公开(公告)号：US08470719B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13110579

申请日：2011-05-18

申请人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

发明人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1666

摘要： Provided are a nonvolatile memory device and a method of fabricating the same, in which a phase-change layer is formed using a solid-state reaction to reduce a programmable volume, thereby lessening power consumption. The device includes a first reactant layer, a second reactant layer formed on the first reactant layer, and a phase-change layer formed between the first and second reactant layers due to a solid-state reaction between a material forming the first reactant layer and a material forming the second reactant layer. The phase-change memory device consumes low power and operates at high speed.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，其中使用固态反应形成相变层以减少可编程体积，从而降低功耗。 该装置包括第一反应物层，形成在第一反应物层上的第二反应物层和由形成第一反应物层的材料与第一反应物层之间的固态反应形成在第一和第二反应物层之间的相变层 形成第二反应物层的材料。 相变存储器件消耗低功率并以高速运行。

公开(公告)号：US20120160292A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13323844

申请日：2011-12-13

申请人： Moon Gyu JANG ,  Young Sam Park ,  Younghoon Hyun ,  Myungsim Jun ,  Taehyoung Zyung

发明人： Moon Gyu JANG ,  Young Sam Park ,  Younghoon Hyun ,  Myungsim Jun ,  Taehyoung Zyung

IPC分类号： H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  H01L35/32 ,  H01L37/00

CPC分类号： H01L35/32 ,  H01L35/22

摘要： A thermoelectric device includes: a substrate; a first nanowire of a first conductive type, which is formed on one side of the substrate; a second nanowire of a second conductive type, which is opposed to the first nanowire; a high temperature part commonly connected to one end of the first nanowire and one end of the second nanowire; low temperature parts connected to the other end of the first nanowire and the other end of the second nanowire, respectively; an insulation layer formed on the first nanowire and the second nanowire; a first metal layer formed on a portion of the insulation layer over the first nanowire, so as to control an electric potential of the first nanowire; and a second metal layer formed on a portion of the insulation layer over the second nanowire, so as to control an electric potential of the second nanowire.

摘要翻译： 热电装置包括：基板; 第一导电类型的第一纳米线，其形成在基板的一侧上; 与第一纳米线相对的第二导电类型的第二纳米线; 通常连接到第一纳米线的一端和第二纳米线的一端的高温部分; 低温部分分别连接到第一纳米线的另一端和第二纳米线的另一端; 形成在所述第一纳米线和所述第二纳米线上的绝缘层; 形成在第一纳米线上的绝缘层的一部分上的第一金属层，以便控制第一纳米线的电位; 以及形成在第二纳米线上的绝缘层的一部分上的第二金属层，以便控制第二纳米线的电位。

公开(公告)号：US08071396B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12942255

申请日：2010-11-09

申请人： Seung-Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

发明人： Seung-Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/0635 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/79 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  Y10S438/947

摘要： An embedded memory required for a high performance, multifunction SOC, and a method of fabricating the same are provided. The memory includes a bipolar transistor, a phase-change memory device and a MOS transistor, adjacent and electrically connected, on a substrate. The bipolar transistor includes a base composed of SiGe disposed on a collector. The phase-change memory device has a phase-change material layer which is changed from an amorphous state to a crystalline state by a current, and a heating layer composed of SiGe that contacts the lower surface of the phase-change material layer.

摘要翻译： 提供了高性能多功能SOC所需的嵌入式存储器及其制造方法。 存储器包括在衬底上相邻并电连接的双极晶体管，相变存储器件和MOS晶体管。 双极晶体管包括由设置在集电极上的SiGe组成的基极。 相变存储器件具有通过电流从非晶状态转变为结晶态的相变材料层和由与相变材料层的下表面接触的SiGe构成的加热层。

公开(公告)号：US20110198498A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12987459

申请日：2011-01-10

申请人： Young Sam Park ,  Moon Gyu Jang ,  Younghoon Hyun ,  Myungsim Jun ,  Sang Hoon Cheon ,  Taehyoung Zyung

发明人： Young Sam Park ,  Moon Gyu Jang ,  Younghoon Hyun ,  Myungsim Jun ,  Sang Hoon Cheon ,  Taehyoung Zyung

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/02 ,  H01J31/49 ,  G01K7/04 ,  B82Y99/00

CPC分类号： B82Y15/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L35/32 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/33 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a thermoelectric device and a method of forming the same, a temperature sensing sensor, and a heat-source image sensor using the same. The thermoelectric device includes a first nanowire and a second nanowire, a first silicon thin film, a second silicon thin film, and a third silicon thin film. The first nanowire and a second nanowire are disposed on a substrate. The first nanowire and the second nanowire are separated from each other. The first silicon thin film is connected to one end of the first nanowire. The second silicon thin film is connected to one end of the second nanowire. The third silicon thin film is connected to the other ends of the first nanowire and the second nanowire. The first and second nanowires extend in a direction parallel to an upper surface of the substrate.

