－reacted metal carbonyl precursor vapor to the precursor collection system, and collecting the transferred metal carbonyl precursor in the precursor collection system. A method is provided for monitoring at least one metal carbonyl precursor parameter to determine a status of the metal carbonyl precursor and the need for refurbishing the metal carbonyl precursor. 【创作特点】 本发明提供一种用于将金属层或含金属层沉积在基板上的羰基金属前驱物之再生方法及系统。本发明实施例允许从部分反应羰基金属前驱物中分离出未反应羰基金属前驱物。根据本发明一实施例，令一氧化碳气体流过羰基金属前驱物，以从部分反应羰基金属前驱物中分离出并输送该未反应羰基金属前驱物。一氧化碳气体容许借由减少羰基金属前驱物之提早热分解而提高升华/蒸发之温度，借以允许从部分反应羰基金属前驱物中有效地分离出未反应羰基金属前驱物。 因此在包含羰基金属前驱物之金属前驱物蒸发系统中，其中该羰基金属前驱物含有未反应羰基金属前驱物结合非期望程度之部分反应羰基金属前驱物，该方法包括：令含一氧化碳气体流过金属前驱物蒸发系统而至与金属前驱物蒸发系统流体相通之前驱物收集系统，以将未反应羰基金属前驱物输送至前驱物收集系统；以及收集在前驱物收集系统中之已输送羰基金属前驱物。 根据本发明一实施例，提供一种于一个以上之基板处理期间、在金属前驱物蒸发系统中之羰基金属前驱物之状态监测方法，其用来决定在该金属前驱物蒸发系统中之部分反应羰基金属前驱物相对于未反应羰基金属前驱物何时已达到一非期望程度。该方法包括：监测至少一羰基金属前驱物参数；自该监测步骤决定该羰基金属前驱物之状态；当该决定步骤显示已达到该非期望程度时，停止该处理并再生该羰基金属前驱物。 本发明实施例可包含各式具有通式Mx(CO)y之羰基金属前驱物。该羰基金属包含但不局限于W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6、Ru3(CO)12或Os3(CO)12。 根据本发明一实施例，提供了一种前驱物再生系统，其包括：一金属前驱物蒸发系统，用以使未反应羰基金属前驱物蒸发；一前驱物收集系统，与该金属前驱物蒸发系统流体相通；一气体源，用以令含一氧化碳气体流过该金属前驱物蒸发系统而至该前驱物收集系统；一泵抽系统，用以排空该金属前驱物蒸发系统及该前驱物收集系统；一温度控制系统，用以将该前驱物收集系统维持在低于该金属前驱物蒸发系统之温度下；以及一控制器，用以于该未反应羰基金属前驱物输送至该前驱物收集系统期间控制该再生系统。

公开(公告)号：TW200940448A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW098106311

申请日：2009-02-27

Applicant: 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司

Inventor： 布里恩德 皮耶 ,  爾本 布魯諾 ,  夏瑞爾 亨利 ,  傑漢 丹尼絲

IPC: C01B ,  C23C

CPC classification number: C23C16/45593 ,  C01B33/043 ,  C01B33/046 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4412

Abstract: 矽烷回收方法，包含下列連續步驟：a）將純矽烷/純氫（SiH4/H2）混合物注入反應腔室內，以製造含矽薄膜；b）藉由運用入料氣體之幫浦汲取包含步驟a）中未經使用的過量矽烷與氫之混合物（SiH4/H2）；c）藉由該幫浦在接近大氣壓力之壓力下傳送包含至少矽烷（SiH4）、氫（H2）以及量不為零之該入料氣體的混合物；以及d）從步驟c）產生的混合物所產生的氫/入料氣體混合物中分離矽烷（SiH4），所獲得的該矽烷係包含少於100 ppm入料氣體，較佳少於10 ppm入料氣體且較佳少於1 ppm入料氣體，其特徵在於步驟b）所產生的至少50％、較佳70％且更佳80％的矽烷（SiH4）係於步驟d）之後再次使用於新的步驟a）。

