公开(公告)号：US20120289126A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13472179

申请日：2012-05-15

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Veddantham

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Veddantham

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： C30B29/20 ,  B24B7/228 ,  B24B27/0633 ,  B24D3/06 ,  B24D5/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H04L29/12028 ,  H04L29/12594 ,  H04L61/103 ,  H04L61/3065 ,  H04L67/327 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00

摘要： A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 μm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

摘要翻译： 蓝宝石衬底包括具有选自由a面，r面，m面和c面取向组成的组的结晶取向并且具有不大于约0.037μm/ cm 2的nTTV的大致平坦表面， 其中nTTV是对于大致平坦的表面的表面积进行标准化的总厚度变化，所述基底的直径不小于约9.0cm。

公开(公告)号：US20080166951A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11963454

申请日：2007-12-21

申请人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham

发明人： Brahmanandam V. Tanikella ,  Palaniappan Chinnakaruppan ,  Robert A. Rizzuto ,  Isaac K. Cherian ,  Ramanujam Vedantham

IPC分类号： B24B7/04 ,  B24B7/22 ,  C09K3/14

CPC分类号： B24B7/228 ,  B24B1/00

摘要： A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 μm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

摘要翻译： 蓝宝石衬底包括具有选自由a面，r面，m面和c面取向组成的组的晶体取向的大致平坦的表面，并且具有不大于约0.037μm/ cm 3的nTTV， SUP> 2，其中nTTV是对于大体上平坦的表面的表面积归一化的总厚度变化，所述基底具有不小于约9.0cm的直径。

公开(公告)号：US06238450B1

公开(公告)日：2001-05-29

申请号：US09553968

申请日：2000-04-21

申请人： Ajay K. Garg ,  Brahmanandam V. Tanikella ,  Arup Khaund

发明人： Ajay K. Garg ,  Brahmanandam V. Tanikella ,  Arup Khaund

IPC分类号： C04B3550

CPC分类号： C01F17/0043 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625

摘要： A polishing slurry, useful in optical or CMP applications, comprises a ceria with a BET surface area of at least 10 m2/gm. The slurry may be made by subjecting a commercial ceria slurry comprising agglomerates to a mechano-chemical treatment at a pH of from 9 to 11 using media that are low purity alpha alumina or zirconia. Preferred slurries maintain a positive surface charge at all pH values. CMP slurries preferably comprise in addition an anionic surfactant to aid in removal of surface residues.

摘要翻译： 可用于光学或CMP应用的抛光浆料包含BET表面积至少为10m 2 / gm的二氧化铈。 可以通过使用低纯度α氧化铝或氧化锆的介质，使包含附聚物的商业二氧化铈浆料在pH为9至11的机械化学处理下进行制备浆料。 优选的浆料在所有pH值下保持正表面电荷。 CMP浆料优选还包含阴离子表面活性剂以帮助除去表面残留物。