公开(公告)号：TWI619149B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105106530

申请日：2016-03-03

Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 ,  ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 肖德元 ,  XIAO, DEYUAN ,  張 汝京 ,  CHANG, RICHARD R.

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31111

公开(公告)号：TW201722968A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW106108209

申请日：2014-09-19

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  何 理查 ,  HO, RICHARD ,  錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  麥當勞 馬修R ,  MACDONALD, MATTHEW R. ,  王美良 ,  WANG, MEILIANG

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02219 ,  C07F7/10 ,  C09D5/24 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262

Abstract: 本文描述的是一種用於製備有機胺基矽烷之方法，包括使具有R1R2NH或R1NH2的化學式之胺，其中R1係選自線性或分支C1至C10烷基、線性或分支C3至C10烯基、線性或分支C3至C10炔基、C3至C10環烷基及C5至C10芳基；其中R2係選自氫、線性或分支C1至C10烷基、線性或分支C3至C10烯基、線性或分支C3至C10炔基、C3至C10環烷基及C5至C10芳基，與選自具有以下結構中之至少其一的矽來源： ，在觸媒存在下及有或無有機溶劑的情形下反應，以提供有機胺基矽烷，其中R3和R4係獨立地選自線性或分支C1至C10伸烷基、線性或分支C3至C6伸烯基、線性或分支C3至C6伸炔基、C3至C10伸環烷基、C3至C10伸雜環烷基、C5至C10伸芳基及C5至C10伸雜芳基。

Abstract in simplified Chinese: 本文描述的是一种用于制备有机胺基硅烷之方法，包括使具有R1R2NH或R1NH2的化学式之胺，其中R1系选自线性或分支C1至C10烷基、线性或分支C3至C10烯基、线性或分支C3至C10炔基、C3至C10环烷基及C5至C10芳基；其中R2系选自氢、线性或分支C1至C10烷基、线性或分支C3至C10烯基、线性或分支C3至C10炔基、C3至C10环烷基及C5至C10芳基，与选自具有以下结构中之至少其一的硅来源： ，在触媒存在下及有或无有机溶剂的情形下反应，以提供有机胺基硅烷，其中R3和R4系独立地选自线性或分支C1至C10伸烷基、线性或分支C3至C6伸烯基、线性或分支C3至C6伸炔基、C3至C10伸环烷基、C3至C10伸杂环烷基、C5至C10伸芳基及C5至C10伸杂芳基。

公开(公告)号：TWI567943B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW102120901

申请日：2013-06-13

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  哈瑪撒帝 古賓納 ,  BHIMARASETTI, GOPINATH

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/845 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6681

公开(公告)号：TW201630198A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104132559

申请日：2015-10-02

Applicant: 愛沃特股份有限公司 ,  AIR WATER INC.

Inventor： 深澤暁 ,  FUKAZAWA, AKIRA ,  大內澄人 ,  OUCHI, SUMITO

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 本發明係一種半導體裝置及其製造方法，其中，提供可降低消耗電力之半導體裝置及其製造方法。 半導體裝置係具備：Si(矽)基板，和加以形成於Si基板表面之SiC(碳化矽)層，和加以形成於SiC層表面之AlN(氮化鋁)層，和加以形成於AlN層的表面之n型GaN(氮化鎵)層，和加以形成於GaN層的表面側之第1電極，和加以形成於Si基板(1)的背面側之第2電極。流動於第1電極與第2電極之間的電流的大小係依存於第1電極與第2電極之間的電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种半导体设备及其制造方法，其中，提供可降低消耗电力之半导体设备及其制造方法。 半导体设备系具备：Si(硅)基板，和加以形成于Si基板表面之SiC(碳化硅)层，和加以形成于SiC层表面之AlN(氮化铝)层，和加以形成于AlN层的表面之n型GaN(氮化镓)层，和加以形成于GaN层的表面侧之第1电极，和加以形成于Si基板(1)的背面侧之第2电极。流动于第1电极与第2电极之间的电流的大小系依存于第1电极与第2电极之间的电压。

公开(公告)号：TWI257142B

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：TW090130606

申请日：2001-12-11

Applicant: 奈綽內克公司 NITRONEX CORPORATION

Inventor： T. 小華倫. 威克斯 WEEKS JR., T. WARREN ,  艾德溫L. 派能 PINER, EDWIN L. ,  湯姆士 傑爾克 GEHRKE, THOMAS ,  凱文J. 林希裘 LINTHICUM, KEVIN J.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/155 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/225 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 本發明係提供半導體材料，包括形成於一矽基板上的氮化鎵材料，以及形成該半導體材料的方法。該半導體材料包括介於矽基板與氮化鎵材料層之間所形成的一過渡層(transition layer)。該過渡層以組成物分等級(compositionally-graded)以降低氮化鎵材料層中的應力，此可由介於氮化鎵材料與基板之間的熱膨脹速率的差所導致。氮化鎵材料層之應力的下降可降低裂隙形成的趨勢。因此，本發明可生產包括該幾乎不具有或者不含裂隙之氮化鎵材料層的半導體材料。該半導體材料可被用於許多微電子以及光學應用當中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供半导体材料，包括形成于一硅基板上的氮化镓材料，以及形成该半导体材料的方法。该半导体材料包括介于硅基板与氮化镓材料层之间所形成的一过渡层(transition layer)。该过渡层以组成物分等级(compositionally-graded)以降低氮化镓材料层中的应力，此可由介于氮化镓材料与基板之间的热膨胀速率的差所导致。氮化镓材料层之应力的下降可降低裂隙形成的趋势。因此，本发明可生产包括该几乎不具有或者不含裂隙之氮化镓材料层的半导体材料。该半导体材料可被用于许多微电子以及光学应用当中。

