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公开(公告)号：TWI650807B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106109466
申请日：2017-03-22
Inventor： 邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
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公开(公告)号：TW201742081A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106101345
申请日：2017-01-16
Inventor： 邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 邱建嘉 , CHIU, CHIEN-CHIA , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 余佩弟 , YU, PEI-TI
IPC: H01B5/14
CPC classification number: H01L23/5386 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311
Abstract: 一種導電圖案，其包括：導電墊，包括圓形墊部及連接至圓形墊部的第一收斂部，第一收斂部具有一對不平行的第一邊緣，不平行的第一邊緣界定第一錐度角，且不平行的第一邊緣由圓形墊部的一對不平行的第一切線界定；以及緩衝延伸部，連接至導電墊的第一收斂部，緩衝延伸部至少包括具有一對不平行的第二邊緣的第二收斂部，不平行的第二邊緣界定第二錐度角，第一錐度角大於或等於第二錐度角。
Abstract in simplified Chinese: 一种导电图案，其包括：导电垫，包括圆形垫部及连接至圆形垫部的第一收敛部，第一收敛部具有一对不平行的第一边缘，不平行的第一边缘界定第一锥度角，且不平行的第一边缘由圆形垫部的一对不平行的第一切线界定；以及缓冲延伸部，连接至导电垫的第一收敛部，缓冲延伸部至少包括具有一对不平行的第二边缘的第二收敛部，不平行的第二边缘界定第二锥度角，第一锥度角大于或等于第二锥度角。
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公开(公告)号：TW201711194A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105120017
申请日：2016-06-24
Inventor： 彭彥明 , PENG, YEN MING , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH , 許一如 , HSU, YI JU , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI
IPC: H01L29/41 , H01L29/43 , H01L29/772 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 鰭式場效電晶體元件包含基板、形成於基板上之鰭，及跨過鰭之閘電極。閘電極包含頭部部分及尾部部分。尾部部分與頭部部分連接且延伸向基板。頭部部分之寬度大於尾部部分之寬度。
Abstract in simplified Chinese: 鳍式场效应管组件包含基板、形成于基板上之鳍，及跨过鳍之闸电极。闸电极包含头部部分及尾部部分。尾部部分与头部部分连接且延伸向基板。头部部分之宽度大于尾部部分之宽度。
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公开(公告)号：TWI624906B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW105102033
申请日：2016-01-22
Inventor： 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI , 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH , 周俊豪 , CHOU, CHUN HAO , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG , 鄭允瑋 , CHENG, YUN WEI
IPC: H01L21/762 , H01L27/146
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公开(公告)号：TW201742203A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105124753
申请日：2016-08-04
Inventor： 邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC: H01L23/31
CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/31053 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/06 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/059 , H01L2924/06 , H01L2924/07025 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2924/014
Abstract: 一種整合扇出型封裝，其包括積體電路、絕緣包封體、多個導電通孔以及重配置線路結構。積體電路包括多個導電端子。絕緣包封體包覆積體電路的側壁。導電通孔貫穿絕緣包封體。重配置線路結構被配置於積體電路、導電通孔以及絕緣包封體上。重配置線路結構電性連接導電端子以及導電通孔。導電端子的多個第一接觸表面以及導電通孔的多個第二接觸表面與重配置線路結構接觸，且第一接觸表面以及第二接觸表面的粗糙度介於100埃到500埃之間。本發明實施例亦提供形成整合扇出型封裝的方法。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成扇出型封装，其包括集成电路、绝缘包封体、多个导电通孔以及重配置线路结构。集成电路包括多个导电端子。绝缘包封体包覆集成电路的侧壁。导电通孔贯穿绝缘包封体。重配置线路结构被配置于集成电路、导电通孔以及绝缘包封体上。重配置线路结构电性连接导电端子以及导电通孔。导电端子的多个第一接触表面以及导电通孔的多个第二接触表面与重配置线路结构接触，且第一接触表面以及第二接触表面的粗糙度介于100埃到500埃之间。本发明实施例亦提供形成集成扇出型封装的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201740443A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106109466
申请日：2017-03-22
Inventor： 邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/31053 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76895 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/1032 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19102 , H01L2224/214
