公开(公告)号：TWI618129B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105125250

申请日：2016-08-09

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

公开(公告)号：TW201703130A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105105685

申请日：2016-02-25

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 夏爾馬維賈伊班 ,  SHARMA, VIJAY BHAN ,  阿奈巴里蘭卡拉歐 ,  ARNEPALLI, RANGA RAO ,  葛拉迪亞皮耶納 ,  GORADIA, PRERNA ,  維瑟爾羅伯特詹 ,  VISSER, ROBERT JAN

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/32135 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6838

摘要： 本文提供用於選擇性地相對於暴露的或下方的介電或金屬層移除金屬氮化物的改良方法和設備。在一些實施例中，一種蝕刻基板頂上的金屬氮化物層的方法包括以下步驟：(a)氧化金屬氮化物層以在該金屬氮化物層之表面形成金屬氮氧化物層(MN1-xOx)，其中M為鈦或鉭中之一者並且x為從0.05至0.95的整數；以及(b)使該金屬氮氧化物層(MN1-xOx)暴露於處理氣體，其中該金屬氮氧化物層(MN1-xOx)與該處理氣體反應以形成揮發性化合物，該揮發性化合物從該金屬氮化物層的該表面脫附。

简体摘要： 本文提供用于选择性地相对于暴露的或下方的介电或金属层移除金属氮化物的改良方法和设备。在一些实施例中，一种蚀刻基板顶上的金属氮化物层的方法包括以下步骤：(a)氧化金属氮化物层以在该金属氮化物层之表面形成金属氮氧化物层(MN1-xOx)，其中M为钛或钽中之一者并且x为从0.05至0.95的整数；以及(b)使该金属氮氧化物层(MN1-xOx)暴露于处理气体，其中该金属氮氧化物层(MN1-xOx)与该处理气体反应以形成挥发性化合物，该挥发性化合物从该金属氮化物层的该表面脱附。

公开(公告)号：TW201428973A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102141385

申请日：2013-11-14

申请人： 國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY

发明人： 大見忠弘 ,  OHMI, TADAHIRO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC分类号： C25D11/04 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明的課題是在於簡便地提供一種高效率，可生產管理且可節省成本的高耐久性的電氣絕緣膜。本發明是以添加鎂，鋯及鈰之鋁合金的陽極氧化膜來構成電氣絕緣膜。

简体摘要： 本发明的课题是在于简便地提供一种高效率，可生产管理且可节省成本的高耐久性的电气绝缘膜。本发明是以添加镁，锆及铈之铝合金的阳极氧化膜来构成电气绝缘膜。

公开(公告)号：TW201330102A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW102111448

申请日：2009-03-13

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 曼尼拉傑許 ,  MANI, RAJESH ,  譚諾曼 ,  TAM, NORMAN ,  韋德曼堤摩西W ,  WEIDMAN, TIMOTHY W. ,  橫田義孝 ,  YOKOTA, YOSHITAKA

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/32105

摘要： 這裡提供在一半導體基板上製造氧化層之方法。氧化層可形成在一基板上之一完整結構上，或選擇性地形成在一含非金屬層上，而極少量或未氧化一曝露的含金屬層。本文披露的方法可在不同的製程腔室中執行，包括但不限於解耦電漿氧化腔室、快速和/或遠端電漿氧化腔室、和/或電漿浸沒離子佈植腔室。在一些實施例中，一方法可提供一基板，該基板包含一含金屬層和一含非金屬層；和藉由將該基板曝露至一電漿，在該含非金屬層的一曝露表面上形成一氧化層，該電漿是由包括下列氣體的一製程氣體所形成：一含氫氣體、一含氧氣體、及下列至少一者：一補充含氧氣體或一含氮氣體。

简体摘要： 这里提供在一半导体基板上制造氧化层之方法。氧化层可形成在一基板上之一完整结构上，或选择性地形成在一含非金属层上，而极少量或未氧化一曝露的含金属层。本文披露的方法可在不同的制程腔室中运行，包括但不限于解耦等离子氧化腔室、快速和/或远程等离子氧化腔室、和/或等离子浸没离子布植腔室。在一些实施例中，一方法可提供一基板，该基板包含一含金属层和一含非金属层；和借由将该基板曝露至一等离子，在该含非金属层的一曝露表面上形成一氧化层，该等离子是由包括下列气体的一制程气体所形成：一含氢气体、一含氧气体、及下列至少一者：一补充含氧气体或一含氮气体。

公开(公告)号：TW201126578A

公开(公告)日：2011-08-01

申请号：TW099129042

申请日：2010-08-30

申请人： 格羅方德半導體公司

发明人： 拜爾 斯文 ,  卡特 瑞克 ,  黑爾米希 安德烈斯 ,  瑞媚爾 貝斯歐德

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02244 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

摘要： 在半導體裝置中,氮化鈦材料的完整性可在形成薄氮化矽基材料後,藉由令材料曝露於氧電漿而增加。氧電漿可導致未由氮化矽基材料適當地覆蓋之任何微小表面部分額外的鈍化。因此,有效清除配方,例如,基於SPM的清除製程,可在額外鈍化後執行,而不會有氮化鈦材料過度的材料損失。以此方式,精密的高介電係數金屬閘極堆疊可基於有效率的清除製程而形成為具有非常薄之保護性襯墊材料,而不會在早期製造階段中不適當地造成顯著的產量損失。

