公开(公告)号：US06490145B1

公开(公告)日：2002-12-03

申请号：US09908819

申请日：2001-07-18

申请人： Arnold V. Kholodenko ,  You Wang ,  Tony S. Kaushal ,  Semyon L. Kats

发明人： Arnold V. Kholodenko ,  You Wang ,  Tony S. Kaushal ,  Semyon L. Kats

IPC分类号： H01T2300

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/6831

摘要： A ceramic substrate support and methods for fabricating the same are provided. In one embodiment, a ceramic substrate support for supporting a substrate includes a ceramic body and a porous member disposed therein. The ceramic body generally has an upper portion and a lower portion. The upper portion includes a support surface while the lower portion includes a bottom surface. At least one passage is disposed in the lower portion of the ceramic body. A first end of the passage is at least partially closed by the upper portion of the ceramic body. At least one outlet is disposed through the portion of the ceramic body through the upper portion of the ceramic body and fluidly couples the passage to the support surface.

摘要翻译： 提供陶瓷基板支撑件及其制造方法。 在一个实施例中，用于支撑衬底的陶瓷衬底支撑件包括陶瓷体和设置在其中的多孔构件。 陶瓷体通常具有上部和下部。 上部包括支撑表面，而下部包括底面。 至少一个通道设置在陶瓷体的下部。 通道的第一端至少部分地被陶瓷体的上部封闭。 至少一个出口通过陶瓷体的上部穿过陶瓷体的部分，并将通道流体地连接到支撑表面。

公开(公告)号：US06414834B1

公开(公告)日：2002-07-02

申请号：US09596108

申请日：2000-06-16

申请人： Edwin C. Weldon ,  Kenneth S. Collins ,  Arik Donde ,  Brian Lue ,  Dan Maydan ,  Robert J. Steger ,  Timothy Dyer ,  Ananda H. Kumar ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  Dennis S. Grimard

发明人： Edwin C. Weldon ,  Kenneth S. Collins ,  Arik Donde ,  Brian Lue ,  Dan Maydan ,  Robert J. Steger ,  Timothy Dyer ,  Ananda H. Kumar ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  Dennis S. Grimard

IPC分类号： H02N1300

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C16/4586 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  Y10T279/23

摘要： An electrostatic chuck 100 useful for holding a substrate 55 in a high density plasma, comprises an electrode 110 at least partially covered by a semiconducting dielectric 115, wherein the semiconducting dielectric 115 may have an electrical resistance of from about 5×109 &OHgr;cm to about 8×1010 &OHgr;cm.

摘要翻译： 用于将衬底55保持在高密度等离子体中的静电卡盘100包括至少部分被半导体电介质115覆盖的电极110，其中半导体电介质115可具有约5×10 9欧姆到约8×10 10欧姆·厘米的电阻。

公开(公告)号：US07672110B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11214286

申请日：2005-08-29

申请人： Jennifer Y. Sun ,  James Dempster ,  Semyon L. Kats ,  Allen Fox

发明人： Jennifer Y. Sun ,  James Dempster ,  Semyon L. Kats ,  Allen Fox

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01T23/00 ,  B23B31/28

CPC分类号： H01L21/6833 ,  Y10T279/23

摘要： An electrostatic chuck has an electrode embedded in a dielectric which is mounted on a pedestal. The dielectric has a contact surface with an average surface roughness of less than about 0.5 μm, a surface peak waviness of less than about 0.12 μm, and a surface peak waviness material ratio of greater than about 20%. The surface texture can be formed by lapping the dielectric surface with a slurry of abrasive particles.

摘要翻译： 静电吸盘具有嵌入在基座上的电介质中的电极。 电介质具有平均表面粗糙度小于约0.5μm的接触表面，小于约0.12μm的表面波峰波纹，以及大于约20％的表面波峰厚度材料比。 可以通过用研磨颗粒的浆料研磨电介质表面来形成表面纹理。

公开(公告)号：US06721162B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10095914

申请日：2002-03-12

申请人： Edwin C. Weldon ,  Kenneth S. Collins ,  Arik Donde ,  Brian Lue ,  Dan Maydan ,  Robert J. Steger ,  Timothy Dyer ,  Ananda H. Kumar ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  Dennis S. Grimard

发明人： Edwin C. Weldon ,  Kenneth S. Collins ,  Arik Donde ,  Brian Lue ,  Dan Maydan ,  Robert J. Steger ,  Timothy Dyer ,  Ananda H. Kumar ,  Alexander M. Veytser ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  Dennis S. Grimard

IPC分类号： H02N1300

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C16/4586 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  Y10T279/23

摘要： An electrostatic chuck has an electrode capable of being electrically charged to electrostatically hold a substrate. A composite layer covers the electrode. The composite layer comprises (1) a first dielectric material covering a central portion of the electrode, and (2) a second dielectric material covering a peripheral portion of the electrode, the second dielectric material having a different composition than the composition of the first dielectric material. The chuck is useful in a plasma process chamber to process substrates, such as semiconductor wafers.

摘要翻译： 静电吸盘具有能够带电的电极，以静电保持基板。 复合层覆盖电极。 复合层包括（1）覆盖电极的中心部分的第一电介质材料，和（2）覆盖电极的周边部分的第二电介质材料，第二电介质材料的组成不同于第一电介质的组成 材料。 卡盘在等离子体处理室中可用于处理诸如半导体晶片的基板。

公开(公告)号：US06310755B1

公开(公告)日：2001-10-30

申请号：US09307215

申请日：1999-05-07

申请人： Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  You Wang ,  Wing L. Cheng ,  Alexander M. Veytser ,  Surinder S. Bedi ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Ananda H. Kumar

发明人： Arnold Kholodenko ,  Shamouil Shamouilian ,  You Wang ,  Wing L. Cheng ,  Alexander M. Veytser ,  Surinder S. Bedi ,  Kadthala R. Narendrnath ,  Semyon L. Kats ,  Dennis S. Grimard ,  Ananda H. Kumar

IPC分类号： H01G2300

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/185 ,  C04B35/806 ,  C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/60 ,  C22C29/00 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4523

摘要： An electrostatic chuck 55 has an electrostatic member 100 including a dielectric 115 having a surface 120 adapted to receive the substrate 30. The dielectric 115 covers an electrode 105 that is chargeable to electrostatically hold the substrate 30. A support 190 below the electrostatic member 100 has a cavity 300 adapted to hold a gas to serve as a thermal insulator to regulate the flow of heat from the electrostatic chuck 55 to a surface 120 of the chamber 25. The cavity 300 has a cross-sectional profile that is shaped to provide a predetermined temperature profile across the substrate 30.

摘要翻译： 静电吸盘55具有静电构件100，静电构件100包括具有适于接纳衬底30的表面120的电介质115.电介质115覆盖电极105，电极105可充电以静电保持衬底30.静电构件100下方的支撑件190具有 空腔300适于保持气体以用作热绝缘体，以调节从静电卡盘55到腔室25的表面120的热量流动。空腔300具有截面轮廓，其形状设置成提供预定的 跨越衬底30的温度分布。