公开(公告)号：TW527631B

公开(公告)日：2003-04-11

申请号：TW090132541

申请日：2001-12-27

Applicant: 摩托羅拉公司

Inventor： 余吉怡 ,  瑞維卓納斯 卓沛德

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02543 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598

Abstract: 本發明揭示一種可覆蓋如大型矽晶圓(22)之單結晶基板生長的高品質單結晶材料磊晶層，其方式形成一柔形基板以生長一單結晶層。一種實現形成柔形基板的方法，該方法包括先在矽晶圓(22)上生長一容納緩衝層(24)。該容納緩衝層(24)是藉由一氧化矽之非結晶界面層(28)而與矽晶圓(22)分隔的單結晶氧化物層。該非結晶界面層(28)耗散應變(dissipates strain)，並准許生長高品質單結晶氧化物容納緩衝層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种可覆盖如大型硅晶圆(22)之单结晶基板生长的高品质单结晶材料磊晶层，其方式形成一柔形基板以生长一单结晶层。一种实现形成柔形基板的方法，该方法包括先在硅晶圆(22)上生长一容纳缓冲层(24)。该容纳缓冲层(24)是借由一氧化硅之非结晶界面层(28)而与硅晶圆(22)分隔的单结晶氧化物层。该非结晶界面层(28)耗散应变(dissipates strain)，并准许生长高品质单结晶氧化物容纳缓冲层。

公开(公告)号：TW201802293A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106112109

申请日：2017-04-12

Applicant: 紐富來科技股份有限公司 ,  NUFLARE TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 山田拓未 ,  YAMADA, TAKUMI ,  佐藤裕輔 ,  SATO, YUUSUKE

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262

Abstract: 實施形態的噴灑頭包括：混合室，被供給製程氣體；多個冷卻部，分別經由間隙而設置於混合室的下方，且分別在內部具有沿水平方向設置的冷卻孔，所述間隙自混合室被導入製程氣體；多個緩衝區域，設置於間隙的下方，自間隙被導入製程氣體；以及噴灑板，設置於緩衝區域的下方，以規定的間隔配置有多個貫通孔，所述多個貫通孔自緩衝區域被導入製程氣體。

Abstract in simplified Chinese: 实施形态的喷洒头包括：混合室，被供给制程气体；多个冷却部，分别经由间隙而设置于混合室的下方，且分别在内部具有沿水平方向设置的冷却孔，所述间隙自混合室被导入制程气体；多个缓冲区域，设置于间隙的下方，自间隙被导入制程气体；以及喷洒板，设置于缓冲区域的下方，以规定的间隔配置有多个贯通孔，所述多个贯通孔自缓冲区域被导入制程气体。

公开(公告)号：TWI610421B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105116272

申请日：2013-06-13

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  哈瑪撒帝 古賓納 ,  BHIMARASETTI, GOPINATH

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/845 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6681

公开(公告)号：TW201705217A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105133716

申请日：2014-09-25

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 單一鰭或一對共整合n型及p型單晶電子裝置鰭在淺凹槽隔離(STI)區之間形成之一個或一對凹槽底部從基板表面磊晶地生長。圖案化鰭並蝕刻STI區以形成鰭之高度，於STI區之蝕刻頂表面之上延伸。鰭高度可為其寬度之1.5倍。以一個或多個保形性磊晶材料磊晶地被覆暴露之側壁表面及每一鰭之頂表面以於鰭上形成裝置層。在生長鰭之前，可從基板表面生長圍包緩衝磊晶材料；及於圍包層之上形成之STI凹槽中生長鰭。該等鰭之形成減少材料介面晶格不匹配之缺陷。

Abstract in simplified Chinese: 单一鳍或一对共集成n型及p型单晶电子设备鳍在浅凹槽隔离(STI)区之间形成之一个或一对凹槽底部从基板表面磊晶地生长。图案化鳍并蚀刻STI区以形成鳍之高度，于STI区之蚀刻顶表面之上延伸。鳍高度可为其宽度之1.5倍。以一个或多个保形性磊晶材料磊晶地被覆暴露之侧壁表面及每一鳍之顶表面以于鳍上形成设备层。在生长鳍之前，可从基板表面生长围包缓冲磊晶材料；及于围包层之上形成之STI凹槽中生长鳍。该等鳍之形成减少材料界面晶格不匹配之缺陷。

公开(公告)号：TWI535729B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW103132507

申请日：2014-09-19

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  何 理查 ,  HO, RICHARD ,  錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  麥當勞 馬修 R ,  MACDONALD, MATTHEW R. ,  王美良 ,  WANG, MEILIANG

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  B65D13/00

CPC classification number: H01L21/02219 ,  C07F7/10 ,  C09D5/24 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262