简体摘要： 在半导体设备中,氮化钛材料的完整性可在形成薄氮化硅基材料后,借由令材料曝露于氧等离子而增加。氧等离子可导致未由氮化硅基材料适当地覆盖之任何微小表面部分额外的钝化。因此,有效清除配方,例如,基于SPM的清除制程,可在额外钝化后运行,而不会有氮化钛材料过度的材料损失。以此方式,精密的高介电系数金属闸极堆栈可基于有效率的清除制程而形成为具有非常薄之保护性衬垫材料,而不会在早期制造阶段中不适当地造成显着的产量损失。

公开(公告)号：TW200915546A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：TW097135900

申请日：2007-09-21

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 江口晉吾 EGUCHI, SHINGO ,  門馬洋平 MONMA, YOHEI ,  谷敦弘 TANI, ATSUHIRO ,  廣末美佐子 HIROSUE, MISAKO ,  橋本健一 HASHIMOTO, KENICHI ,  保泰靖 HOSAKA, YASUHARU

IPC分类号： H01L ,  G02F

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

摘要： 本發明的目的在於當從基底剝離包括半導體元件的元件形成層時,抑制因剝離而產生的靜電的放電。在基底上形成剝離層、元件形成層。之後能夠剝離的支撐基材係固定在元件形成層的上表面。藉由支撐基材改變元件形成層的形狀,來使在元件形成層和剝離層之間的介面產生剝離。在進行剝離時,供應液體,以便藉由諸如純水等的液體濡濕因剝離而逐步露出的元件形成層及剝離層。產生在元件形成層及剝離層的表面的電荷由液體擴散,從而可以消除因剝離帶電的放電。

简体摘要： 本发明的目的在于当从基底剥离包括半导体组件的组件形成层时,抑制因剥离而产生的静电的放电。在基底上形成剥离层、组件形成层。之后能够剥离的支撑基材系固定在组件形成层的上表面。借由支撑基材改变组件形成层的形状,来使在组件形成层和剥离层之间的界面产生剥离。在进行剥离时,供应液体,以便借由诸如纯水等的液体濡湿因剥离而逐步露出的组件形成层及剥离层。产生在组件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散,从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：TW200423399A

公开(公告)日：2004-11-01

申请号：TW092135667

申请日：2003-12-16

申请人： 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 康赫洙 KANG, HYEOK SU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02244 ,  C23C8/02 ,  C23C8/80 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本發明係關於一種使用高介電材料製備半導體元件的方法。該方法之步驟包括：在矽基板上形成一層鉿薄膜；經由實施氧化製程將鉿薄膜氧化；及在氧化製程之後實施退火製程，因此形成在矽基板上含有一層氧化矽鉿(HfSixOy)薄膜和一層二氧化鉿(HfO2)薄膜之閘氧化膜，其中“X”的值為0.4～0.6，“Y”的值為1.5～2.5。由於使用比二氧化矽更厚的高介電材料–二氧化鉿，因此可以防止二氧化矽之直接穿隧所造成之漏電流。

简体摘要： 本发明系关于一种使用高介电材料制备半导体组件的方法。该方法之步骤包括：在硅基板上形成一层铪薄膜；经由实施氧化制程将铪薄膜氧化；及在氧化制程之后实施退火制程，因此形成在硅基板上含有一层氧化硅铪(HfSixOy)薄膜和一层二氧化铪(HfO2)薄膜之闸氧化膜，其中“X”的值为0.4～0.6，“Y”的值为1.5～2.5。由于使用比二氧化硅更厚的高介电材料–二氧化铪，因此可以防止二氧化硅之直接穿隧所造成之漏电流。

公开(公告)号：TW201807778A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106105906

申请日：2017-02-22

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 張洵淵 ,  ZHANG, XUNYUAN ,  蒙特 法蘭克W ,  MONT, FRANK W. ,  萊恩 埃羅爾 特德 ,  RYAN, ERROL TODD

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53295

摘要： 本發明提供製造積體電路裝置以形成低電阻率互連之裝置及方法。一種方法包括例如：獲得中間半導體互連裝置，該中間半導體互連裝置具有基板、覆蓋層，以及包括一組溝槽及一組通孔的介電矩陣；沿該半導體互連裝置的頂部表面沉積阻擋層；在該阻擋層的頂部表面上方沉積並退火金屬互連材料，其中，該金屬互連材料填充該組溝槽及該組通孔；平坦化該中間半導體互連裝置的頂部表面；暴露該組溝槽與該組通孔之間的該阻擋層的一部分；以及沉積介電覆蓋層。本發明還揭露通過該方法形成的中間裝置。

简体摘要： 本发明提供制造集成电路设备以形成低电阻率互连之设备及方法。一种方法包括例如：获得中间半导体互连设备，该中间半导体互连设备具有基板、覆盖层，以及包括一组沟槽及一组通孔的介电矩阵；沿该半导体互连设备的顶部表面沉积阻挡层；在该阻挡层的顶部表面上方沉积并退火金属互连材料，其中，该金属互连材料填充该组沟槽及该组通孔；平坦化该中间半导体互连设备的顶部表面；暴露该组沟槽与该组通孔之间的该阻挡层的一部分；以及沉积介电复盖层。本发明还揭露通过该方法形成的中间设备。

公开(公告)号：TWI579918B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW105111311

申请日：2016-04-12

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 桑末薇拉 馬克 H ,  SOMERVELL, MARK H. ,  盧斯薩克 班傑明 M ,  RATHSACK, BENJAMEN M.

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31133

公开(公告)号：TWI567979B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW105119553

申请日：2016-06-22

申请人： 大中積體電路股份有限公司 ,  SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 李柏賢 ,  LI, PO HSIEN ,  楊國良 ,  YANG, GUO LIANG ,  林偉捷 ,  LIN, WEI CHIEH ,  林家福 ,  LIN, JIA FU

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/513 ,  H01L29/515 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8725