公开(公告)号：US20080257156A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12125442

申请日：2008-05-22

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

IPC分类号： B03C3/38 ,  B03C3/00

CPC分类号： B03C3/41 ,  B03C3/60 ,  B03C2201/10 ,  Y10S977/742

摘要： An air particle precipitator and a method of air filtration comprise a housing unit; a first conductor in the housing unit; a second conductor in the housing unit; and a carbon nanotube grown on the second conductor. Preferably, the first conductor is positioned opposite to the second conductor. The air particle precipitator further comprises an electric field source adapted to apply an electric field to the housing unit. Moreover, the carbon nanotube is adapted to ionize gas in the housing unit, wherein the ionized gas charges gas particulates located in the housing unit, and wherein the first conductor is adapted to trap the charged gas particulates. The air particle precipitator may further comprise a metal layer over the carbon nanotube.

摘要翻译： 空气颗粒除尘器和空气过滤方法包括壳体单元; 住房单元中的第一个导体; 壳体单元中的第二导体; 和在第二导体上生长的碳纳米管。 优选地，第一导体与第二导体相对定位。 空气粒子除尘器还包括适于向壳体单元施加电场的电场源。 此外，碳纳米管适于使壳体单元中的气体电离，其中电离气体对位于壳体单元中的气体微粒进行充电，并且其中第一导体适于捕集带电气体微粒。 空气颗粒除尘器还可以包括在碳纳米管上的金属层。

公开(公告)号：US20080248624A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12136158

申请日：2008-06-10

申请人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

发明人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

摘要： A storage cell, integrated circuit (IC) chip with one or more storage cells that may be in an array of the storage cells and a method of forming the storage cell and IC. Each storage cell includes a stylus, the tip of which is phase change material. The phase change tip may be sandwiched between an electrode and conductive material, e.g., titanium nitride (TiN), tantalum nitride (TaN) or n-type semiconductor. The phase change layer may be a chalcogenide and in particular a germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te) (GST) layer.

摘要翻译： 具有一个或多个存储单元的存储单元，集成电路（IC）芯片，其可以是存储单元阵列，以及形成存储单元和IC的方法。 每个存储单元包括触针，其尖端是相变材料。 相变尖端可以夹在电极和导电材料之间，例如氮化钛（TiN），氮化钽（TaN）或n型半导体。 相变层可以是硫族化物，特别是锗（Ge），锑（Sb），碲（Te）（GST）层。

公开(公告)号：US20080217730A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11682928

申请日：2007-03-07

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： Methods of forming a gas dielectric and a related structure are disclosed. In one embodiment, the method includes providing a wiring level including at least one conductive portion within a sacrificial dielectric; forming a nanofiber layer over the wiring level; vaporizing the sacrificial dielectric by heating; evacuating the vaporized sacrificial layer; and sealing pores in the nanofiber layer.

摘要翻译： 公开了形成气体电介质和相关结构的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供包括牺牲电介质内的至少一个导电部分的布线层; 在布线层上形成纳米纤维层; 通过加热蒸发牺牲电介质; 抽空蒸发的牺牲层; 并密封纳米纤维层中的孔。

公开(公告)号：US07402194B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11161220

申请日：2005-07-27

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

IPC分类号： B03C3/60

CPC分类号： B03C3/41 ,  B03C3/60 ,  B03C2201/10 ,  Y10S977/742

摘要： An air particle precipitator and a method of air filtration include a housing unit; a first conductor in the housing unit; a second conductor in the housing unit; and a carbon nanotube grown on the second conductor. Preferably, the first conductor is positioned opposite to the second conductor. The air particle precipitator further includes an electric field source adapted to apply an electric field to the housing unit. Moreover, the carbon nanotube is adapted to ionize gas in the housing unit, wherein the ionized gas charges gas particulates located in the housing unit, and wherein the first conductor is adapted to trap the charged gas particulates. The air particle precipitator may further include a metal layer over the carbon nanotube.

摘要翻译： 空气颗粒除尘器和空气过滤方法包括壳体单元; 住房单元中的第一个导体; 壳体单元中的第二导体; 和在第二导体上生长的碳纳米管。 优选地，第一导体与第二导体相对定位。 空气粒子除尘器还包括适于向壳体单元施加电场的电场源。 此外，碳纳米管适于使壳体单元中的气体电离，其中电离气体对位于壳体单元中的气体微粒进行充电，并且其中第一导体适于捕集带电气体微粒。 空气粒子沉淀器还可以包括在碳纳米管上的金属层。

公开(公告)号：US07381610B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11163966

申请日：2005-11-04

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  William R. Tonti

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  William R. Tonti

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28114

摘要： A structure and a method for forming the same. The structure includes (a) a semiconductor layer including a channel region disposed between first and second S/D regions; (b) a gate dielectric region on the channel region; (c) a gate region on the gate dielectric region and electrically insulated from the channel region by the gate dielectric region; (d) a protection umbrella region on the gate region, wherein the protection umbrella region comprises a first dielectric material, and wherein the gate region is completely in a shadow of the protection umbrella region; and (e) a filled contact hole (i) directly above and electrically connected to the second S/D region and (ii) aligned with an edge of the protection umbrella region, wherein the contact hole is physically isolated from the gate region by an inter-level dielectric (ILD) layer which comprises a second dielectric material different from the first dielectric material.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该结构包括（a）包括设置在第一和第二S / D区之间的沟道区的半导体层; （b）沟道区上的栅介质区; （c）栅极电介质区域上的栅极区域，并且通过栅极电介质区域与沟道区域电绝缘; （d）栅极区域上的保护伞区域，其中保护伞区域包括第一介电材料，并且其中栅极区域完全处于保护伞区域的阴影中; 和（e）直接在第二S / D区域上方并电连接到第二S / D区域的填充接触孔（i）和（ii）与保护伞区域的边缘对准，其中接触孔通过一个 层间介电层（ILD）层，其包括不同于第一介电材料的第二电介质材料。