Abstract in simplified Chinese: 硅烷回收方法，包含下列连续步骤：a）将纯硅烷/纯氢（SiH4/H2）混合物注入反应腔室内，以制造含硅薄膜；b）借由运用入料气体之帮浦汲取包含步骤a）中未经使用的过量硅烷与氢之混合物（SiH4/H2）；c）借由该帮浦在接近大气压力之压力下发送包含至少硅烷（SiH4）、氢（H2）以及量不为零之该入料气体的混合物；以及d）从步骤c）产生的混合物所产生的氢/入料气体混合物中分离硅烷（SiH4），所获得的该硅烷系包含少于100 ppm入料气体，较佳少于10 ppm入料气体且较佳少于1 ppm入料气体，其特征在于步骤b）所产生的至少50％、较佳70％且更佳80％的硅烷（SiH4）系于步骤d）之后再次使用于新的步骤a）。

公开(公告)号：TW460975B

公开(公告)日：2001-10-21

申请号：TW089104381

申请日：2000-03-10

Applicant: 東京威力科創股份有限公司

Inventor： 山崎 英亮 ,  河野 有美子 ,  久保 謙一 ,  有馬 進

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S55/15

Abstract: 本發明之目的在於保證一用以從減壓處理室排出未反應之原料氣體或反應副生成物氣體的真空泵之安定運轉，同時並可有效率地回收反應副生成物而謀求資源之有效利用及營運成本之降低。此減壓CVD裝置之構成係有：藉減壓 CVD法而用以進行銅之成膜的處理室10；對此處理室10用以供給有機銅化合物例如Cu(I)hfac TMVS作為原料氣體之原料氣體供給部12；用以使處理室10抽真空而排氣之真空排氣部14。真空排氣部14之構成係有：真空泵26；及，分別設於其前段及後段之高溫捕集裝置28及低溫捕集裝置30。在高溫捕集裝置28中，來自處理室10之排出氣體所含有的未反應Cu(l)hfac TMVS會進行分解，而被金屬銅捕捉，在低溫捕集裝置30中反應副生成物之Cu(II)(hfac)2會被捕捉。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于保证一用以从减压处理室排出未反应之原料气体或反应副生成物气体的真空泵之安定运转，同时并可有效率地回收反应副生成物而谋求资源之有效利用及营运成本之降低。此减压CVD设备之构成系有：藉减压 CVD法而用以进行铜之成膜的处理室10；对此处理室10用以供给有机铜化合物例如Cu(I)hfac TMVS作为原料气体之原料气体供给部12；用以使处理室10抽真空而排气之真空排气部14。真空排气部14之构成系有：真空泵26；及，分别设于其前段及后段之高温捕集设备28及低温捕集设备30。在高温捕集设备28中，来自处理室10之排出气体所含有的未反应Cu(l)hfac TMVS会进行分解，而被金属铜捕捉，在低温捕集设备30中反应副生成物之Cu(II)(hfac)2会被捕捉。

公开(公告)号：TWI596231B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW104107116

申请日：2015-03-06

Applicant: 梅爾柏格德國公司 ,  MEYER BURGER (GERMAMY) AG

Inventor： 施萊姆 赫爾曼 ,  SCHLEMM, HERMANN ,  克爾 米爾科 ,  KEHR, MIRKO ,  安索格 艾瑞克 ,  ANSORGE, ERIK ,  德克 丹尼爾 ,  DECKER, DANIEL

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45593 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

公开(公告)号：TW201016879A

公开(公告)日：2010-05-01

申请号：TW098127474

申请日：2009-08-14

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 馬許 尤金P ,  奎克 提姆 ,  烏倫布羅克 史帝芬 ,  卡洛絲 布蘭達

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45593

Abstract: 某些實施例包括經組態以藉由提供於一反應室之下游之一個或多個阱來收回未反應之前體之沉積系統。該等沉積系統之某些沉積系統可利用兩個或兩個以上阱，該兩個或兩個以上阱相對於彼此並聯連接且經組態以使得該等阱可交替地用於捕集前體及將所捕集之前體釋放回該反應室中。該等沉積系統之某些沉積系統可經組態以用於原子層沉積(ALD)，且某些沉積系統可經組態以用於化學氣相沉積(CVD)。

Abstract in simplified Chinese: 某些实施例包括经组态以借由提供于一反应室之下游之一个或多个阱来收回未反应之前体之沉积系统。该等沉积系统之某些沉积系统可利用两个或两个以上阱，该两个或两个以上阱相对于彼此并联连接且经组态以使得该等阱可交替地用于捕集前体及将所捕集之前体释放回该反应室中。该等沉积系统之某些沉积系统可经组态以用于原子层沉积(ALD)，且某些沉积系统可经组态以用于化学气相沉积(CVD)。

公开(公告)号：TWI278530B

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：TW092106732

申请日：2003-03-26

Applicant: 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  安內華股份有限公司 ANELVA CORPORATION ,  愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. ,  索尼公司 SONY CORPORATION ,  日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA ,  瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.

