公开(公告)号：TW201810428A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106118430

申请日：2017-06-03

Applicant: 恩特葛瑞斯股份有限公司 ,  ENTEGRIS, INC.

Inventor： 漢迪克斯 布萊恩 C ,  HENDRIX, BRYAN C.

IPC: H01L21/311 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 本發明係關於一種針對包括二氧化鉿(HfO2)及二氧化鋯(ZrO2)中之至少一者的氧化物材料在無該氧化物材料之電漿曝露之情況下的氣相蝕刻所述的方法。該方法涉及使該氧化物材料與包括氯化磷及氯化鎢中之至少一者的蝕刻介質接觸，在條件下產生可移除的流體反應產物以及移除該可移除的流體反應產物。可藉由使用壓力擺動、溫度擺動及/或調變氯化鉿或氯化鋯在反應中之分壓來可控地實施該蝕刻製程，例如，以達成在諸如3D NAND、亞20 nm DRAM及finFET的半導體裝置製造中的精確蝕刻移除。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种针对包括二氧化铪(HfO2)及二氧化锆(ZrO2)中之至少一者的氧化物材料在无该氧化物材料之等离子曝露之情况下的气相蚀刻所述的方法。该方法涉及使该氧化物材料与包括氯化磷及氯化钨中之至少一者的蚀刻介质接触，在条件下产生可移除的流体反应产物以及移除该可移除的流体反应产物。可借由使用压力摆动、温度摆动及/或调制氯化铪或氯化锆在反应中之分压来可控地实施该蚀刻制程，例如，以达成在诸如3D NAND、亚20 nm DRAM及finFET的半导体设备制造中的精确蚀刻移除。

公开(公告)号：TW201806020A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106117523

申请日：2017-05-26

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 法各克 賈克斯 ,  FAGUET, JACQUES ,  赫德 特瑞斯 ,  HURD, TRACE ,  布朗 意恩 ,  BROWN, IAN

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/31122

Abstract: 一種製程設備包含：一製程室，具有一基板支撐件； 一第一氣體輸送系統，用以將一第一源氣體輸送至該製程室內；一第二氣體輸送系統，用以將一第二源氣體輸送至該製程室內；一能量活化系統；及一製程電路。該製程電路係用以控制輸送該第一源氣體用的複數第一製程參數、控制輸送該第二源氣體用的複數第二製程參數、控制造成該第一源氣體和該第二源氣體與該製程室中之一或多個部件之一表面之一反應以在無電漿狀態下自該一或多個部件之該表面蝕刻一原子層用的複數製程室參數與複數能量活化系統參數、及控制自該製程室移除一或多種反應氣體用之複數真空系統參數。

Abstract in simplified Chinese: 一种制程设备包含：一制程室，具有一基板支撑件； 一第一气体输送系统，用以将一第一源气体输送至该制程室内；一第二气体输送系统，用以将一第二源气体输送至该制程室内；一能量活化系统；及一制程电路。该制程电路系用以控制输送该第一源气体用的复数第一制程参数、控制输送该第二源气体用的复数第二制程参数、控制造成该第一源气体和该第二源气体与该制程室中之一或多个部件之一表面之一反应以在无等离子状态下自该一或多个部件之该表面蚀刻一原子层用的复数制程室参数与复数能量活化系统参数、及控制自该制程室移除一或多种反应气体用之复数真空系统参数。

公开(公告)号：TWI606511B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW102144423

申请日：2013-12-04

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 陳智君 ,  CHEN, ZHIJUN ,  朴勝浩 ,  PARK, SEUNG HO ,  柯羅立克米克海爾 ,  KOROLIK, MIKHAIL ,  王安川 ,  WANG, ANCHUAN ,  英格爾尼汀K ,  INGLE, NITIN K.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244

公开(公告)号：TW201738954A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106106310

申请日：2017-02-24

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 費雪 安德里斯 ,  FISCHER, ANDREAS ,  立爾 托爾斯滕 ,  LILL, THORSTEN ,  兼內克 理查 ,  JANEK, RICHARD ,  彭尼費斯 約翰 ,  BONIFACE, JOHN

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31122 ,  C23F1/00 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334

Abstract: 本說明書提供在基板上執行原子層蝕刻(ALE, atomic layer etching)的方法，其包含下列方法操作：在該基板的表面上執行表面改質操作，該表面改質操作係安排以將該基板的表面之至少一單層轉換為經改質的層；在該基板的表面上執行移除操作，該移除操作係安排以自該基板的表面移除該經改質的層，其中經由配位基交換反應來進行移除該經改質的層之操作，該配位基交換反應係安排以使該經改質的層揮發；在該移除操作之後，在該基板的表面上執行電漿處理，該電漿處理係安排以自該基板的表面移除由該移除操作所產生的殘留物，其中藉由該電漿處理而使該殘留物揮發；重複該等前述操作直至已自該基板的表面蝕刻預定的厚度為止。

Abstract in simplified Chinese: 本说明书提供在基板上运行原子层蚀刻(ALE, atomic layer etching)的方法，其包含下列方法操作：在该基板的表面上运行表面改质操作，该表面改质操作系安排以将该基板的表面之至少一单层转换为经改质的层；在该基板的表面上运行移除操作，该移除操作系安排以自该基板的表面移除该经改质的层，其中经由配位基交换反应来进行移除该经改质的层之操作，该配位基交换反应系安排以使该经改质的层挥发；在该移除操作之后，在该基板的表面上运行等离子处理，该等离子处理系安排以自该基板的表面移除由该移除操作所产生的残留物，其中借由该等离子处理而使该残留物挥发；重复该等前述操作直至已自该基板的表面蚀刻预定的厚度为止。

