公开(公告)号：US20160056312A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：US14888578

申请日：2014-04-30

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： Jörg PALM ,  Gérard RUITENBERG ,  Mathieu URIEN ,  Robert LECHNER ,  Yémima BON SAINT COME

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3678 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: A back contact substrate for a photovoltaic cell, including a carrier substrate and an electrode, the electrode including a conductive coating including a metallic thin film based on a metal or metal alloy; a barrier to selenization thin film for protecting the conductive coating and based on at least one among MoxOyNz, WxOyNz, TaxOyNz, NbxOyNz, RexOyNz.

Abstract translation: 一种用于光伏电池的背接触基板，包括载体基板和电极，所述电极包括基于金属或金属合金的包含金属薄膜的导电涂层; 用于保护导电涂层并基于MoxOyNz，WxOyNz，TaxOyNz，NbxOyNz，RexOyNz中的至少一种的硒化薄膜的屏障。

公开(公告)号：US20160163905A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：US14900939

申请日：2014-06-27

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： Jörg PALM ,  Stephan POHLNER ,  Thomas HAPP ,  Roland DIETMÜLLER ,  Thomas DALIBOR ,  Stefan JOST ,  Rajneesh VERMA

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: The invention concerns a layer system for thin-layer solar cells, said layer system comprising an absorber layer for absorbing light and a buffer layer on the absorber layer, said buffer layer containing NaxIny-x/3S, in which 0.063≦x≦0.625 and 0.681≦y≦1.50.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于薄层太阳能电池的层系统，所述层系统包括用于吸收光的吸收层和吸收层上的缓冲层，所述缓冲层含有NaxIny-x / 3S，其中0.063和nlE; x和nlE; 0.625 和0.681＆nlE; y＆nlE; 1.50。

公开(公告)号：US20160064580A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：US14888598

申请日：2014-04-30

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： Jörg PALM ,  Stéphane AUVRAY ,  Gérard RUITENBERG ,  Mathieu URIEN ,  Robert LECHNER ,  Yémima BON SAINT COME ,  Laura Jane SINGH

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3678 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: A back contact substrate for a photovoltaic cell includes a carrier substrate and an electrode, the electrode including an alloy thin film based on at least two elements, at least one first element MA chosen among copper (Cu), silver (Ag) and gold (Au), and at least one second element MB chosen among zinc (Zn), titanium (Ti), tin (Sn), silicon (Si), germanium (Ge), zirconium (Zr), hafnium (Hf), carbon (C) and lead (Pb).

Abstract translation: 用于光伏电池的背接触基板包括载体基板和电极，所述电极包括基于至少两个元件的合金薄膜，至少一个第一元件MA选自铜（Cu），银（Ag）和金（ （Zn），钛（Ti），锡（Sn），硅（Si），锗（Ge），锆（Zr），铪（Hf），碳（C）中选择的至少一种第二元素MB ）和铅（Pb）。

公开(公告)号：US20160064581A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：US14888618

申请日：2014-04-30

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： Mathieu URIEN ,  Jörg PALM ,  Gérard RUITENBERG ,  Robert LECHNER ,  Yémima BON SAINT COME ,  Laura Jane SINGH

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  C03C17/3613 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3678 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: A back contact substrate for a photovoltaic cell includes a carrier substrate and an electrode, the electrode including an alloy thin film based: on at least one among copper (Cu) and silver (Ag); and on zinc (Zn).

Abstract translation: 用于光伏电池的背接触基板包括载体基板和电极，所述电极包括基于铜（Cu）和银（Ag）中的至少一种的合金薄膜; 和锌（Zn）。

公开(公告)号：US20150325722A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：US14409684

申请日：2013-06-19

Applicant: Saint-Gobain Glass France

Inventor： Jörg PALM ,  Stephan POHLNER ,  Thomas HAPP ,  Thomas DALIBOR ,  Stefan JOST ,  Roland DIETMÜLLER

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a layer system (1) for thin-film solar cells (100) and solar modules, comprising an absorber layer (4) that includes a chalcogenide compound semiconductor and a buffer layer (5) that is arranged on the absorber layer (4) and includes halogen-enriched InxSy with ⅔≦x/y≦1, wherein the buffer layer (5) consists of a first layer region (5.1) adjoining the absorber layer (4) with a halogen mole fraction A1 and a second layer region (5.2) adjoining the first layer region (5.1) with a halogen mole fraction A2 and the ratio A1/A2 is ≧2 and the layer thickness (d1) of the first layer region (5.1) is ≦50% of the layer thickness (d) of the buffer layer (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于薄膜太阳能电池（100）和太阳能模块的层系统（1），包括一个吸收层（4），该吸收层包括一个硫族化物化合物半导体和一个缓冲层（5） 层（4），并且包括具有⅔和nlE的卤素富集的In x S y; x / y＆n l E; 1，其中缓冲层（5）由邻近吸收层（4）的第一层区域（5.1）和卤素摩尔分数A1组成， 与第一层区域（5.1）邻接的第二层区域（5.2）与卤素摩尔分数A2，比率A1 / A2为≥2，第一层区域（5.1）的层厚度（d1）为 缓冲层（5）的层厚度（d）。