-
公开(公告)号:TWI518749B
公开(公告)日:2016-01-21
申请号:TW102130581
申请日:2013-08-27
发明人: 敦俊儒 , TUN, CHUN JU , 林詣超 , LIN, YI CHAO , 江振福 , CHIANG, CHEN FU , 郭政煌 , KUO, CHENG HUANG
CPC分类号: H01L29/2003 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/2258 , H01L21/26546 , H01L21/266 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L31/0352 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L33/24 , Y02E10/544 , Y02P70/521
-
公开(公告)号:TW201603264A
公开(公告)日:2016-01-16
申请号:TW104116463
申请日:2015-05-22
发明人: 亞坦艾柯維克 比塔 , ATANACKOVIC, PETAR
IPC分类号: H01L29/15 , H01L31/036 , H01L33/04
CPC分类号: H01L33/0075 , H01L29/1606 , H01L29/167 , H01L31/0288 , H01L31/03042 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/035263 , H01L31/105 , H01L31/1848 , H01L31/1856 , H01L33/0012 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/325 , H01L33/343 , Y02E10/50
摘要: 本發明揭示一種超晶格及形成該超晶格之方法。具體而言,本發明揭示形成超晶格的設計分層單晶結構。該超晶格提供p型或n型傳導性,且包括交替宿主層及雜質層,其中:該等宿主層基本上由半導體材料組成;且該等雜質層基本上由對應施體或受體材料組成。
简体摘要: 本发明揭示一种超晶格及形成该超晶格之方法。具体而言,本发明揭示形成超晶格的设计分层单晶结构。该超晶格提供p型或n型传导性,且包括交替宿主层及杂质层,其中:该等宿主层基本上由半导体材料组成;且该等杂质层基本上由对应施体或受体材料组成。
-
公开(公告)号:TW201714321A
公开(公告)日:2017-04-16
申请号:TW104133000
申请日:2015-10-07
发明人: 郭威宏 , KUO, WEI-HUNG , 林素芳 , LIN, SUH-FANG , 林坤鋒 , LIN, KUN-FONG , 蔡佳龍 , TSAI, CHIA-LUNG
CPC分类号: H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/778 , H01L31/0224 , H01L31/02363 , H01L31/1035 , H01L31/1856 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01L33/382 , Y02E10/544
摘要: 一種三五族氮化物半導體元件,包括一AlGaN磊晶層與一金屬電極。所述AlGaN磊晶層為C面的n型或未摻雜層,且AlGaN磊晶層具有由半極性面(Semi-polar plane)構成的磊晶面。所述金屬電極則是直接形成在這個半極性面上。
简体摘要: 一种三五族氮化物半导体组件,包括一AlGaN磊晶层与一金属电极。所述AlGaN磊晶层为C面的n型或未掺杂层,且AlGaN磊晶层具有由半极性面(Semi-polar plane)构成的磊晶面。所述金属电极则是直接形成在这个半极性面上。
-
公开(公告)号:TWI568014B
公开(公告)日:2017-01-21
申请号:TW104133000
申请日:2015-10-07
发明人: 郭威宏 , KUO, WEI-HUNG , 林素芳 , LIN, SUH-FANG , 林坤鋒 , LIN, KUN-FONG , 蔡佳龍 , TSAI, CHIA-LUNG
CPC分类号: H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/778 , H01L31/0224 , H01L31/02363 , H01L31/1035 , H01L31/1856 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01L33/382 , Y02E10/544
-
公开(公告)号:TWI532209B
公开(公告)日:2016-05-01
申请号:TW100141652
申请日:2011-11-15
申请人: S O I TEC公司 , S. O. I. TEC
发明人: 班魯斯 約翰馬克 , BETHOUX, JEAN-MARC , 干娜得 派西可 , GUENARD, PASCAL
IPC分类号: H01L33/02
CPC分类号: H01L33/32 , H01L21/76254 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L31/1892 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
-
6.生長在斜切基板上之平面的非極性m-平面群三族氮膜 PLANAR NONPOLAR M-PLANE GROUP III NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES 审中-公开
简体标题: 生长在斜切基板上之平面的非极性m-平面群三族氮膜 PLANAR NONPOLAR M-PLANE GROUP III NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES公开(公告)号:TW200915394A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:TW097122460
申请日:2008-06-16
发明人: 平井朝子 HIRAI, ASAKO , 賈中元 JIA, ZHONGYUAN , 齊藤真 SAITO, MAKOTO , 山田永 YAMADA, HISASHI , 磯憲司 ISO, KENJI , 史蒂芬P 丹巴爾斯 DENBAARS, STEVEN P. , 中村秀治 NAKAMURA, SHUJI , 詹姆士S 史貝克 SPECK, JAMES S.