Abstract: 一種封裝體的形成方法包括：形成覆蓋晶圓中的金屬通孔的聚合物層；對所述晶圓開槽，以形成溝槽，所述溝槽從所述聚合物層的頂表面延伸至所述晶圓中；以及在所述晶圓上執行晶粒切割，以將所述晶圓分割為多個元件晶粒。切口穿過所述溝槽。將所述元件晶粒中的一者放置在載體上方。將包封材料施配在所述元件晶粒上方和周圍。所述方法更包括按壓和固化所述包封材料。在所述包封材料固化之後，所述聚合物層的側壁傾斜。對所述包封材料執行平坦化至所述聚合物層和所述金屬通孔暴露出來。將重分佈線形成在所述金屬通孔上方且電耦合至所述金屬通孔。
Abstract in simplified Chinese: 一种封装体的形成方法包括：形成覆盖晶圆中的金属通孔的聚合物层；对所述晶圆开槽，以形成沟槽，所述沟槽从所述聚合物层的顶表面延伸至所述晶圆中；以及在所述晶圆上运行晶粒切割，以将所述晶圆分割为多个组件晶粒。切口穿过所述沟槽。将所述组件晶粒中的一者放置在载体上方。将包封材料施配在所述组件晶粒上方和周围。所述方法更包括按压和固化所述包封材料。在所述包封材料固化之后，所述聚合物层的侧壁倾斜。对所述包封材料运行平坦化至所述聚合物层和所述金属通孔暴露出来。将重分布线形成在所述金属通孔上方且电耦合至所述金属通孔。
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公开(公告)号：TW201721744A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105121426
申请日：2016-07-06
Inventor： 李智聖 , LI, CHIH SHENG , 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC: H01L21/311 , H01L21/3115 , H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/311 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31155 , H01L21/823481 , H01L21/823493 , H01L21/823821 , H01L21/823892 , H01L27/0886 , H01L27/0924
Abstract: 一種半導體裝置包含基板、第一絕緣結構、第二絕緣結構、至少一第一主動半導體鰭與至少一第二主動半導體鰭。第一絕緣結構與第二絕緣結構置於基板上。第一主動半導體鰭置於基板上且具有自第一絕緣結構突出的突出部分。第二主動半導體鰭置於基板上且具有自第二絕緣結構突出的突出部分。第一主動半導體鰭之突出部分與第二主動半導體鰭之突出部分具有不同的高度。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含基板、第一绝缘结构、第二绝缘结构、至少一第一主动半导体鳍与至少一第二主动半导体鳍。第一绝缘结构与第二绝缘结构置于基板上。第一主动半导体鳍置于基板上且具有自第一绝缘结构突出的突出部分。第二主动半导体鳍置于基板上且具有自第二绝缘结构突出的突出部分。第一主动半导体鳍之突出部分与第二主动半导体鳍之突出部分具有不同的高度。
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公开(公告)号：TW201712876A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105128822
申请日：2016-09-06
Inventor： 張家銘 , CHANG, CHIA MING , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH , 李政鍵 , LI, CHENG CHIEN
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/0847 , H01L29/41791 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 一種半導體元件包含一基材、至少一半導體鰭片以及至少一磊晶結構。半導體鰭片位於基材上。半導體鰭片具有至少一凹陷於其上。磊晶結構位於半導體鰭片之凹陷中。磊晶結構之一最頂位置的n型雜質濃度低於磊晶結構之一位置的n型雜質濃度，其中此位置係低於最頂位置。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含一基材、至少一半导体鳍片以及至少一磊晶结构。半导体鳍片位于基材上。半导体鳍片具有至少一凹陷于其上。磊晶结构位于半导体鳍片之凹陷中。磊晶结构之一最顶位置的n型杂质浓度低于磊晶结构之一位置的n型杂质浓度，其中此位置系低于最顶位置。
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公开(公告)号：TW201711195A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105120574
申请日：2016-06-29
Inventor： 李智聖 , LI, CHIH SHENG , 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L21/3081 , H01L21/31 , H01L27/10879 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/7831 , H01L29/785 , H01L29/786
Abstract: 半導體裝置包含基板、至少一主動半導體鰭、至少一第一偽半導體鰭與至少一第二偽半導體鰭。主動半導體鰭置於基板上。第一偽半導體鰭置於基板上。第二偽半導體鰭置於基板上以及主動半導體鰭與第一偽半導體鰭之間。第一偽半導體鰭之頂表面與第二偽半導體鰭之頂表面向不同的方向彎曲。
Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包含基板、至少一主动半导体鳍、至少一第一伪半导体鳍与至少一第二伪半导体鳍。主动半导体鳍置于基板上。第一伪半导体鳍置于基板上。第二伪半导体鳍置于基板上以及主动半导体鳍与第一伪半导体鳍之间。第一伪半导体鳍之顶表面与第二伪半导体鳍之顶表面向不同的方向弯曲。
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公开(公告)号：TWI427782B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099131949
申请日：2010-09-21
Inventor： 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH , 王昭雄 , WANG, CHAO HSIUNG
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L33/502 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/504 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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