Inventor： 井克夫 KATSUO SAKAI ,  大倉誠司 SEIJI OKURA ,  村正二 MASAJI SAKAMURA ,  安部薰 KAORU ABE ,  村田等 HITOSHI MURATA ,  和仁悦夫 ETSUO WANI ,  龜田賢治 KENJI KAMEDA ,  三井有規 YUKI MITSUI ,  大平豊 YUTAKA OHIRA ,  米村泰輔 TAISUKE YONEMURA ,  關屋章 AKIRA SEKIYA

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/45593 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/02046 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本發明提供一種化學氣相沈積(CVD)裝置中的清潔方法，可有效率地除去成膜步驟時附著、堆積在反應室內壁、電極等表面之SiO2、Si3N4等副生成物，排出之清潔氣體的排出量極低，造成地球溫室效應等之對環境的影響亦較少，並可降低成本。且本發明係一種將反應氣體供應到反應室內，在配置於反應室內之基材表面上形成堆積膜之CVD裝置，其從反應室內經由幫浦排出排氣氣體之排氣路徑中配設有回流路徑，使排氣氣體從幫浦下游側回流到反應室。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种化学气相沉积(CVD)设备中的清洁方法，可有效率地除去成膜步骤时附着、堆积在反应室内壁、电极等表面之SiO2、Si3N4等副生成物，排出之清洁气体的排出量极低，造成地球温室效应等之对环境的影响亦较少，并可降低成本。且本发明系一种将反应气体供应到反应室内，在配置于反应室内之基材表面上形成堆积膜之CVD设备，其从反应室内经由帮浦排出排气气体之排气路径中配设有回流路径，使排气气体从帮浦下游侧回流到反应室。

公开(公告)号：TW200523995A

公开(公告)日：2005-07-16

申请号：TW093134804

申请日：2004-11-12

Applicant: BOC集團公司 THE BOC GROUP, INC.

Inventor： 唐諾 普仁提斯 薩契爾 二世 SATCHELL, DONALD PRENTICE JR.

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45593 ,  B01D53/68 ,  B01D53/70 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本發明提供一種選擇、使用、再生及回收用於半導體裝置製造之電漿清潔及蝕刻步驟之含氟化合物的方法。該方法包含：選擇可再生之含氟化合物，將可再生之含氟化合物工作流體用於室清潔或蝕刻，及藉由相繼的氟化與脫氟步驟來再生含氟化合物工作流體。本發明允許有效使用最具成本效益且安全的室清潔氣體而不會不利地影響環境。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种选择、使用、再生及回收用于半导体设备制造之等离子清洁及蚀刻步骤之含氟化合物的方法。该方法包含：选择可再生之含氟化合物，将可再生之含氟化合物工作流体用于室清洁或蚀刻，及借由相继的氟化与脱氟步骤来再生含氟化合物工作流体。本发明允许有效使用最具成本效益且安全的室清洁气体而不会不利地影响环境。

公开(公告)号：TW516076B

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：TW090110877

申请日：2001-05-07

Applicant: 應用材料股份有限公司

Inventor： 薩巴斯提恩羅克斯 ,  田中勉 ,  湯瑪斯諾瓦克

IPC: B01J ,  B08B ,  C23C ,  C23F ,  H01J ,  H01L

CPC classification number: C23C16/45593 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 一種製程系統，提供包括一製程反應室，及一氣體源與製程反應室結合，以供給其一氣體。一幫浦被放置在製程反應室的附近，並與製程反應室結合，以從製程反應室抽離氣體。此製程系統更進一步包括一再循環管路與幫浦結合，用以循環至少一部份從製程反應室中抽離的氣體，再回到製程反應室。同時也提供了清潔沉積反應室及蝕刻半導體基板的方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种制程系统，提供包括一制程反应室，及一气体源与制程反应室结合，以供给其一气体。一帮浦被放置在制程反应室的附近，并与制程反应室结合，以从制程反应室抽离气体。此制程系统更进一步包括一再循环管路与帮浦结合，用以循环至少一部份从制程反应室中抽离的气体，再回到制程反应室。同时也提供了清洁沉积反应室及蚀刻半导体基板的方法。