摘要翻译： 提供了一种热电装置及其形成方法，温度感测传感器和使用该热电装置的热源图像传感器。 热电装置包括第一纳米线和第二纳米线，第一硅薄膜，第二硅薄膜和第三硅薄膜。 第一纳米线和第二纳米线设置在基底上。 第一个纳米线和第二个纳米线彼此分离。 第一硅薄膜连接到第一纳米线的一端。 第二硅薄膜连接到第二纳米线的一端。 第三硅薄膜连接到第一纳米线和第二纳米线的另一端。 第一和第二纳米线在平行于衬底的上表面的方向上延伸。

公开(公告)号：US20100258780A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12821414

申请日：2010-06-23

申请人： Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

发明人： Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a Phase-change Random Access Memory (PRAM) device and a method of manufacturing the same. In particular, a PRAM device including a heating layer, wherein the heating layer comprises first and second heating layers having different physical properties from each other and a method of manufacturing the same are provided. Since the PRAM device according to the present invention includes a heating layer having optimal heating characteristics, a PRAM device having high reliability and excellent operating characteristics can be manufactured.

摘要翻译： 提供了一种相变随机存取存储器（PRAM）装置及其制造方法。 特别地，包括加热层的PRAM装置及其制造方法，其中加热层包括彼此具有不同物理性质的第一和第二加热层。 由于根据本发明的PRAM器件包括具有最佳加热特性的加热层，所以可以制造具有高可靠性和优异的工作特性的PRAM器件。

公开(公告)号：US20080219047A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12040137

申请日：2008-02-29

申请人： Byoung-Gon YU ,  Byung-Do Yang ,  Seung-Yun Lee ,  Sung-Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Nam Yeal Lee

发明人： Byoung-Gon YU ,  Byung-Do Yang ,  Seung-Yun Lee ,  Sung-Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Nam Yeal Lee

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C11/21

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5647

摘要： Provided are an apparatus and method for writing data to a phase-change random access memory (PRAM) by using writing power calculation and data inversion functions, and more particularly, an apparatus and method for writing data which can minimize power consumption by calculating the power consumed while input original data or inverted data is written to a PRAM and storing the data consuming less power. A PRAM consumes a significant amount of power in order to store data in a memory cell since a large electric current is required to flow for a long period of time. According to the present invention, since the PRAM consumes different amounts of power when writing data with a value of 0 and data with a value of 1, the power consumed when input original data is stored and the power consumed when the input original data is inverted and stored are compared to each other, the data with a smaller power consumption is stored when the data is written to the PRAM as a word unit, and thus the power consumption of the PRAM can be reduced.

摘要翻译： 提供了一种通过使用写入功率计算和数据反转功能将数据写入相变随机存取存储器（PRAM）的装置和方法，更具体地，涉及一种用于写入数据的装置和方法，该装置和方法可通过计算功率来最小化功耗 在输入原始数据或反相数据被写入PRAM并存储消耗较少功率的数据时消耗。 由于需要大电流长时间流动，所以PRAM消耗大量的功率以便将数据存储在存储单元中。 根据本发明，由于在写入值为0的数据和值为1的数据时，PRAM消耗不同的功率量，所以当输入原始数据被存储时消耗的功率和当输入的原始数据被反相时消耗的功率 并将其进行存储，将数据作为字单元写入PRAM时，存储具有较小功耗的数据，从而能够降低PRAM的功耗。

公开(公告)号：US07417891B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11635279

申请日：2006-12-07

申请人： Byoung Gon Yu ,  Seung Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu Jeong Choi ,  Nam Yeal Lee

发明人： Byoung Gon Yu ,  Seung Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu Jeong Choi ,  Nam Yeal Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/1213 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

摘要： Provided is a phase change memory device including: a phase change memory unit comprising a phase change layer pattern; a laser beam focusing unit locally focusing a laser beam on the phase change layer pattern of the phase change memory unit; and a semiconductor laser unit generating and emitting the laser beam towards the laser beam focusing unit. Thus set or reset operations in the phase change memory device uses laser beams locally applied, thereby reducing the consumption power and preventing destruction or change in information stored in neighboring cell during the operations of unit cell.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件，包括：相变存储器单元，包括相变层图案; 激光束聚焦单元将激光束局部聚焦在相变存储单元的相变层图案上; 以及向激光束聚焦单元产生并发射激光束的半导体激光器单元。 因此，相变存储器件中的设定或复位操作使用局部施加的激光束，从而在单位电池的操作期间降低消耗功率并防止存储在相邻单元中的信息的破坏或改变。

