公开(公告)号：US09073752B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13112128

申请日：2011-05-20

申请人： Ho-Cheol Kang ,  Young-Hoon Noh ,  Chang-Hee Lee ,  Kook Heon Char ,  Seong-Hoon Lee ,  Jeong Hun Kwak ,  Wan Ki Bae ,  Jae Hoon Lim ,  Dong Gu Lee

发明人： Ho-Cheol Kang ,  Young-Hoon Noh ,  Chang-Hee Lee ,  Kook Heon Char ,  Seong-Hoon Lee ,  Jeong Hun Kwak ,  Wan Ki Bae ,  Jae Hoon Lim ,  Dong Gu Lee

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/16 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L51/50 ,  H01L21/02 ,  H05B33/10

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L51/502 ,  H05B33/10

摘要： The present invention relates to a quantum dot light emitting element which can form a quantum light emitting layer configured of charge transporting particles and quantum dots and a charge transporting layer in a solution process, to reduce process expense, and a method for manufacturing the same. The quantum dot light emitting element includes a substrate, an anode formed on the substrate, a quantum light emitting layer formed on the anode, the quantum light emitting layer having charge transporting particles and quantum dots mixed therein, and a cathode formed on the quantum light emitting layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种量子点发光元件，其可以在溶液工艺中形成由电荷输送粒子和量子点以及电荷输送层构成的量子发光层，以减少工艺费用，及其制造方法。 量子点发光元件包括衬底，形成在衬底上的阳极，形成在阳极上的量子发光层，其中混合有电荷传输粒子和量子点的量子发光层和形成在量子光上的阴极 发光层。

公开(公告)号：US20110284819A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13112128

申请日：2011-05-20

申请人： Ho-Cheol Kang ,  Young-Hoon Noh ,  Chang-Hee Lee ,  Kook Heon Char ,  Seong-Hoon Lee ,  Jeong Hun Kwak ,  Wan Ki Bae ,  Jae Hoon Lim ,  Dong Gu Lee

发明人： Ho-Cheol Kang ,  Young-Hoon Noh ,  Chang-Hee Lee ,  Kook Heon Char ,  Seong-Hoon Lee ,  Jeong Hun Kwak ,  Wan Ki Bae ,  Jae Hoon Lim ,  Dong Gu Lee

IPC分类号： H01L33/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L51/502 ,  H05B33/10

摘要： The present invention relates to a quantum dot light emitting element which can form a quantum light emitting layer configured of charge transporting particles and quantum dots and a charge transporting layer in a solution process, to reduce process expense, and a method for manufacturing the same. The quantum dot light emitting element includes a substrate, an anode formed on the substrate, a quantum light emitting layer formed on the anode, the quantum light emitting layer having charge transporting particles and quantum dots mixed therein, and a cathode formed on the quantum light emitting layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种量子点发光元件，其可以在溶液工艺中形成由电荷输送粒子和量子点以及电荷输送层构成的量子发光层，以减少工艺费用，及其制造方法。 量子点发光元件包括衬底，形成在衬底上的阳极，形成在阳极上的量子发光层，其中混合有电荷传输粒子和量子点的量子发光层和形成在量子光上的阴极 发光层。

公开(公告)号：US09079244B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US11696451

申请日：2007-04-04

申请人： Seong Jae Choi ,  Jae Young Choi ,  Eun Joo Jang ,  Bulliard Xavier ,  Yu Jin Kang ,  Wan Ki Bae ,  Kook Heon Char

发明人： Seong Jae Choi ,  Jae Young Choi ,  Eun Joo Jang ,  Bulliard Xavier ,  Yu Jin Kang ,  Wan Ki Bae ,  Kook Heon Char

IPC分类号： B05D1/04 ,  H05C1/00 ,  B22F1/00 ,  H01L51/00

CPC分类号： B22F1/0088 ,  B22F2998/00 ,  H01L51/0036 ,  Y10T428/268 ,  B22F1/0022

摘要： Methods for producing nanoparticle thin films are disclosed. According to one of the methods, a nanoparticle thin film is produced by modifying the surface of nanoparticles to allow the nanoparticles to be charged, controlling an electrostatic attractive force between the charged nanoparticles and a substrate and a repulsive force between the individual nanoparticles by a variation in pH to control the number density of the nanoparticles arranged on the substrate.