IPC分类号: H01L
CPC分类号: C30B29/406 , C30B23/025 , C30B23/066 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/60 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02617 , H01L21/02636 , H01L29/04 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/26 , H01L31/03044 , H01L31/036 , H01L31/1856 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333 , Y10T428/24612
摘要: 本發明提供一種生長在一基板的一斜切角上之非極性三族氮化物膜,以用於抑制表面波動。該膜的表面形態經改良為具有一個朝向���軸方向的斜切角,其包括朝向���軸方向之0.15�或更大的斜切角及朝向���軸方向小於30�的斜切角。
简体摘要: 本发明提供一种生长在一基板的一斜切角上之非极性三族氮化物膜,以用于抑制表面波动。该膜的表面形态经改良为具有一个朝向���轴方向的斜切角,其包括朝向���轴方向之0.15�或更大的斜切角及朝向���轴方向小于30�的斜切角。
-
公开(公告)号:TWI542026B
公开(公告)日:2016-07-11
申请号:TW101142712
申请日:2012-11-15
申请人: 太陽光電公司 , SOLAR JUNCTION CORPORATION
发明人: 鐘斯 阿爾伯特 麗蓓嘉 , JONES-ALBERTUS, REBECCA , 米斯拉 伯拉諾布 , MISRA, PRANOB , 謝爾登 邁克爾 J , SHELDON, MICHAEL J. , 袁 霍曼 B , YUEN, HOMAN B. , 劉婷 , LIU, TING , 德卡克斯 丹尼爾 , DERKACS, DANIEL , 薩伯尼斯 薇吉特 , SABNIS, VIJIT , 威梅爾 邁克爾 W , WIEMER, MICHAEL W. , 蘇亞雷斯 費蘭 , SUAREZ, FERRAN
IPC分类号: H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号: H01L31/0687 , H01L31/028 , H01L31/03048 , H01L31/06 , H01L31/0693 , H01L31/078 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02P70/521
-
公开(公告)号:TW201515068A
公开(公告)日:2015-04-16
申请号:TW103138109
申请日:2008-06-16
发明人: 平井朝子 , HIRAI, ASAKO , 賈中元 , JIA, ZHONGYUAN , 齊藤真 , SAITO, MAKOTO , 山田永 , YAMADA, HISASHI , 磯憲司 , ISO, KENJI , 丹巴爾斯 史蒂芬P , DENBAARS, STEVEN P. , 中村 秀治 , NAKAMURA, SHUJI , 史貝克 詹姆士S , SPECK, JAMES S.
IPC分类号: H01L21/205 , H01L29/15
CPC分类号: C30B29/406 , C30B23/025 , C30B23/066 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/60 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02617 , H01L21/02636 , H01L29/04 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/26 , H01L31/03044 , H01L31/036 , H01L31/1856 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333 , Y10T428/24612
摘要: 本發明提供一種生長在一基板的一斜切角上之非極性三族氮化物膜,以用於抑制表面波動。該膜的表面形態經改良為具有一個朝向a軸方向的斜切角,其包括朝向a軸方向之0.15°或更大的斜切角及朝向a軸方向小於30°的斜切角。
简体摘要: 本发明提供一种生长在一基板的一斜切角上之非极性三族氮化物膜,以用于抑制表面波动。该膜的表面形态经改良为具有一个朝向a轴方向的斜切角,其包括朝向a轴方向之0.15°或更大的斜切角及朝向a轴方向小于30°的斜切角。
-
公开(公告)号:TWI473289B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:TW100134086
申请日:2011-09-22
发明人: 劉恆 , LIU, HENG , 郭佩芸 , KUO, PEI YUN
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号: H01L31/0735 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , Y02E10/544 , Y02P70/521
-
公开(公告)号:TWI469186B
公开(公告)日:2015-01-11
申请号:TW097122460
申请日:2008-06-16
发明人: 平井朝子 , HIRAI, ASAKO , 賈中元 , JIA, ZHONGYUAN , 齊藤真 , SAITO, MAKOTO , 山田永 , YAMADA, HISASHI , 磯憲司 , ISO, KENJI , 史蒂芬P 丹巴爾斯 , DENBAARS, STEVEN P. , 中村秀治 , NAKAMURA, SHUJI , 詹姆士S 史貝克 , SPECK, JAMES S.
IPC分类号: H01L21/205 , H01L29/15
CPC分类号: C30B29/406 , C30B23/025 , C30B23/066 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/60 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02617 , H01L21/02636 , H01L29/04 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/26 , H01L31/03044 , H01L31/036 , H01L31/1856 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333 , Y10T428/24612
-
-
-
-
-
-
-
-
-