公开(公告)号：US09142226B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US13539026

申请日：2012-06-29

申请人： Venkateswara Rao Inturi ,  Wei Tian ,  Huaqing Yin ,  Michael C. Kautzky ,  Mark Thomas Kief ,  Meng Zhu ,  Eliot Lewis Cuthbert Estrine

发明人： Venkateswara Rao Inturi ,  Wei Tian ,  Huaqing Yin ,  Michael C. Kautzky ,  Mark Thomas Kief ,  Meng Zhu ,  Eliot Lewis Cuthbert Estrine

IPC分类号： G11B5/127 ,  H01L43/12 ,  G11B5/31 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

CPC分类号： G11B5/1278 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3163 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

摘要： An apparatus and associated method provides a magnetic writing element that may have at least a write pole tuned to a predetermined first grain size with a cryogenic substrate temperature. A magnetic shield can be formed with a predetermined second grain size that is tuned with the cryogenic substrate temperature.

摘要翻译： 一种装置和相关方法提供一种磁性写入元件，该磁性写入元件至少可以用低温衬底温度调整到预定的第一晶粒尺寸的写入极。 磁屏蔽可以以与低温衬底温度调节的预定的第二粒度形成。

公开(公告)号：US20140004387A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539026

申请日：2012-06-29

申请人： Venkateswara Rao Inturi ,  Wei Tian ,  Huaqing Yin ,  Michael C. Kautzky ,  Mark Thomas Kief ,  Meng Zhu ,  Eliot Lewis Cuthbert Estrine

发明人： Venkateswara Rao Inturi ,  Wei Tian ,  Huaqing Yin ,  Michael C. Kautzky ,  Mark Thomas Kief ,  Meng Zhu ,  Eliot Lewis Cuthbert Estrine

IPC分类号： G11B5/65 ,  B05D5/12

CPC分类号： G11B5/1278 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3163 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

摘要： An apparatus and associated method provides a magnetic writing element that may have at least a write pole tuned to a predetermined first grain size with a cryogenic substrate temperature. A magnetic shield can be formed with a predetermined second grain size that is tuned with the cryogenic substrate temperature.

摘要翻译： 一种装置和相关方法提供一种磁性写入元件，该磁性写入元件至少可以用低温衬底温度调整到预定的第一晶粒尺寸的写入极。 磁屏蔽可以以与低温衬底温度调节的预定的第二粒度形成。

公开(公告)号：US20130288078A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13460290

申请日：2012-04-30

申请人： Meng Zhu ,  Eliot Lewis Cuthbert Estrine ,  Wei Tian ,  Venkateswara Inturi ,  Michael C. Kautzky

发明人： Meng Zhu ,  Eliot Lewis Cuthbert Estrine ,  Wei Tian ,  Venkateswara Inturi ,  Michael C. Kautzky

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/735 ,  B05D1/38 ,  B05D3/00 ,  B05D3/02

CPC分类号： G11B5/3113 ,  G11B5/3163 ,  H01F41/18

摘要： An apparatus and associated method may provide a magnetic element can have a thin film deposited on a cryogenic substrate. The thin film can additionally be stress tuned ,during primary annealing to reduce unwanted stress anisotropy. The thin film can be configured to have near zero internal stress after the primary annealing.

摘要翻译： 设备和相关方法可以提供磁性元件可以具有沉积在低温基底上的薄膜。 在一次退火期间，薄膜还可以进行应力调整，以减少不必要的应力各向异性。 薄膜可以被配置为在一次退火之后具有接近零的内应力。