公开(公告)号：TW201801299A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105119178

申请日：2016-06-17

Applicant: 優顯科技股份有限公司 ,  ULTRA DISPLAY TECHNOLOGY CORP.

Inventor： 陳顯德 ,  CHEN, HSIEN TE

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L25/167 ,  G06K9/0004 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1214 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/173 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/36 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62

Abstract: 本發明揭露一種光電半導體裝置。光電半導體裝置包括一磊晶基材以及多數個微尺寸光電半導體元件。該些微尺寸光電半導體元件間隔設置於磊晶基材的一表面，各該些微尺寸光電半導體元件的邊長分別介於1微米與100微米之間，且兩相鄰該些微尺寸光電半導體元件的最小間距為1微米。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种光电半导体设备。光电半导体设备包括一磊晶基材以及多数个微尺寸光电半导体组件。该些微尺寸光电半导体组件间隔设置于磊晶基材的一表面，各该些微尺寸光电半导体组件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两相邻该些微尺寸光电半导体组件的最小间距为1微米。

公开(公告)号：TW201723151A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105117371

申请日：2016-06-02

Applicant: 奈米層級公司 ,  NANOGRADE AG

Inventor： 路琴爾 諾曼 ,  LUCHINGER, NORMAN ALBERT ,  奧茲札卡 馬瑞克 ,  OSZAJCA, MAREK

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/74 ,  B01J2/00 ,  H01L33/50 ,  C09D11/50 ,  H01L33/44 ,  H01L51/50 ,  G02F1/13357

CPC classification number: C09K11/665 ,  B01J2/00 ,  C01G21/006 ,  C09D11/50 ,  C09K11/025 ,  C09K11/616 ,  H01L31/02322 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本發明係關於發光晶體(LC)領域，更特定地係關於式M1aM2bXc之量子點(QD)領域，其中，該等取代基係如說明書所定義。本發明提供製造此等發光晶體之方法，特別是藉由在液體存在下分散合適的起始材料以及藉由研磨球的幫助；關於包含發光晶體之組成物，及關於電子裝置、裝飾塗層；以及關於包含發光晶體之中間品。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于发光晶体(LC)领域，更特定地系关于式M1aM2bXc之量子点(QD)领域，其中，该等取代基系如说明书所定义。本发明提供制造此等发光晶体之方法，特别是借由在液体存在下分散合适的起始材料以及借由研磨球的帮助；关于包含发光晶体之组成物，及关于电子设备、装饰涂层；以及关于包含发光晶体之中间品。

公开(公告)号：TWI589020B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105100195

申请日：2016-01-05

Applicant: 康寧精密素材股份有限公司 ,  CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.

Inventor： 李起淵 ,  LEE, KI-YEON ,  吳潤錫 ,  OH, YOON-SEUK ,  李庚珍 ,  LEE, KYUNG-JIN ,  楊春逢 ,  YANG, CHOON-BONG ,  曺瑞英 ,  CHO, SEO-YEONG

IPC: H01L33/06 ,  C09K11/08

CPC classification number: C09K11/025 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02322 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091 ,  H05B33/20 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/783 ,  Y10S977/95

公开(公告)号：TWI580579B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW102110282

申请日：2013-03-22

Applicant: 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

Inventor： 長谷川彰 ,  HASEGAWA, AKIRA

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  H01L51/50 ,  H01L31/042 ,  G02F1/1333 ,  H05B33/04

CPC classification number: G02F1/1339 ,  B32B15/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/325 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/31 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2439/40 ,  B32B2439/60 ,  C04B35/565 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  C23C28/44 ,  G02F2201/501 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/049 ,  H01L31/055 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31667

公开(公告)号：TWI553917B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW103125108

申请日：2014-07-22

Applicant: 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： 富澤英之 ,  TOMIZAWA, HIDEYUKI ,  小島章弘 ,  KOJIMA, AKIHIRO ,  島田美代子 ,  SHIMADA, MIYOKO ,  秋元陽介 ,  AKIMOTO, YOSUKE ,  古山英人 ,  FURUYAMA, HIDETO ,  杉崎吉昭 ,  SUGIZAKI, YOSHIAKI

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L31/02322 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/5234 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033

公开(公告)号：TW201635504A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105120052

申请日：2012-08-15

Applicant: 濱松赫德尼古斯股份有限公司 ,  HAMAMATSU PHOTONICS K. K.

