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    Method for fabricating metal silicide
    1.
    发明申请
    Method for fabricating metal silicide 审中-公开
    金属硅化物的制造方法

    公开(公告)号：US20080009134A1

    公开(公告)日：2008-01-10

    申请号：US11482604

    申请日：2006-07-06

    申请人： Tsung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yi-Wei Chen ,  Yu-Lan Chang ,  Chien-Chung Huang

    发明人： Tsung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yi-Wei Chen ,  Yu-Lan Chang ,  Chien-Chung Huang

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/28518

    摘要： A method for fabricating a metal silicide is described. First, a silicon material layer is provided. An alloy layer is formed on the silicon material layer, and the alloy layer is made from a first metal and a second metal, wherein, the first metal is a refractory metal, and the second metal is selected from a group consisting of Pt, Pd, Mo, Ru, and Ta. A first rapid thermal process (RTP) is performed at a first temperature. A first cleaning process is performed by using a cleaning solution. A second RTP is performed at a second temperature, wherein the second temperature is higher than the first temperature. A second cleaning process is performed by using a cleaning solution including a hydrochloric acid.

    摘要翻译： 对金属硅化物的制造方法进行说明。 首先，提供硅材料层。 在硅材料层上形成合金层，合金层由第一金属和第二金属制成，其中第一金属为难熔金属，第二金属选自Pt，Pd ，Mo，Ru和Ta。 在第一温度下进行第一快速热处理（RTP）。 通过使用清洁溶液进行第一清洁处理。 在第二温度下执行第二RTP，其中第二温度高于第一温度。 通过使用包含盐酸的清洗溶液进行第二清洗处理。

    SILICIDATION PROCESS FOR MOS TRANSISTOR AND TRANSISTOR STRUCTURE
    4.
    发明申请
    SILICIDATION PROCESS FOR MOS TRANSISTOR AND TRANSISTOR STRUCTURE 审中-公开
    MOS晶体管和晶体管结构的硅化过程

    公开(公告)号：US20080224232A1

    公开(公告)日：2008-09-18

    申请号：US11687185

    申请日：2007-03-16

    申请人： Chao-Ching Hsieh ,  Yu-Lan Chang ,  Chien-Chung Huang ,  Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Yi-Wei Chen

    发明人： Chao-Ching Hsieh ,  Yu-Lan Chang ,  Chien-Chung Huang ,  Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Yi-Wei Chen

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/3211 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545

    摘要： A silicidation process for a MOS transistor and a resulting transistor structure are described. The MOS transistor includes a silicon substrate, a gate dielectric layer, a silicon gate, a cap layer on the silicon gate, a spacer on the sidewalls of the silicon gate and the cap layer, and S/D regions in the substrate beside the silicon gate. The process includes forming a metal silicide layer on the S/D regions, utilizing plasma of a reactive gas to react a surface layer of the metal silicide layer into a passivation layer, removing the cap layer and then reacting the silicon gate into a fully silicided gate.

    摘要翻译： 描述了用于MOS晶体管和所得晶体管结构的硅化工艺。 MOS晶体管包括硅衬底，栅极电介质层，硅栅极，硅栅极上的覆盖层，硅栅极和帽层的侧壁上的间隔物，以及位于硅的旁边的衬底中的S / D区域 门。 该方法包括在S / D区上形成金属硅化物层，利用反应气体的等离子体将金属硅化物层的表面层反应成钝化层，去除覆盖层，然后使硅栅极反应成完全硅化物 门。

    Method of removing material layer and remnant metal
    5.
    发明授权
    Method of removing material layer and remnant metal 有权
    去除材料层和残余金属的方法

    公开(公告)号：US07884028B2

    公开(公告)日：2011-02-08

    申请号：US11733762

    申请日：2007-04-10

    申请人： Yi-Wei Chen ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung ,  Yu-Lan Chang ,  Chao-Ching Hsieh

    发明人： Yi-Wei Chen ,  Chun-Chieh Chang ,  Tzung-Yu Hung ,  Yu-Lan Chang ,  Chao-Ching Hsieh

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/28052 ,  C23F1/08 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6708 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A method of removing material layer is disclosed. First, a semiconductor substrate is fixed on a rotating platform, where a remnant material layer is included on the surface of the semiconductor substrate. Afterward, an etching process is carried out. In the etching process, the rotating platform is rotated, and an etching solution is sprayed from a center region and a side region of the rotating platform toward the semiconductor substrate until the material layer is removed. Since the semiconductor substrate is etched by the etching solution sprayed from both the center region and the side region of the rotating platform, the etching uniformity of the semiconductor substrate is improved.

