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    反向變質（ＩＭＭ）太陽能電池半導體結構及雷射剝離的方法
    4.
    发明专利
    反向變質（ＩＭＭ）太陽能電池半導體結構及雷射剝離的方法 审中-公开
    反向变质（ＩＭＭ）太阳能电池半导体结构及激光剥离的方法

    公开(公告)号：TW201301527A

    公开(公告)日：2013-01-01

    申请号：TW100121674

    申请日：2011-06-21

    申请人： 行政院原子能委員會核能研究所 ,  INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH, ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN

    发明人： 葉展瑋 ,  YEH, CHAN WEI ,  吳志宏 ,  WU, CHIH HUNG ,  楊敏德 ,  YANG, MING DEH ,  曾云亨 ,  TSENG, YUN HENG

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/46 ,  H01L21/30

    CPC分类号： H01L31/06875 ,  Y02E10/544

    摘要： 一種反向變質太陽能電池(inverted metamorphic solar cell)半導體結構，係提供外部的雷射進行雷射剝離(laser lift-off，LLO)製程，其包含基底層(substrate layer)、犧牲層(sacrifice layer)、複數能隙層(band-gap)與基板層(handle layer)。其中，該犧牲層係形成於該基底層上，且該犧牲層的材質係選自III-V族所形成之組合物；該等能隙層係形成於該犧牲層上，用以根據吸收來自外部的光源波長，產生相對應的電子電洞移動；以及該基板層係形成於該等能隙層上。藉由本發明使得該雷射光藉由入射該基底層至該犧牲層，使得該犧牲層剝離該等能隙層，進而達到具有高效率的IMM太陽能電池。此外，本發明係一併提出一種反向變質(IMM)太陽能電池半導體結構及雷射剝離的方法。

    简体摘要： 一种反向变质太阳能电池(inverted metamorphic solar cell)半导体结构，系提供外部的激光进行激光剥离(laser lift-off，LLO)制程，其包含基底层(substrate layer)、牺牲层(sacrifice layer)、复数能隙层(band-gap)与基板层(handle layer)。其中，该牺牲层系形成于该基底层上，且该牺牲层的材质系选自III-V族所形成之组合物；该等能隙层系形成于该牺牲层上，用以根据吸收来自外部的光源波长，产生相对应的电子电洞移动；以及该基板层系形成于该等能隙层上。借由本发明使得该激光光借由入射该基底层至该牺牲层，使得该牺牲层剥离该等能隙层，进而达到具有高效率的IMM太阳能电池。此外，本发明系一并提出一种反向变质(IMM)太阳能电池半导体结构及激光剥离的方法。

    氣體感測器
    8.
    发明专利
    氣體感測器 审中-公开
    气体传感器

    公开(公告)号：TW201830008A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW106104564

    申请日：2017-02-13

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 蔡明志 ,  TSAI, MING-CHIH ,  何羽軒 ,  HO, YU-HSUAN

    IPC分类号： G01N27/04 ,  H01L21/46 ,  H01L21/761

    摘要： 一種氣體感測器包括第一基板、至少一第一電極、感測結構、至少一第二電極以及第二基板。至少一第一電極位於第一基板上。感測結構位於至少一第一電極與第一基板上。感測結構包括第一半導體層及第二半導體層，其中第一半導體層具有第一導電型，覆蓋第一基板與至少一第一電極上；第二半導體層具有第二導電型，位於第一半導體層上。至少一第二電極覆蓋感測結構。第二基板覆蓋至少一第二電極與感測結構。

    简体摘要： 一种气体传感器包括第一基板、至少一第一电极、传感结构、至少一第二电极以及第二基板。至少一第一电极位于第一基板上。传感结构位于至少一第一电极与第一基板上。传感结构包括第一半导体层及第二半导体层，其中第一半导体层具有第一导电型，覆盖第一基板与至少一第一电极上；第二半导体层具有第二导电型，位于第一半导体层上。至少一第二电极覆盖传感结构。第二基板覆盖至少一第二电极与传感结构。