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    Method for fabricating metal silicide
    11.
    发明申请
    Method for fabricating metal silicide 审中-公开
    金属硅化物的制造方法

    公开(公告)号：US20080009134A1

    公开(公告)日：2008-01-10

    申请号：US11482604

    申请日：2006-07-06

    申请人： Tsung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yi-Wei Chen ,  Yu-Lan Chang ,  Chien-Chung Huang

    发明人： Tsung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yi-Wei Chen ,  Yu-Lan Chang ,  Chien-Chung Huang

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/28518

    摘要： A method for fabricating a metal silicide is described. First, a silicon material layer is provided. An alloy layer is formed on the silicon material layer, and the alloy layer is made from a first metal and a second metal, wherein, the first metal is a refractory metal, and the second metal is selected from a group consisting of Pt, Pd, Mo, Ru, and Ta. A first rapid thermal process (RTP) is performed at a first temperature. A first cleaning process is performed by using a cleaning solution. A second RTP is performed at a second temperature, wherein the second temperature is higher than the first temperature. A second cleaning process is performed by using a cleaning solution including a hydrochloric acid.

    摘要翻译： 对金属硅化物的制造方法进行说明。 首先，提供硅材料层。 在硅材料层上形成合金层，合金层由第一金属和第二金属制成，其中第一金属为难熔金属，第二金属选自Pt，Pd ，Mo，Ru和Ta。 在第一温度下进行第一快速热处理（RTP）。 通过使用清洁溶液进行第一清洁处理。 在第二温度下执行第二RTP，其中第二温度高于第一温度。 通过使用包含盐酸的清洗溶液进行第二清洗处理。

    Semiconductor device
    14.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US07482668B2

    公开(公告)日：2009-01-27

    申请号：US11829087

    申请日：2007-07-27

    申请人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    发明人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    IPC分类号： H01L31/07

    CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

    摘要： A semiconductor device is provided. A transistor is formed on a substrate, and a metal silicide layer is formed on the surface of a gate conductor layer and a source/drain region. Next, a surface treatment process is performed to selectively form a protection layer on the surface of the metal silicide layer. Then, a spacer of the transistor is partially removed using the protection layer as a mask, so as to reduce the width of the spacer. Then, a stress layer is formed on the substrate.

    摘要翻译： 提供一种半导体器件。 在基板上形成晶体管，在栅极导体层和源极/漏极区域的表面上形成金属硅化物层。 接下来，进行表面处理工艺以在金属硅化物层的表面上选择性地形成保护层。 然后，使用保护层作为掩模来部分地去除晶体管的间隔物，以便减小间隔物的宽度。 然后，在基板上形成应力层。

    Method of fabricating a semiconductor device
    15.
    发明授权
    Method of fabricating a semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07390729B2

    公开(公告)日：2008-06-24

    申请号：US11309740

    申请日：2006-09-21

    申请人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    发明人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

    摘要： A method of fabricating semiconductor device is provided. A transistor is formed on a substrate, and a metal silicide layer is formed on the surface of a gate conductor layer and a source/drain region. Next, a surface treatment process is performed to selectively form a protection layer on the surface of the metal silicide layer. Then, a spacer of the transistor is partially removed using the protection layer as a mask, so as to reduce the width of the spacer. Then, a stress layer is formed on the substrate.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 在基板上形成晶体管，在栅极导体层和源极/漏极区域的表面上形成金属硅化物层。 接下来，进行表面处理工艺以在金属硅化物层的表面上选择性地形成保护层。 然后，使用保护层作为掩模来部分地去除晶体管的间隔物，以便减小间隔物的宽度。 然后，在基板上形成应力层。

    METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
    16.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20080076213A1

    公开(公告)日：2008-03-27

    申请号：US11309740

    申请日：2006-09-21

    申请人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    发明人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    IPC分类号： H01L21/8234

    CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

    摘要： A method of fabricating semiconductor device is provided. A transistor is formed on a substrate, and a metal suicide layer is formed on the surface of a gate conductor layer and a source/drain region. Next, a surface treatment process is performed to selectively form a protection layer on the surface of the metal silicide layer. Then, a spacer of the transistor is partially removed using the protection layer as a mask, so as to reduce the width of the spacer. Then, a stress layer is formed on the substrate.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 在基板上形成晶体管，在栅极导体层和源极/漏极区域的表面上形成金属硅化物层。 接下来，进行表面处理工艺以在金属硅化物层的表面上选择性地形成保护层。 然后，使用保护层作为掩模来部分地去除晶体管的间隔物，以便减小间隔物的宽度。 然后，在基板上形成应力层。

    SEMICONDUCTOR DEVICE
    17.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20080073727A1

    公开(公告)日：2008-03-27

    申请号：US11829087

    申请日：2007-07-27

    申请人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    发明人： Chao-Ching Hsieh ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

    摘要： A semiconductor device is provided. A transistor is formed on a substrate, and a metal silicide layer is formed on the surface of a gate conductor layer and a source/drain region. Next, a surface treatment process is performed to selectively form a protection layer on the surface of the metal silicide layer. Then, a spacer of the transistor is partially removed using the protection layer as a mask, so as to reduce the width of the spacer. Then, a stress layer is formed on the substrate.

    摘要翻译： 提供半导体器件。 在基板上形成晶体管，在栅极导体层和源极/漏极区域的表面上形成金属硅化物层。 接下来，进行表面处理工艺以在金属硅化物层的表面上选择性地形成保护层。 然后，使用保护层作为掩模来部分地去除晶体管的间隔物，以便减小间隔物的宽度。 然后，在基板上形成应力层。

    High voltage battery system for vehicle applications
    18.
    发明授权
    High voltage battery system for vehicle applications 有权
    用于车辆应用的高压电池系统

    公开(公告)号：US09184605B2

    公开(公告)日：2015-11-10

    申请号：US13073091

    申请日：2011-03-28

    申请人： Tsun Yu Chang ,  Chun-Chieh Chang

    发明人： Tsun Yu Chang ,  Chun-Chieh Chang

    IPC分类号： H04B3/00 ,  H02J7/00 ,  B60L11/18

    CPC分类号： H02J7/0016 ,  B60L11/1866 ,  B60L2240/545 ,  H02J7/0026 ,  H04B3/00 ,  Y02T10/7005 ,  Y02T10/7055 ,  Y02T10/7061 ,  Y10T307/735

    摘要： In one embodiment, a battery management system comprising a first circuit comprising a first plurality of circuit elements arranged in series, the first plurality of circuit elements comprising: a direct current (DC) voltage source, and first plural switching devices, each of the first plural switching devices connected to, and operably switched by, a first detection device associated with a battery module to cause a voltage difference responsive to detection of an event corresponding to operation of the battery module.

    摘要翻译： 在一个实施例中，一种电池管理系统，包括包括串联布置的第一多个电路元件的第一电路，所述第一多个电路元件包括：直流（DC）电压源和第一多个开关装置， 通过与电池模块相关联的第一检测装置连接并可操作地切换多个开关装置，以响应于检测到与电池模块的操作相关的事件而产生电压差。

    STATE OF CHARGE DETERMINATION SYSTEMS AND METHODS
    20.
    发明申请
    STATE OF CHARGE DETERMINATION SYSTEMS AND METHODS 有权
    充电确定系统和方法的状态

    公开(公告)号：US20120249086A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13073060

    申请日：2011-03-28

    申请人： Chun-Chieh Chang ,  Tsun Yu Chang

    发明人： Chun-Chieh Chang ,  Tsun Yu Chang

    IPC分类号： H02J7/00

    CPC分类号： G01R31/3624

    摘要： In one embodiment, a method implemented by a processor, comprising receiving voltage values corresponding to a battery system, receiving charge values corresponding to charge flowing through the battery system, and determining a state of charge based on specified anchoring points of a charge integration, the anchoring points based on the received voltage and time.

    摘要翻译： 在一个实施例中，一种由处理器实现的方法，包括接收对应于电池系统的电压值，接收对应于流过电池系统的电荷的电荷值，以及基于电荷积分的指定锚定点确定电荷状态， 基于接收电压和时间的固定点。