公开(公告)号：TWI579324B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW104113851

申请日：2015-04-30

申请人： 加州大學董事會 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  羅門哈斯電子材料有限公司 ,  ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC ,  陶氏全球科技責任有限公司 ,  DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC

发明人： 史嘉曼 拉齊爾A ,  SEGALMAN, RACHEL A. ,  波普爾 布山C ,  POPERE, BHOOSHAN C. ,  崔夫納斯三世 彼得 ,  TREFONAS III, PETER ,  海士奇 安德列T ,  HEITSCH, ANDREW T.

IPC分类号： C08K5/49 ,  H01L21/225 ,  H01L21/385

CPC分类号： H01L21/2254 ,  C09D153/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/31058 ,  H01L29/167 ,  H01L29/207

公开(公告)号：TWI235436B

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：TW092124622

申请日：2003-09-05

申请人： 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

发明人： 中村光宏 MITSUHIRO NAKAMURA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/802 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/66924

摘要： 本發明係提供一種半導體裝置及半導體裝置之製造方法，其係以一次之擴散使擴散層內之雜質之擴散深度均一，獲得期望之臨限值電壓，並使良率提升者。本發明之半導體裝置係具有：通道層16，其係形成於基板12者；擴散停止層17，其係形成於通道層16之上面者；擴散層18，其係形成於擴散停止層之上面者；及摻雜區域25，其係擴散層18之至少一部分相接於擴散停止層17而形成，其中擴散有雜質；擴散停止層17之擴散速度係慢於擴散層18之雜質之擴散速度，以使來自擴散層18之雜質的擴散停止者。

简体摘要： 本发明系提供一种半导体设备及半导体设备之制造方法，其系以一次之扩散使扩散层内之杂质之扩散深度均一，获得期望之临限值电压，并使良率提升者。本发明之半导体设备系具有：信道层16，其系形成于基板12者；扩散停止层17，其系形成于信道层16之上面者；扩散层18，其系形成于扩散停止层之上面者；及掺杂区域25，其系扩散层18之至少一部分相接于扩散停止层17而形成，其中扩散有杂质；扩散停止层17之扩散速度系慢于扩散层18之杂质之扩散速度，以使来自扩散层18之杂质的扩散停止者。

公开(公告)号：TW201711204A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105116289

申请日：2016-05-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  穆爾蒂 阿南德 ,  MURTHY, ANAND S. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66803

摘要： 單晶鰭式場效電晶體包括設置於一第二III-V族化合物半導體上之一第一III-V族化合物半導體材料中之大多數載子通道。當例如一犧牲閘極堆疊之一遮罩覆蓋該通道區域時，一兩性摻雜物之一來源係被沈積於暴露的鰭片側壁上方且擴散至該第一III-V族化合物半導體材料。該兩性摻雜物優先地啟動作為於該第一III-V族材料內之一施體及於該第二III-V族材料內之一受體，提供電晶體尖端摻雜一p-n接面於該第一與第二III-V族材料間。一側向間隔件係被沈積以覆蓋該鰭片之該尖端部份。於該鰭片未由該遮罩或間隔件所覆蓋之區域中的源極/汲極區域透過該尖端區域電性地耦接至該通道。該通道遮罩係以一閘極堆疊取代。

简体摘要： 单晶鳍式场效应管包括设置于一第二III-V族化合物半导体上之一第一III-V族化合物半导体材料中之大多数载子信道。当例如一牺牲闸极堆栈之一遮罩覆盖该信道区域时，一两性掺杂物之一来源系被沉积于暴露的鳍片侧壁上方且扩散至该第一III-V族化合物半导体材料。该两性掺杂物优先地启动作为于该第一III-V族材料内之一施体及于该第二III-V族材料内之一受体，提供晶体管尖端掺杂一p-n接面于该第一与第二III-V族材料间。一侧向间隔件系被沉积以覆盖该鳍片之该尖端部份。于该鳍片未由该遮罩或间隔件所覆盖之区域中的源极/汲极区域透过该尖端区域电性地耦接至该信道。该信道遮罩系以一闸极堆栈取代。