公开(公告)号：TWI595528B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW102139963

申请日：2013-11-04

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 木原嘉英 ,  KIHARA, YOSHIHIDE ,  川又誠也 ,  KAWAMATA, MASAYA ,  芳賀俊雄 ,  HAGA, TOSHIO

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H05H2001/4682

公开(公告)号：TW201718942A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105131640

申请日：2016-09-30

Applicant: 液態空氣喬治斯克勞帝方法硏究開發股份有限公司 ,  L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

Inventor： 蘭薩洛 馬特拉斯 克雷門 ,  李柱澔 ,  LEE, JOOHO ,  吉拉德 珍 馬克 ,  GIRARD, JEAN-MARC ,  布拉斯寇 尼可拉斯 ,  BLASCO, NICOLAS ,  加提紐諭子 ,  GATINEAU, SATOKO

IPC: C23F1/12 ,  H01L21/311

CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67069

Abstract: 本發明揭示使用具有式MFx(加合物)n之氟化反應物自基板移除層之方法，其中x在2至6範圍內(包括端點)；n在0至5範圍內(包括端點)；M係選自由以下組成之群：P、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo及W；且該加合物為中性有機分子，其選自THF、二甲醚、二乙醚、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、聚乙二醇二甲醚、二甲硫、二乙硫或甲基氰。該等氟化反應物無需利用任何電漿即可乾式蝕刻氮化物層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示使用具有式MFx(加合物)n之氟化反应物自基板移除层之方法，其中x在2至6范围内(包括端点)；n在0至5范围内(包括端点)；M系选自由以下组成之群：P、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo及W；且该加合物为中性有机分子，其选自THF、二甲醚、二乙醚、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、聚乙二醇二甲醚、二甲硫、二乙硫或甲基氰。该等氟化反应物无需利用任何等离子即可干式蚀刻氮化物层。

公开(公告)号：TWI562227B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW101133343

申请日：2012-09-12

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 珍 阿密特 ,  JAIN, AMIT ,  符 謙 ,  FU, QIAN ,  李原鐵 ,  LEE, WONCHUL

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137

公开(公告)号：TWI559394B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW101139615

申请日：2012-10-26

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 勝沼隆幸 ,  KATSUNUMA, TAKAYUKI ,  本田昌伸 ,  HONDA, MASANOBU ,  久保田和宏 ,  KUBOTA, KAZUHIRO ,  市川裕展 ,  ICHIKAWA, HIRONOBU

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

公开(公告)号：TW201635383A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104143036

申请日：2015-12-22

Applicant: 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： 貝里三世 伊凡 L ,  BERRY III, IVAN L. ,  朴弼延 ,  PARK, PILYEON ,  雅各布 費薩爾 ,  YAQOOB, FAISAL

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144

Abstract: 本說明書提供用於在具有原子尺度之保真度之情況下受控制地同向性蝕刻矽氧化物層及鍺氧化物層的方法。該方法利用氧化物表面之NO活化作用。一旦活化後，含氟氣體或蒸氣即蝕刻該活化表面。蝕刻係自身限制的，如一旦移除該活化表面，由於氟物種並不會自發性地與未活化之氧化物表面反應，因此蝕刻停止。該等方法可用於內連線預潔淨應用、閘極介電層處理、記憶體裝置生產、或需要準確移除一或多個原子層之材料的任何其他應用中。

Abstract in simplified Chinese: 本说明书提供用于在具有原子尺度之保真度之情况下受控制地同向性蚀刻硅氧化物层及锗氧化物层的方法。该方法利用氧化物表面之NO活化作用。一旦活化后，含氟气体或蒸气即蚀刻该活化表面。蚀刻系自身限制的，如一旦移除该活化表面，由于氟物种并不会自发性地与未活化之氧化物表面反应，因此蚀刻停止。该等方法可用于内连接预洁净应用、闸极介电层处理、内存设备生产、或需要准确移除一或多个原子层之材料的任何其他应用中。

公开(公告)号：TW201618186A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104125330

申请日：2015-08-05

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 莫漢蒂 尼哈爾 ,  MOHANTY, NIHAR

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

Abstract: 本揭露內容係關於用於多步驟電漿製程，用以自下層硬遮罩層移除金屬硬遮罩層的方法，該方法可用於實施次微影整合法。該次微影整合法可包含反覆地將數個特徵部圖案化至該金屬硬遮罩層中，其可轉移至該硬遮罩層。然而，該反覆的過程可能在該金屬硬遮罩上留下先前的膜之殘留物，該殘留物可能作為微型遮罩，其可能妨礙該圖案轉移至該硬遮罩層。移除該微型遮罩的方法可為：使用兩步驟之電漿製程，其使用含碳氣體及含氯氣體的第一氣體混合物比率來移除該微型遮罩。而該剩餘之金屬硬遮罩層可使用該含碳氣體及該含氯氣體的第二氣體混合物比率來移除。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露内容系关于用于多步骤等离子制程，用以自下层硬遮罩层移除金属硬遮罩层的方法，该方法可用于实施次微影集成法。该次微影集成法可包含反复地将数个特征部图案化至该金属硬遮罩层中，其可转移至该硬遮罩层。然而，该反复的过程可能在该金属硬遮罩上留下先前的膜之残留物，该残留物可能作为微型遮罩，其可能妨碍该图案转移至该硬遮罩层。移除该微型遮罩的方法可为：使用两步骤之等离子制程，其使用含碳气体及含氯气体的第一气体混合物比率来移除该微型遮罩。而该剩余之金属硬遮罩层可使用该含碳气体及该含氯气体的第二气体混合物比率来移除。