公开(公告)号：US09029389B2

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：US14112933

申请日：2012-04-20

申请人： Zaesung No ,  Jaeseung Kim ,  Sung-Jun Han ,  Jung Hwan Kim ,  Young Sam Park ,  Sangchul Lee ,  Kiyean Nam ,  Jeongjun Kim ,  Jinhwa Lee ,  Sunhee Kang ,  Min Jung Seo ,  Saeyeon Lee ,  Gahee Choi

发明人： Zaesung No ,  Jaeseung Kim ,  Sung-Jun Han ,  Jung Hwan Kim ,  Young Sam Park ,  Sangchul Lee ,  Kiyean Nam ,  Jeongjun Kim ,  Jinhwa Lee ,  Sunhee Kang ,  Min Jung Seo ,  Saeyeon Lee ,  Gahee Choi

IPC分类号： A61K31/4353 ,  C07D491/113 ,  C07D471/04 ,  C07D487/04 ,  C07D519/00

CPC分类号： C07D491/113 ,  A61K31/4353 ,  C07D471/04 ,  C07D487/04 ,  C07D519/00

摘要： The present invention refers to: a compound having the general formula (I), wherein n is 0, 1, 2 or; m is 0, 1, 2 or 3; o is 0, 1, 2 or 3; W, X, Y and Z are independently selected from CH, N or N-oxide; A is NR4, C═O, C═S, OP(O)(O), P═O, CH2, or a heteroarly selected from the group consisting of (a), (b), (c), (d), (e), (f), (g); V is C═O, O, S, CH2, or NR5; as well as its use in treating inflammatory diseases such as asthma, COPD, inflammation post infection, arthritis, atherosclerosis, pain and dermatitis.

摘要翻译： 本发明涉及：具有通式（I）的化合物，其中n为0,1,2或; m为0,1,2或3; o为0,1,2或3; W，X，Y和Z独立地选自CH，N或N-氧化物; A是NR4，C = O，C≡S，OP（O）（O），P = O，CH2或杂原子选自（a），（b），（c），（d） ，（e），（f），（g）; V是C = O，O，S，CH 2或NR 5; 以及其用于治疗炎性疾病如哮喘，COPD，炎症后感染，关节炎，动脉粥样硬化，疼痛和皮炎的用途。

公开(公告)号：US07989793B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12326776

申请日：2008-12-02

申请人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

发明人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1666

摘要： Provided are a nonvolatile memory device and a method of fabricating the same, in which a phase-change layer is formed using a solid-state reaction to reduce a programmable volume, thereby lessening power consumption. The device includes a first reactant layer, a second reactant layer formed on the first reactant layer, and a phase-change layer formed between the first and second reactant layers due to a solid-state reaction between a material forming the first reactant layer and a material forming the second reactant layer. The phase-change memory device consumes low power and operates at high speed.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，其中使用固态反应形成相变层以减少可编程体积，从而降低功耗。 该装置包括第一反应物层，形成在第一反应物层上的第二反应物层和由形成第一反应物层的材料与第一反应物层之间的固态反应形成在第一和第二反应物层之间的相变层 形成第二反应物层的材料。 相变存储器件消耗低功率并以高速运行。

公开(公告)号：US07855421B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US11633216

申请日：2006-12-04

申请人： Seung-Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

发明人： Seung-Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/0635 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/79 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  Y10S438/947

摘要： An embedded memory required for a high performance, multifunction SOC, and a method of fabricating the same are provided. The memory includes a bipolar transistor, a phase-change memory device and a MOS transistor, adjacent and electrically connected, on a substrate. The bipolar transistor includes a base composed of SiGe disposed on a collector. The phase-change memory device has a phase-change material layer which is changed from an amorphous state to a crystalline state by a current, and a heating layer composed of SiGe that contacts the lower surface of the phase-change material layer.

摘要翻译： 提供了高性能多功能SOC所需的嵌入式存储器及其制造方法。 存储器包括在衬底上相邻并电连接的双极晶体管，相变存储器件和MOS晶体管。 双极晶体管包括由设置在集电极上的SiGe组成的基极。 相变存储器件具有通过电流从非晶状态转变为结晶态的相变材料层和由与相变材料层的下表面接触的SiGe构成的加热层。