公开(公告)号：US07462499B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11262439

申请日：2005-10-28

申请人： John F. Conley, Jr. ,  Yoshi Ono ,  Lisa H. Stecker ,  Sheng Teng Hsu ,  Josh M. Green ,  Lifeng Dong ,  Jun Jiao

发明人： John F. Conley, Jr. ,  Yoshi Ono ,  Lisa H. Stecker ,  Sheng Teng Hsu ,  Josh M. Green ,  Lifeng Dong ,  Jun Jiao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02601 ,  Y10S977/754

摘要： A ZnO asperity-covered carbon nanotube (CNT) device has been provided, along with a corresponding fabrication method. The method comprises: forming a substrate; growing CNTs from the substrate; conformally coating the CNTs with ZnO; annealing the ZnO-coated CNTs; and, forming ZnO asperities on the surface of the CNTs in response to the annealing. In one aspect, the ZnO asperities have a density in the range of about 100 to 1000 ZnO asperities per CNT. The density is dependent upon the deposited ZnO film thickness and annealing parameters. The CNTs are conformally coating with ZnO using a sputtering, chemical vapor deposition (CVD), spin-on, or atomic layer deposition (ALD). For example, an ALD process can be to deposit a layer of ZnO over the CNTs having a thickness in the range of 1.2 to 200 nanometers (nm).

摘要翻译： 已经提供了ZnO微粒覆盖碳纳米管（CNT）器件，以及相应的制造方法。 该方法包括：形成衬底; 从底物生长CNT; 用ZnO共形涂覆CNT; 退火ZnO涂层的CNT; 并且响应于退火在CNT的表面上形成ZnO粗糙度。 在一个方面，ZnO粗糙度的密度在每个CNT约100-1000nm的ZnO粗糙度的范围内。 密度取决于沉积的ZnO膜厚度和退火参数。 使用溅射，化学气相沉积（CVD），旋涂或原子层沉积（ALD），使用ZnO共形涂覆CNT。 例如，ALD工艺可以在厚度在1.2至200纳米（nm）范围内的CNT上沉积ZnO层。