公开(公告)号：TWI569328B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW103117346

申请日：2014-05-16

申请人： 三墾電氣股份有限公司 ,  SANKEN ELECTRIC CO., LTD. ,  信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

发明人： 鹿內洋志 ,  SHIKAUCHI, HIROSHI ,  佐藤憲 ,  SATO, KEN ,  後藤博一 ,  GOTO, HIROKAZU ,  篠宮勝 ,  SHINOMIYA, MASARU ,  土屋慶太郎 ,  TSUCHIYA, KEITARO ,  萩本和德 ,  HAGIMOTO, KAZUNORI

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02658 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：TW200416892A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：TW092124622

申请日：2003-09-05

申请人： 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

发明人： 中村光宏 MITSUHIRO NAKAMURA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/802 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/66924

摘要： 本發明係提供一種半導體裝置及半導體裝置之製造方法，其係以一次之擴散使擴散層內之雜質之擴散深度均一，獲得期望之臨限值電壓，並使良率提升者。本發明之半導體裝置係具有：通道層16，其係形成於基板12者；擴散停止層17，其係形成於通道層16之上面者；擴散層18，其係形成於擴散停止層之上面者；及摻雜區域25，其係擴散層18之至少一部分相接於擴散停止層17而形成，其中擴散有雜質；擴散停止層17之擴散速度係慢於擴散層18之雜質之擴散速度，以使來自擴散層18之雜質的擴散停止者。

简体摘要： 本发明系提供一种半导体设备及半导体设备之制造方法，其系以一次之扩散使扩散层内之杂质之扩散深度均一，获得期望之临限值电压，并使良率提升者。本发明之半导体设备系具有：信道层16，其系形成于基板12者；扩散停止层17，其系形成于信道层16之上面者；扩散层18，其系形成于扩散停止层之上面者；及掺杂区域25，其系扩散层18之至少一部分相接于扩散停止层17而形成，其中扩散有杂质；扩散停止层17之扩散速度系慢于扩散层18之杂质之扩散速度，以使来自扩散层18之杂质的扩散停止者。

公开(公告)号：TW201605946A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104113851

申请日：2015-04-30

申请人： 加州大學董事會 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  羅門哈斯電子材料有限公司 ,  ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC ,  陶氏全球科技責任有限公司 ,  DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC

发明人： 史嘉曼 拉齊爾A ,  SEGALMAN, RACHEL A. ,  波普爾 布山C ,  POPERE, BHOOSHAN C. ,  崔夫納斯三世 彼得 ,  TREFONAS III, PETER ,  海士奇 安德列T ,  HEITSCH, ANDREW T.

IPC分类号： C08K5/49 ,  H01L21/225 ,  H01L21/385

CPC分类号： H01L21/2254 ,  C09D153/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/31058 ,  H01L29/167 ,  H01L29/207

摘要： 此處揭示一種摻雜基板之方法，包含設置包含共聚物、摻雜劑前驅物及溶劑之組成物之塗覆層於基板上；其中該共聚物當於溶液內時能夠相分離及能嵌置該摻雜劑前驅物；及於750℃至1300℃之溫度退火該基板歷時0.1秒至24小時以將該摻雜劑擴散入該基板內。此處也揭示一種半導體基板包含直徑3奈米至30奈米之嵌置摻雜劑區域；其中該等區域包含13族原子或15族原子，其中該等嵌置球狀區域係位在該基板表面之30奈米以內。