摘要翻译： 公开了制备纳米微粒薄膜的方法。 根据这些方法之一，通过改变纳米颗粒的表面来制备纳米颗粒薄膜，以允许纳米颗粒被充电，控制带电的纳米颗粒和基底之间的静电吸引力以及通过变化的各个纳米颗粒之间的排斥力 以控制布置在基底上的纳米颗粒的数量密度。

公开(公告)号：US08847201B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13589821

申请日：2012-08-20

申请人： Kookheon Char ,  Seong Hoon Lee ,  Wan Ki Bae ,  Hyuck Hur

发明人： Kookheon Char ,  Seong Hoon Lee ,  Wan Ki Bae ,  Hyuck Hur

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  B82Y10/00 ,  C01B19/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/22 ,  C09K11/88 ,  C01G9/08 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C01G11/00 ,  H01L29/12 ,  C01G11/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01G11/00 ,  C01G11/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/774

摘要： Provided are quantum dots having a gradual composition gradient shell structure which have an improved luminous efficiency and optical stability, and a method of manufacturing the quantum dots in a short amount of time at low cost. In the method, the quantum dots can be manufactured in a short amount of time at low cost using a reactivity difference between semiconductor precursors, unlike in uneconomical and inefficient conventional methods where shells are formed after forming cores and performing cleaning and redispersion processes. Also, formation of the cores is followed by formation of shells having a composition gradient.

摘要翻译： 提供了具有提高的发光效率和光学稳定性的逐渐组成梯度壳结构的量子点，以及以低成本在短时间内制造量子点的方法。 在该方法中，可以使用半导体前体之间的反应性差异以低成本在短时间内制造量子点，这不同于在形成芯之后形成壳并进行清洁和再分散工艺的不经济和低效的常规方法。 此外，芯的形成之后是形成具有组成梯度的壳。

公开(公告)号：US20120315391A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13589821

申请日：2012-08-20

申请人： Kookheon Char ,  Seonghoon Lee ,  Wan Ki Bae ,  Hyuck Hur

发明人： Kookheon Char ,  Seonghoon Lee ,  Wan Ki Bae ,  Hyuck Hur

IPC分类号： B05D7/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01G11/00 ,  C01G11/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/774

摘要： Provided are quantum dots having a gradual composition gradient shell structure which have an improved luminous efficiency and optical stability, and a method of manufacturing the quantum dots in a short amount of time at low cost. In the method, the quantum dots can be manufactured in a short amount of time at low cost using a reactivity difference between semiconductor precursors, unlike in uneconomical and inefficient conventional methods where shells are formed after forming cores and performing cleaning and redispersion processes. Also, formation of the cores is followed by formation of shells having a composition gradient.

摘要翻译： 提供了具有提高的发光效率和光学稳定性的逐渐组成梯度壳结构的量子点，以及以低成本在短时间内制造量子点的方法。 在该方法中，可以使用半导体前体之间的反应性差异以低成本在短时间内制造量子点，这不同于在形成芯之后形成壳并进行清洁和再分散工艺的不经济和低效的常规方法。 此外，芯的形成之后是形成具有组成梯度的壳。

公开(公告)号：US20100140586A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12442943

申请日：2007-09-21

申请人： Kookheon Char ,  Seonghoon Lee ,  Wan Ki Bae ,  Hyuck Hur

发明人： Kookheon Char ,  Seonghoon Lee ,  Wan Ki Bae ,  Hyuck Hur

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/36 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01G11/00 ,  C01G11/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/774

摘要： Provided are quantum dots having a gradual composition gradient shell structure which have an improvedluminous efficiency and optical stability, and a method of manufacturing the quantum dots in a short amount of time at low cost. In the method, the quantum dots can be manufactured in a short amount of time at low cost using a reactivity difference between semiconductor precursors, unlike in uneconomical and inefficient conventional methods where shells areformed after forming cores and performing cleaning and redispersion processes. Also, formation of the cores is followed by formation of shells having a composition gradient. Thus, even if the shells are formed to a large thickness, the lattice mismatch between cores and shells is relieved. Furthermore, on the basis of the funneling concept, electrons and holes generated in the shells are transferred to the cores to emit light, thereby obtaining a high luminous efficiency of 80% or more. The quantum dot structure is not limited to Group II-IV semiconductor quantum dots but can be applied to other semiconductors quantum dots, such as Group III-V semiconductors quantum dots and Group IV-IV semiconductors quantum dots. Also, the manufacturing method can be utilized in the development of semiconductor quantum dots having different physical properties, and in various other fields.

摘要翻译： 提供了具有提高的发光效率和光学稳定性的逐渐组成梯度壳结构的量子点以及以低成本在短时间内制造量子点的方法。 在该方法中，可以使用半导体前体之间的反应性差异以低成本在短时间内制造量子点，这不同于在形成核心并执行清洁和再分散工艺之后形成壳体的不经济和低效的常规方法。 此外，芯的形成之后是形成具有组成梯度的壳。 因此，即使壳体形成较大的厚度，也可以减轻芯部和壳体之间的晶格失配。 此外，在漏斗观念的基础上，将壳中产生的电子和空穴转移到核发光，从​​而获得80％以上的高发光效率。 量子点结构不限于II-IV族半导体量子点，而是可以应用于其他半导体量子点，例如III-V族半导体量子点和IV-IV族半导体量子点。 此外，制造方法可以用于开发具有不同物理性质的半导体量子点以及各种其它领域。