公开(公告)号：TW201816942A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106127644

申请日：2017-08-15

申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/04 ,  H01P1/20 ,  H01P7/00

摘要： 藉由磊晶地形成壓電膜於自在下面的基板開始形成之柱部的頂部表面上來製作體聲波諧振器架構。在有些情況中，聲波諧振器被製作成濾波多個頻率。在有些此類情況中，諧振器裝置在單一個基板上包含兩個不同的諧振器結構，各諧振器結構被組構成濾波所想要的頻率。在單一個RF聲波諧振器裝置中包含兩個不同的聲波諧振器致使單一個裝置能夠在相對小的占用面積尺寸上濾波兩種不同的頻率。

简体摘要： 借由磊晶地形成压电膜于自在下面的基板开始形成之柱部的顶部表面上来制作体声波谐振器架构。在有些情况中，声波谐振器被制作成滤波多个频率。在有些此类情况中，谐振器设备在单一个基板上包含两个不同的谐振器结构，各谐振器结构被组构成滤波所想要的频率。在单一个RF声波谐振器设备中包含两个不同的声波谐振器致使单一个设备能够在相对小的占用面积尺寸上滤波两种不同的频率。

公开(公告)号：TW201733012A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105137500

申请日：2016-11-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L27/0617 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H03H9/0542

摘要： 在此揭示用於形成包含射頻(RF)前端部分且可進一步包含CMOS部分之單片式積體電路半導體結構之技術。該RF前端部分包含由III族氮化物(III-N)半導體材料(諸如氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)、氮化鋁(AlN)及其化合物)來實施之元件部分，且該CMOS部分包含由選自週期表之IV族的半導體材料(諸如，矽、鍺及/或矽鍺(SiGe))來實施之CMOS邏輯元件部分。該CMOS或RF前端部分之任一者可在某程度上原生於該下層基板。該技術可被使用於例如III-N電晶體及/或RF濾波器連同IV族CMOS裝置在單一基板上之系統晶片整合。以更一般的意思而言，依照一些實施例，該技術可被使用於在單一基板上具有多種III-N元件部分之RF前端之SoC整合。

简体摘要： 在此揭示用于形成包含射频(RF)前端部分且可进一步包含CMOS部分之单片式集成电路半导体结构之技术。该RF前端部分包含由III族氮化物(III-N)半导体材料(诸如氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)及其化合物)来实施之组件部分，且该CMOS部分包含由选自周期表之IV族的半导体材料(诸如，硅、锗及/或硅锗(SiGe))来实施之CMOS逻辑组件部分。该CMOS或RF前端部分之任一者可在某程度上原生于该下层基板。该技术可被使用于例如III-N晶体管及/或RF滤波器连同IV族CMOS设备在单一基板上之系统芯片集成。以更一般的意思而言，依照一些实施例，该技术可被使用于在单一基板上具有多种III-N组件部分之RF前端之SoC集成。

公开(公告)号：TW201730975A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105135569

申请日：2016-11-02

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522

摘要： 揭示了用於增加III-N的p通道裝置，例如GaN的p通道電晶體，的表現的技術。增加的表現由對GaN的p通道施加壓縮應變得到。由磊晶生長源極/汲極材料在GaN上或中，壓縮應變施加於GaN的p通道。源極/汲極材料具有比GaN所具有的晶格常數大的晶格常數且使p通道於壓縮應變。可使用許多III-N材料系統。

简体摘要： 揭示了用于增加III-N的p信道设备，例如GaN的p信道晶体管，的表现的技术。增加的表现由对GaN的p信道施加压缩应变得到。由磊晶生长源极/汲极材料在GaN上或中，压缩应变施加于GaN的p信道。源极/汲极材料具有比GaN所具有的晶格常数大的晶格常数且使p信道于压缩应变。可使用许多III-N材料系统。

公开(公告)号：TW201730974A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105135249