简体摘要： 此处揭示一种掺杂基板之方法，包含设置包含共聚物、掺杂剂前驱物及溶剂之组成物之涂覆层于基板上；其中该共聚物当于溶液内时能够相分离及能嵌置该掺杂剂前驱物；及于750℃至1300℃之温度退火该基板历时0.1秒至24小时以将该掺杂剂扩散入该基板内。此处也揭示一种半导体基板包含直径3奈米至30奈米之嵌置掺杂剂区域；其中该等区域包含13族原子或15族原子，其中该等嵌置球状区域系位在该基板表面之30奈米以内。

公开(公告)号：TW201409542A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102130581

申请日：2013-08-27

申请人： 璨圓光電股份有限公司 ,  FORMOSA EPITAXY INCORPORATION

发明人： 敦俊儒 ,  TUN, CHUN JU ,  林詣超 ,  LIN, YI CHAO ,  江振福 ,  CHIANG, CHEN FU ,  郭政煌 ,  KUO, CHENG HUANG

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本發明係關於一種化合物半導體元件及其製備方法，包括使用選擇性摻雜技術在基板形成一摻雜區，使半導體於基板上不同區域的成長速率不同，進而形成具有高低差結構的半導體層，並在之後繼續成長化合物半導體元件結構以製作化合物半導體元件。

简体摘要： 本发明系关于一种化合物半导体组件及其制备方法，包括使用选择性掺杂技术在基板形成一掺杂区，使半导体于基板上不同区域的成长速率不同，进而形成具有高低差结构的半导体层，并在之后继续成长化合物半导体组件结构以制作化合物半导体组件。

公开(公告)号：TW201347176A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102113897

申请日：2013-04-19

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 奧克蘭 理查 肯尼士 ,  OXLAND, RICHARD KENNETH ,  凡 戴爾 馬克 ,  VAN DAL, MARK

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7834

摘要： 一種半導體元件，包括：一半導體基板；一通道層，位於該半導體基板上，其中該通道區具有至少一III-V族半導體化合物；一閘電極，位於該通道層之一第一部上；一源極區與一汲極區，位於該通道層之一第二部上；以及一摻雜層，接觸該通道層之該第二部，其中該摻雜層包括至少一摻質。

简体摘要： 一种半导体组件，包括：一半导体基板；一信道层，位于该半导体基板上，其中该信道区具有至少一III-V族半导体化合物；一闸电极，位于该信道层之一第一部上；一源极区与一汲极区，位于该信道层之一第二部上；以及一掺杂层，接触该信道层之该第二部，其中该掺杂层包括至少一掺质。

公开(公告)号：TW471004B

公开(公告)日：2002-01-01

申请号：TW089103881

申请日：2000-03-04

申请人： 萬國商業機器公司

发明人： 約翰 約瑟夫 愛禮斯-蒙納漢 ,  古川 敏治 ,  詹姆斯 艾爾伯特 席林克曼

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/18 ,  G01Q80/00 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/67092 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/802 ,  Y10S977/855

摘要： 本發明採用一種掃描原子力探針而以物理方式結合雜質原子(摻雜劑或帶隙)進入半導體基材內部，故雜質原子具有高解析度及改良的定位。特別本發明方法包含一步驟，以物理方式接觸其上有一層摻雜劑/帶隙來源材料的半導體表面，因此於物理接觸時，來自摻雜劑/帶隙來源材料之雜質原子被驅進半導體基材內部。

简体摘要： 本发明采用一种扫描原子力探针而以物理方式结合杂质原子(掺杂剂或带隙)进入半导体基材内部，故杂质原子具有高分辨率及改良的定位。特别本发明方法包含一步骤，以物理方式接触其上有一层掺杂剂/带隙来源材料的半导体表面，因此于物理接触时，来自掺杂剂/带隙来源材料之杂质原子被驱进半导体基材内部。

公开(公告)号：TWI559533B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW102113897

申请日：2013-04-19

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 奧克蘭 理查 肯尼士 ,  OXLAND, RICHARD KENNETH ,  凡 戴爾 馬克 ,  VAN DAL, MARK

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7834