公开(公告)号：US5924002A

公开(公告)日：1999-07-13

申请号：US575074

申请日：1995-12-19

申请人： Tsuyoshi Tojyo ,  Futoshi Hiei

发明人： Tsuyoshi Tojyo ,  Futoshi Hiei

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425

摘要： A semiconductor device having an ohmic electrode having a satisfactory ohmic contact to an n-type GaAs can be obtained by heat treatment at low temperature. A method of manufacturing the semiconductor device having the ohmic electrode includes two processes. In the first process, a metal layer containing Ni, Sn and AuGe is formed on one main surface of the n-type GaAs. In the second process, the n-type GaAs is subjected to a heat treatment at a temperature which is equal to or higher than 190 C. and equal to or lower than 300 C. Thus, the ohmic electrode is formed on the one main surface of the n-type GaAs.

摘要翻译： 通过在低温下进行热处理，可以获得具有与n型GaAs具有令人满意的欧姆接触的欧姆电极的半导体器件。 制造具有欧姆电极的半导体器件的方法包括两种工艺。 在第一种方法中，在n型GaAs的一个主表面上形成含有Ni，Sn和AuGe的金属层。 在第二工序中，n型GaAs在等于或高于190℃等于或低于300℃的温度下进行热处理。因此，欧姆电极形成在一个主表面 的n型GaAs。

公开(公告)号：US5917243A

公开(公告)日：1999-06-29

申请号：US789082

申请日：1997-01-27

申请人： Tsuyoshi Tojyo ,  Futoshi Hiei

发明人： Tsuyoshi Tojyo ,  Futoshi Hiei

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425

摘要： A semiconductor device having an ohmic electrode having a satisfactory ohmic contact to an n-type GaAs can be obtained by heat treatment at low temperature. A method of manufacturing the semiconductor device having the ohmic electrode includes two processes. In the first process, a metal layer containing Ni, Sn and AuGe is formed on one main surface of the n-type GaAs. In the second process, the n-type GaAs is subjected to a heat treatment at a temperature which is equal to or higher than 190.degree. C. and equal to or lower than 300.degree. C. Thus, the ohmic electrode is formed on the one main surface of the n-type GaAs.

摘要翻译： 通过在低温下进行热处理，可以获得具有与n型GaAs具有令人满意的欧姆接触的欧姆电极的半导体器件。 制造具有欧姆电极的半导体器件的方法包括两种工艺。 在第一种方法中，在n型GaAs的一个主表面上形成含有Ni，Sn和AuGe的金属层。 在第二种方法中，n型GaAs在等于或高于190℃且等于或低于300℃的温度下进行热处理。因此，欧姆电极形成在一个 n型GaAs的主表面。

公开(公告)号：US5953357A

公开(公告)日：1999-09-14

申请号：US924453

申请日：1997-08-28

申请人： Shoji Hirata ,  Shiro Uchida ,  Koji Iwamoto ,  Hiroki Nagasaki ,  Tsuyoshi Tojyo

发明人： Shoji Hirata ,  Shiro Uchida ,  Koji Iwamoto ,  Hiroki Nagasaki ,  Tsuyoshi Tojyo

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/065 ,  H01S5/10 ,  H01S5/223 ,  H01S5/327 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/065 ,  H01S5/10 ,  H01S5/327 ,  H01S2301/18 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2231

摘要： An AlGaInP-based buried-ridge semiconductor laser includes an n-type GaAs current blocking layer 8 buried in opposite sides of a ridge stripe portion 7 which is made of an upper-layer portion of a p-type AlGaInP cladding layer 4, p-type GaInP intermediate layer 5 and p-type GaAs contact layer 6. The ridge stripe portion 7 includes tapered regions 7a having the length of L1 at cavity-lengthwise opposite ends of the ridge stripe portion 7.

摘要翻译： 基于AlGaInP的埋脊半导体激光器包括埋置在由p型AlGaInP包覆层4的上层部分形成的脊条部分7的相对侧的n型GaAs电流阻挡层8， 型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6.脊条部分7包括在脊条部分7的空腔纵向相对端具有L1长度的锥形区域7a。