Inventor： 永野輝昌 ,  NAGANO, TERUMASA ,  細川暢郎 ,  HOSOKAWA, NOBURO ,  鈴木智史 ,  SUZUKI, TOMOFUMI ,  馬場隆 ,  BABA, TAKASHI

IPC: H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

Abstract: 本發明之半導體光檢測元件10係將包含以蓋革模式動作之複數個雪崩光電二極體APD、相對於各雪崩光電二極體APD串列連接之滅弧電阻R1、及並列地連接滅弧電阻R1之信號線TL之光電二極體陣列PDA作為一個通道且具有複數個通道。搭載基板20係與各通道對應之複數個電極E9配置於主面20a側，並且處理來自各通道之輸出信號之信號處理部SP配置於主面20b側。於半導體基板1N中，針對各通道而形成有與信號線TL電性連接之貫通電極TE。貫通電極TE與電極E9經由凸塊電極BE而電性連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之半导体光检测组件10系将包含以盖革模式动作之复数个雪崩光电二极管APD、相对于各雪崩光电二极管APD串行连接之灭弧电阻R1、及并列地连接灭弧电阻R1之信号线TL之光电二极管数组PDA作为一个信道且具有复数个信道。搭载基板20系与各信道对应之复数个电极E9配置于主面20a侧，并且处理来自各信道之输出信号之信号处理部SP配置于主面20b侧。于半导体基板1N中，针对各信道而形成有与信号线TL电性连接之贯通电极TE。贯通电极TE与电极E9经由凸块电极BE而电性连接。

公开(公告)号：TW201512196A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103126817

申请日：2014-08-05

Applicant: 巴地斯顏料化工廠 ,  BASF SE

Inventor： 柯內曼 馬汀 ,  瑪特恩 蓋布利 ,  MATTERN, GABRIELE ,  瓦根布拉斯特 傑哈德 ,  WAGENBLAST, GERHARD ,  伊凡諾為奇 索林 ,  IVANOVICI, SORIN ,  宋德 羅伯特 ,  SEND, ROBERT

IPC: C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  H01L33/50 ,  F21V9/16 ,  H01L31/055

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D471/04 ,  C07D471/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  H01L31/02322 ,  H01L33/502 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5262 ,  Y02E10/52

Abstract: 本發明係關於式I氰酸化萘苯并咪唑化合物或其混合物， 其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及R10各自獨立地為氫、氰基或未經取代或具有一或多個相同或不同取代基RAr之芳基，其中RAr係如申請專利範圍中及說明中所定義，附加條件為該等式I化合物包含至少一個氰基。 本發明另外係關於色彩轉換器，其包含至少一種聚合物作為基質材料及至少一種氰酸化萘苯并咪唑化合物或其混合物作為螢光染料；該等色彩轉換器之用途及包含至少一個LED及至少一種色彩轉換器之照明裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于式I氰酸化萘苯并咪唑化合物或其混合物， 其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及R10各自独立地为氢、氰基或未经取代或具有一或多个相同或不同取代基RAr之芳基，其中RAr系如申请专利范围中及说明中所定义，附加条件为该等式I化合物包含至少一个氰基。 本发明另外系关于色彩转换器，其包含至少一种聚合物作为基质材料及至少一种氰酸化萘苯并咪唑化合物或其混合物作为萤光染料；该等色彩转换器之用途及包含至少一个LED及至少一种色彩转换器之照明设备。