公开(公告)号：US07358120B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US11672251

申请日：2007-02-07

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Jack A. Mandelman

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Jack A. Mandelman

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11213

摘要： A silicon-on-insulator (SOI) Read Only Memory (ROM), and a method of making the SOI ROM. ROM cells are located at the intersections of stripes in the surface SOI layer with orthogonally oriented wires on a conductor layer. Contacts from the wires connect to ROM cell diodes in the upper surface of the stripes. ROM cell personalization is the presence or absence of a diode and/or contact.

摘要翻译： 绝缘体上硅（SOI）只读存储器（ROM）以及制造SOI ROM的方法。 ROM单元位于导体层上的表面SOI层中的条纹与正交取向的导线之间的交叉处。 电线的触点连接到条纹上表面的ROM单元二极管。 ROM单元个性化是存在或不存在二极管和/或接触。

公开(公告)号：US07352607B2

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：US11161183

申请日：2005-07-26

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/77 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/939 ,  Y10S977/943

摘要： Non-volatile and radiation-hard switching and memory devices using vertical nano-tubes and reversibly held in state by van der Waals' forces and methods of fabricating the devices. Methods of sensing the state of the devices include measuring capacitance, and tunneling and field emission currents.

摘要翻译： 使用垂直纳米管的非易失性和辐射硬的开关和存储器件，并通过范德华力力可逆地保持状态和制造器件的方法。 检测器件状态的方法包括测量电容，隧穿和场发射电流。

公开(公告)号：US07348634B2

公开(公告)日：2008-03-25

申请号：US11445786

申请日：2006-06-02

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3147 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878

摘要： A method and structure for forming a semiconductor structure. A semiconductor substrate is provided. A trench is formed within the semiconductor substrate. A first layer of electrically insulative material is formed within the trench. A first portion and a second portion of the first layer of electrically insulative material is removed. A second layer of electrically insulative material is selectively grown on the first layer comprising the removed first portion and the removed second portion.

摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法和结构。 提供半导体衬底。 在半导体衬底内形成沟槽。 第一层电绝缘材料形成在沟槽内。 去除第一层电绝缘材料的第一部分和第二部分。 选择性地在第一层上生长第二层电绝缘材料，该第一层包括去除的第一部分和被去除的第二部分。

公开(公告)号：US07335930B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US11679873

申请日：2007-02-28

申请人： Toshiharu Furukawa ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： An SRAM cell. The SRAM cell including: a first gate segment common to a first PFET and a first NFET, a second gate segment common to a second PFET and a second NFET; a first silicide layer contacting a first end of the first gate segment and a drain of the second PFET; a second silicide layer contacting a sidewall contact region of the second gate segment and a drain of the first PFET; a third silicide layer contacting a sidewall contact region of the first gate segment and a drain of the second NFET; a fourth silicide layer contacting a first end of the second gate segment, a drain of the first PFET and a drain of a fourth NFET; and a fifth silicide layer contacting a second end of the first gate segment and a drain of a third NFET.

摘要翻译： 一个SRAM单元。 该SRAM单元包括：第一PFET和第一NFET公共的第一栅极段，与第二PFET和第二NFET共用的第二栅极段; 接触第一栅极段的第一端和第二PFET的漏极的第一硅化物层; 接触第二栅极段的侧壁接触区域和第一PFET的漏极的第二硅化物层; 接触第一栅极段的侧壁接触区域和第二NFET的漏极的第三硅化物层; 接触第二栅极段的第一端的第四硅化物层，第一PFET的漏极和第四NFET的漏极; 以及接触第一栅极段的第二端和第三NFET的漏极的第五硅化物层。

公开(公告)号：US07256114B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10905881

申请日：2005-01-25

申请人： Steven J. Holmes ,  Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Larry A. Nesbit

发明人： Steven J. Holmes ,  Toshiharu Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Larry A. Nesbit

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

摘要： A process for forming a semiconductor device having an oxide beanie structure (an oxide cap overhanging an underlying portion of the device). An oxide layer is first provided covering that portion, with the layer having a top surface and a side surface. The top and side surfaces are then exposed to an oxide deposition bath, thereby causing deposition of oxide on those surfaces. Deposition of oxide on the top surface causes growth of the cap layer in a vertical direction and deposition of oxide on the side surface causes growth of the cap layer in a horizontal direction, thereby forming the beanie structure.

摘要翻译： 一种用于形成具有氧化物结构的氧化物半导体器件的方法（在器件的下面突出的氧化物盖）。 首先设置覆盖该部分的氧化物层，该层具有顶表面和侧表面。 然后将顶表面和侧表面暴露于氧化物沉积浴中，从而在这些表面上沉积氧化物。 顶部表面上的氧化物的沉积导致盖层在垂直方向上的生长，并且在侧面上的氧化物的沉积导致盖层在水平方向上的生长，从而形成豆瓣结构。