    摘要翻译： 公开了去除材料层的方法。 首先，将半导体基板固定在旋转平台上，在半导体基板的表面上包含残留材料层。 之后，进行蚀刻处理。 在蚀刻工艺中，旋转平台旋转，并且蚀刻溶液从旋转平台的中心区域和侧部区域朝向半导体衬底喷射直到材料层被去除。 由于通过从旋转平台的中心区域和侧面区域喷射的蚀刻溶液蚀刻半导体衬底，所以提高了半导体衬底的蚀刻均匀性。

    METHOD FOR FORMING METAL SILICIDE LAYER
    6.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING METAL SILICIDE LAYER 有权
    形成金属硅酸盐层的方法

    公开(公告)号：US20080194100A1

    公开(公告)日：2008-08-14

    申请号：US11673145

    申请日：2007-02-09

    申请人： Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yu-Lan Chang ,  Yi-Wei Chen

    发明人： Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yu-Lan Chang ,  Yi-Wei Chen

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/28518

    摘要： The invention provides a method for forming a metal silicide layer. The method comprises steps of providing a substrate and forming a nickel-noble metal layer over the substrate. A grain boundary sealing layer is formed on the nickel-noble metal layer and then an oxygen diffusion barrier layer is formed on the grain boundary sealing layer. Thereafter, a rapid thermal process is performed to transform a portion of the nickel-noble metal layer into a metal silicide layer. Finally, the oxygen diffusion barrier layer, the grain boundary sealing layer and the rest portion of the nickel-noble metal layer are removed.

    摘要翻译： 本发明提供一种形成金属硅化物层的方法。 该方法包括提供衬底并在衬底上形成镍 - 贵金属层的步骤。 在镍 - 贵金属层上形成晶界密封层，然后在晶界密封层上形成氧扩散阻挡层。 此后，进行快速热处理以将一部分镍 - 贵金属层转变为金属硅化物层。 最后，除去氧扩散阻挡层，晶界密封层和镍 - 贵金属层的其余部分。

    Method for fabricating semiconductor MOS device
    8.
    发明授权
    Method for fabricating semiconductor MOS device 有权
    制造半导体MOS器件的方法

    公开(公告)号：US07785972B2

    公开(公告)日：2010-08-31

    申请号：US11463007

    申请日：2006-08-08

    申请人： Yu-Lan Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yi-Wei Chen ,  Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang

    发明人： Yu-Lan Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yi-Wei Chen ,  Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A method of making a transistor device having silicided source/drain is provided. A gate electrode is formed on a substrate with a gate dielectric layer therebetween. A spacer is formed on sidewalls of the gate electrode. A source/drain is implanted into the substrate. A pre-amorphization implant (PAI) is performed to form an amorphized layer on the source/drain. A post-PAI annealing process is performed to repair defects formed during the PAI process. A metal silicide layer is then formed from the amorphized layer.

    摘要翻译： 提供了制造具有硅化物源极/漏极的晶体管器件的方法。 栅电极形成在基板上，栅电介质层之间。 在栅电极的侧壁上形成间隔物。 将源极/漏极注入到衬底中。 进行前非晶化植入（PAI）以在源极/漏极上形成非晶化层。 进行后PAI退火处理以修复在PAI过程期间形成的缺陷。 然后从非晶化层形成金属硅化物层。

    Method for forming metal silicide layer
    10.
    发明授权
    Method for forming metal silicide layer 有权
    金属硅化物层的形成方法

    公开(公告)号：US07553762B2

    公开(公告)日：2009-06-30

    申请号：US11673145

    申请日：2007-02-09

    申请人： Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yu-Lan Chang ,  Yi-Wei Chen

    发明人： Tzung-Yu Hung ,  Chun-Chieh Chang ,  Chao-Ching Hsieh ,  Yu-Lan Chang ,  Yi-Wei Chen

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/28518

    摘要： The invention provides a method for forming a metal silicide layer. The method comprises steps of providing a substrate and forming a nickel-noble metal layer over the substrate. A grain boundary sealing layer is formed on the nickel-noble metal layer and then an oxygen diffusion barrier layer is formed on the grain boundary sealing layer. Thereafter, a rapid thermal process is performed to transform a portion of the nickel-noble metal layer into a metal silicide layer. Finally, the oxygen diffusion barrier layer, the grain boundary sealing layer and the rest portion of the nickel-noble metal layer are removed.

    摘要翻译： 本发明提供一种形成金属硅化物层的方法。 该方法包括提供衬底并在衬底上形成镍 - 贵金属层的步骤。 在镍 - 贵金属层上形成晶界密封层，然后在晶界密封层上形成氧扩散阻挡层。 此后，进行快速热处理以将一部分镍 - 贵金属层转变为金属硅化物层。 最后，除去氧扩散阻挡层，晶界密封层和镍 - 贵金属层的其余部分。