公开(公告)号：TW201445712A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW102118464

申请日：2013-05-24

Applicant: 友達光電股份有限公司 ,  AU OPTRONICS CORPORATION

Inventor： 陳德銘 ,  CHEN, TE MING ,  林欽茂 ,  LIN, CHIN MAO

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/115 ,  Y02E10/50

Abstract: 一種光偵測器及其製造方法，此光偵測器包括第一基板以及光轉換元件。第一基板具有感應元件陣列，此感應元件陣列用以接收特定波長範圍的頻譜。光轉換元件位於感應元件陣列上，其中光轉換元件包括光轉換材料層以及經摻雜的光轉換材料柱狀結構層，經摻雜的光轉換材料柱狀結構層的發光頻譜與特定波長範圍重疊，且光轉換材料層的發光頻譜與特定波長範圍不重疊。

Abstract in simplified Chinese: 一种光侦测器及其制造方法，此光侦测器包括第一基板以及光转换组件。第一基板具有感应组件数组，此感应组件数组用以接收特定波长范围的频谱。光转换组件位于感应组件数组上，其中光转换组件包括光转换材料层以及经掺杂的光转换材料柱状结构层，经掺杂的光转换材料柱状结构层的发光频谱与特定波长范围重叠，且光转换材料层的发光频谱与特定波长范围不重叠。

公开(公告)号：TW201432967A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102135261

申请日：2013-09-26

Applicant: 美國密西根州立大學 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN ,  美國南加州大學 ,  UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA

Inventor： 佛瑞斯特 史蒂芬R ,  FORREST, STEPHEN R. ,  湯普森 馬克E ,  THOMPSON, MARK E.

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/078 ,  H01L31/055

CPC classification number: H01L31/055 ,  H01L31/02322 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0087 ,  H01L51/4213 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/549

Abstract: 本發明係關於一種光敏光電子裝置，其包含兩個電極；位於該兩個電極之間之無機子電池，其中該無機子電池包含至少一種具有帶隙能量(EG)之無機半導體材料；及佈置於該無機子電池上之有機敏化窗口層。在一個態樣中，該有機敏化窗口層包含單重態裂變材料。在另一態樣中，該有機敏化窗口層包含單重態裂變主體及發磷光發射體摻雜物，其中該單重態裂變主體展現大於或等於由該發磷光發射體摻雜物所展現之激發三重態能量(ET-PE)之激發三重態能量(ET-SF)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种光敏光电子设备，其包含两个电极；位于该两个电极之间之无机子电池，其中该无机子电池包含至少一种具有带隙能量(EG)之无机半导体材料；及布置于该无机子电池上之有机敏化窗口层。在一个态样中，该有机敏化窗口层包含单重态裂变材料。在另一态样中，该有机敏化窗口层包含单重态裂变主体及发磷光发射体掺杂物，其中该单重态裂变主体展现大于或等于由该发磷光发射体掺杂物所展现之激发三重态能量(ET-PE)之激发三重态能量(ET-SF)。

公开(公告)号：TW201327789A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW100148808

申请日：2011-12-27

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 陳穎德 ,  CHEN, ISAAC WING-TAK ,  梁兆鈞 ,  LIANG, CHAO CHIUN ,  陳恒殷 ,  CHEN, HENG-YIN ,  葉明華 ,  YEH, MING-HUA

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/02322 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14663 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/055 ,  H01L31/115 ,  H02S30/20 ,  Y02E10/52

Abstract: 本揭露提供之可撓式輻射感測器，包括：基板；開關元件位於基板上；能量轉換層位於開關元件上；頂電極層位於能量轉換層上；第一螢光層位於頂電極層上；以及第二螢光層位於基板下。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供之可挠式辐射传感器，包括：基板；开关组件位于基板上；能量转换层位于开关组件上；顶电极层位于能量转换层上；第一萤光层位于顶电极层上；以及第二萤光层位于基板下。