申请日：2016-10-31

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ K. ,  成承訓 ,  SUNG, SEUNG HOON

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462

摘要： 所揭露為用於形成自對準電晶體結構的技術，自對準電晶體結構包含二維電子氣體(2DEG)源極/汲極尖端部位或尖端。在某些情況下，2DEG源極/汲極尖端使用極化摻雜(polarization doping)而能有例如小於20nm的超短電晶體通道長度，並產生高度導電、薄源極/汲極尖端部位於電晶體裝置中。在一些例子中，2DEG源極/汲極尖端能藉由在基礎III-V族化合物層上以及在虛擬閘極兩側的極化層的自對準再生長來形成於要實質被間隔物所覆蓋的位置中。在某些情況下，III-V族基礎層例如可包括氮化鎵(GaN)或氮化銦鎵(InGaN)，且極化層例如可包括氮化鋁銦(AlInN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN)。

简体摘要： 所揭露为用于形成自对准晶体管结构的技术，自对准晶体管结构包含二维电子气体(2DEG)源极/汲极尖端部位或尖端。在某些情况下，2DEG源极/汲极尖端使用极化掺杂(polarization doping)而能有例如小于20nm的超短晶体管信道长度，并产生高度导电、薄源极/汲极尖端部位于晶体管设备中。在一些例子中，2DEG源极/汲极尖端能借由在基础III-V族化合物层上以及在虚拟闸极两侧的极化层的自对准再生长来形成于要实质被间隔物所覆盖的位置中。在某些情况下，III-V族基础层例如可包括氮化镓(GaN)或氮化铟镓(InGaN)，且极化层例如可包括氮化铝铟(AlInN)、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN)。

公开(公告)号：TWI592993B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW105108267

申请日：2013-11-28

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M.

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI578383B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104143373

申请日：2013-09-17

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/845 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI567932B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW104128160

申请日：2013-09-17

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  雪洛姆 戈哈得 ,  SCHROM, GERHARD ,  拉歐 瓦路里 ,  RAO, VALLURI R. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L27/0805 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94

公开(公告)号：TWI544624B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW103132259

申请日：2014-09-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI544519B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW102145592

申请日：2013-12-11

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M.

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L29/7391 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66393 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201626573A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW105108518

申请日：2013-11-14

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  嘉德納 薩內斯 ,  GARDENER, SANAZ K. ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/201 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/802

摘要： III族氮化物半導體通道係形成於III族氮化物轉變層之上，且III族氮化物轉變層係形成於諸如鰭部側壁之矽模板結構的(111)或(110)表面上。在實施例中，矽鰭部具有可與更相容種晶層之III族氮化物磊晶膜厚度相比的寬度，因此可允許較低缺陷密度及/或減少之磊晶膜厚度。在實施例中，轉變層為GaN及半導體通道包含銦(In)以增加從矽鰭部偏移之導電帶。在其他實施例中，鰭部為犧牲用途，於電晶體製造期間被移除或氧化，或轉換為介電結構。在採用犧牲鰭部之若干實施例中，III族氮化物轉變層及半導體通道實質上為純GaN，因此可允許高於在矽鰭部存在時可承受之崩潰電壓。

简体摘要： III族氮化物半导体信道系形成于III族氮化物转变层之上，且III族氮化物转变层系形成于诸如鳍部侧壁之硅模板结构的(111)或(110)表面上。在实施例中，硅鳍部具有可与更兼容种晶层之III族氮化物磊晶膜厚度相比的宽度，因此可允许较低缺陷密度及/或减少之磊晶膜厚度。在实施例中，转变层为GaN及半导体信道包含铟(In)以增加从硅鳍部偏移之导电带。在其他实施例中，鳍部为牺牲用途，于晶体管制造期间被移除或氧化，或转换为介电结构。在采用牺牲鳍部之若干实施例中，III族氮化物转变层及半导体信道实质上为纯GaN，因此可允许高于在硅鳍部存在时可承受之崩溃电压。