公开(公告)号：US20160126310A1

公开(公告)日：2016-05-05

申请号：US14919634

申请日：2015-10-21

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Mark RODDER ,  Joon HONG ,  Jorge KITTL ,  Borna OBRADOVIC

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L29/49 ,  H01L21/283 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28531 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78696

Abstract: A field effect transistor (FET) and a method to form the FET are disclosed. The FET comprises a channel region comprising a nanosheet layer/sacrificial layer stack. The stack comprises at least one nanosheet layer/sacrificial layer pair. Each nanosheet layer/sacrificial layer pair comprises an end surface. A conductive material layer is formed on the end surface of the pairs, and a source/drain contact is formed on the conductive material layer. In one embodiment, the sacrificial layer of at least one pair further may comprise a low-k dielectric material proximate to the end surface of the pair. A surface of the low-k dielectric material proximate to the end surface of the pair is in substantial alignment with the end surface of the nanosheet layer. Alternatively, the surface of the low-k dielectric material proximate to the end surface of the pair is recessed with respect to the end surface of the nanosheet layer.

Abstract translation: 公开了场效应晶体管（FET）和形成FET的方法。 FET包括包括纳米片层/牺牲层堆叠的沟道区。 堆叠包括至少一个纳米片层/牺牲层对。 每个纳米片层/牺牲层对包括端面。 在该对的端面上形成导电材料层，并且在导电材料层上形成源极/漏极接触。 在一个实施例中，至少一对的牺牲层还可以包括靠近该对的端表面的低k电介质材料。 靠近该对的端面的低k电介质材料的表面与纳米片层的端面基本对准。 或者，靠近该对的端表面的低k电介质材料的表面相对于纳米片层的端表面凹陷。

公开(公告)号：US20150364542A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：US14737048

申请日：2015-06-11

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Mark S. RODDER ,  Borna OBRADOVIC ,  Rwik SENGUPTA ,  Dharmendar Reddy PALLE ,  Robert C. BOWEN

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/755

Abstract: An integrated circuit may include multiple first, non-Si, nanosheet field-effect transistors (FETs) and multiple second, Si, nanosheet FETs. Nanosheets of ones of the first, non-Si, nanosheet FETs may include less than about 30% Si. The first, non-Si, nanosheet FETs may define a critical speed path of the circuit of the integrated circuit. Nanosheets of ones of the second, Si, nanosheet FETs may include more than about 30% Si. The second, Si, nanosheet FETs may define a non-critical speed path of the integrated circuit. Ones of the first, non-Si, nanosheet FETs may be configured to have a higher speed than a speed of ones of the second, Si, nanosheet FETs.

Abstract translation: 集成电路可以包括多个第一，非Si，纳米片状场效应晶体管（FET）和多个第二，Si，纳米片FET。 第一非硅纳米片FET的纳米片可以包括少于约30％的Si。 第一个非Si纳米片FET可以限定集成电路的电路的临界速度路径。 第二，Si，纳米片FET的纳米片可以包括大于约30％的Si。 第二个Si纳米片FET可以定义集成电路的非临界速度路径。 第一非硅纳米片FET的结构可以被配置为具有比第二Si纳米片FET的速度更高的速度。