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公开(公告)号：US07462499B2
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：US11262439
申请日：2005-10-28
申请人： John F. Conley, Jr. , Yoshi Ono , Lisa H. Stecker , Sheng Teng Hsu , Josh M. Green , Lifeng Dong , Jun Jiao
发明人： John F. Conley, Jr. , Yoshi Ono , Lisa H. Stecker , Sheng Teng Hsu , Josh M. Green , Lifeng Dong , Jun Jiao
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/168 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02444 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02601 , Y10S977/754
摘要： A ZnO asperity-covered carbon nanotube (CNT) device has been provided, along with a corresponding fabrication method. The method comprises: forming a substrate; growing CNTs from the substrate; conformally coating the CNTs with ZnO; annealing the ZnO-coated CNTs; and, forming ZnO asperities on the surface of the CNTs in response to the annealing. In one aspect, the ZnO asperities have a density in the range of about 100 to 1000 ZnO asperities per CNT. The density is dependent upon the deposited ZnO film thickness and annealing parameters. The CNTs are conformally coating with ZnO using a sputtering, chemical vapor deposition (CVD), spin-on, or atomic layer deposition (ALD). For example, an ALD process can be to deposit a layer of ZnO over the CNTs having a thickness in the range of 1.2 to 200 nanometers (nm).
摘要翻译： 已经提供了ZnO微粒覆盖碳纳米管（CNT）器件，以及相应的制造方法。 该方法包括：形成衬底; 从底物生长CNT; 用ZnO共形涂覆CNT; 退火ZnO涂层的CNT; 并且响应于退火在CNT的表面上形成ZnO粗糙度。 在一个方面，ZnO粗糙度的密度在每个CNT约100-1000nm的ZnO粗糙度的范围内。 密度取决于沉积的ZnO膜厚度和退火参数。 使用溅射，化学气相沉积（CVD），旋涂或原子层沉积（ALD），使用ZnO共形涂覆CNT。 例如，ALD工艺可以在厚度在1.2至200纳米（nm）范围内的CNT上沉积ZnO层。
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公开(公告)号：US20070099441A1
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：US11262439
申请日：2005-10-28
申请人： John Conley , Yoshi Ono , Lisa Stecker , Sheng Hsu , Josh Green , Lifeng Dong , Jun Jiao
发明人： John Conley , Yoshi Ono , Lisa Stecker , Sheng Hsu , Josh Green , Lifeng Dong , Jun Jiao
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/168 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02444 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02601 , Y10S977/754
摘要： A ZnO asperity-covered carbon nanotube (CNT) device has been provided, along with a corresponding fabrication method. The method comprises: forming a substrate; growing CNTs from the substrate; conformally coating the CNTs with ZnO; annealing the ZnO-coated CNTs; and, forming ZnO asperities on the surface of the CNTs in response to the annealing. In one aspect, the ZnO asperities have a density in the range of about 100 to 1000 ZnO asperities per CNT. The density is dependent upon the deposited ZnO film thickness and annealing parameters. The CNTs are conformally coating with ZnO using a sputtering, chemical vapor deposition (CVD), spin-on, or atomic layer deposition (ALD). For example, an ALD process can be to deposit a layer of ZnO over the CNTs having a thickness in the range of 1.2 to 200 nanometers (nm).
摘要翻译： 已经提供了ZnO微粒覆盖碳纳米管（CNT）器件，以及相应的制造方法。 该方法包括：形成衬底; 从底物生长CNT; 用ZnO共形涂覆CNT; 退火ZnO涂层的CNT; 并且响应于退火在CNT的表面上形成ZnO粗糙度。 在一个方面，ZnO粗糙度的密度在每个CNT约100-1000nm的ZnO粗糙度的范围内。 密度取决于沉积的ZnO膜厚度和退火参数。 使用溅射，化学气相沉积（CVD），旋涂或原子层沉积（ALD），使用ZnO共形涂覆CNT。 例如，ALD工艺可以在厚度在1.2至200纳米（nm）范围内的CNT上沉积ZnO层。
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公开(公告)号：US20050260453A1
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：US10522850
申请日：2003-07-31
申请人： Jun Jiao , David Tuggle , Lifeng Dong , Sean Foxley
发明人： Jun Jiao , David Tuggle , Lifeng Dong , Sean Foxley
IPC分类号： B82B1/00 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/88 , B01J37/02 , B32B3/30 , B32B9/00 , B32B15/04 , C01B31/02 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01J1/304 , H01L29/06
CPC分类号： C04B35/6264 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/36 , C04B2235/3217 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/444 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01J2209/0223 , Y10T428/12493 , Y10T428/24917 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/30
摘要： A method is disclosed for directly synthesizing nanoscale structures, particularly in defined locations. The method overcomes problems in nanoscale manufacturing by enabling the direct fabrication of composites useful for constructing electronic devices. In one aspect of the method, nanotubes and arrays of nanotubes are synthesized directly at defined locations useful for constructing electronic devices.
摘要翻译： 公开了用于直接合成纳米尺度结构的方法，特别是在限定位置。 该方法通过使得能够直接制造用于构建电子器件的复合材料来克服纳米级制造中的问题。 在该方法的一个方面，纳米管和纳米管阵列直接在用于构建电子器件的限定位置处合成。
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公开(公告)号：US07226663B2
公开(公告)日：2007-06-05
申请号：US10522850
申请日：2003-07-31
申请人： Jun Jiao , David W. Tuggle , Lifeng Dong , Sean Foxley
发明人： Jun Jiao , David W. Tuggle , Lifeng Dong , Sean Foxley
IPC分类号： B32B9/00
CPC分类号： C04B35/6264 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/36 , C04B2235/3217 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/444 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01J2209/0223 , Y10T428/12493 , Y10T428/24917 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/30
摘要： A method is disclosed for directly synthesizing nanoscale structures, particularly in defined locations. The method overcomes problems in nanoscale manufacturing by enabling the direct fabrication of composites useful for constructing electronic devices. In one aspect of the method, nanotubes and arrays of nanotubes are synthesized directly at defined locations useful for constructing electronic devices.
摘要翻译： 公开了用于直接合成纳米尺度结构的方法，特别是在限定位置。 该方法通过使得能够直接制造用于构建电子器件的复合材料来克服纳米级制造中的问题。 在该方法的一个方面，纳米管和纳米管阵列直接在用于构建电子器件的限定位置处合成。
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公开(公告)号：US20080107892A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：US11809433
申请日：2007-05-31
申请人： Jun Jiao , David W. Tuggle , Lifeng Dong , Sean Foxley
发明人： Jun Jiao , David W. Tuggle , Lifeng Dong , Sean Foxley
CPC分类号： C04B35/6264 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/36 , C04B2235/3217 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/444 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01J2209/0223 , Y10T428/12493 , Y10T428/24917 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/30
摘要： A method is disclosed for directly synthesizing nanoscale structures, particularly in defined locations. The method overcomes problems in nanoscale manufacturing by enabling the direct fabrication of composites useful for constructing electronic devices. In one aspect of the method, nanotubes and arrays of nanotubes are synthesized directly at defined locations useful for constructing electronic devices.
摘要翻译： 公开了用于直接合成纳米尺度结构的方法，特别是在限定位置。 该方法通过使得能够直接制造用于构建电子器件的复合材料来克服纳米级制造中的问题。 在该方法的一个方面，纳米管和纳米管阵列直接在用于构建电子器件的限定位置处合成。
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