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132 条记录 (耗时 0.037 秒)

    RFID tag chips and tags with alternative memory lock bits and methods
    11.
    发明授权
    RFID tag chips and tags with alternative memory lock bits and methods 有权
    RFID标签芯片和标签具有替代的存储器锁定位和方法

    公开(公告)号：US07872582B1

    公开(公告)日：2011-01-18

    申请号：US11872774

    申请日：2007-10-16

    申请人： Christopher J. Diorio

    发明人： Christopher J. Diorio

    IPC分类号： G08B13/14 ,  G08B13/26 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28 ,  G11C5/14

    CPC分类号： G06K7/0008 ,  G06K7/10138

    摘要： RFID tag circuits, tags, and methods are provided for using alternative memory lock bits. A pointer in tag memory is configured to point to one or the other of the alternative lock bits associated with a section of the memory for performing a function in response to a reader command. Upon receiving the reader command, the tag first checks the pointer and performs the function based on which lock bit(s) is selected.

    摘要翻译： 提供RFID标签电路，标签和方法用于使用备用存储器锁定位。 标签存储器中的指针被配置为指向与存储器的一部分相关联的替代锁定位中的一个或另一个，以响应于读取器命令执行功能。 在接收到读取器命令时，标签首先检查指针并基于哪个锁定位被选择来执行该功能。

    RFID tag uncoupling one of its antenna ports and methods
    13.
    发明授权
    RFID tag uncoupling one of its antenna ports and methods 有权
    RFID标签解耦其天线端口之一和方法

    公开(公告)号：US07667589B2

    公开(公告)日：2010-02-23

    申请号：US10891894

    申请日：2004-07-14

    申请人： Dimitri C. Desmons ,  Ronald A. Oliver ,  Christopher J. Diorio ,  Todd E. Humes

    发明人： Dimitri C. Desmons ,  Ronald A. Oliver ,  Christopher J. Diorio ,  Todd E. Humes

    IPC分类号： G08B19/00

    CPC分类号： G06K19/07767 ,  G06K19/07749

    摘要： RFID tags have an on-chip antenna and an off-chip antenna. One of the antennas can become uncoupled if the proper signal is received, while the other antenna may still operate. The uncoupled antenna can be the larger one, for example the off-chip antenna. Then the tag can then be read only by the smaller antenna, which effectively reduces the range of the RFID tag, but without disabling it entirely.

    摘要翻译： RFID标签具有片上天线和片外天线。 如果接收到适当的信号，其中一个天线可能会脱耦，而另一个天线仍然可以工作。 非耦合天线可以是较大的天线，例如片外天线。 那么标签然后可以被较小的天线读取，这有效地减少了RFID标签的范围，但是没有完全禁用它。

    RFID TAGS WITH POWER RECTIFIERS THAT HAVE BIAS
    14.
    发明申请
    RFID TAGS WITH POWER RECTIFIERS THAT HAVE BIAS 有权
    RFID标签与具有偏置的功率整流器

    公开(公告)号：US20090237220A1

    公开(公告)日：2009-09-24

    申请号：US12475899

    申请日：2009-06-01

    申请人： Ronald A. Oliver ,  Christopher J. Diorio

    发明人： Ronald A. Oliver ,  Christopher J. Diorio

    IPC分类号： H04B7/00 ,  H04B1/16

    CPC分类号： G06K19/0723 ,  G06K19/0701

    摘要： A system and method for generating a rectified signal in a RFID tag. An alternating signal is received by the RFID tag, and a first phase of the alternating signal is coupled to a gate and to a first non-controlling terminal of a first switching transistor. The non-controlling terminal of the first switching transistor is one of a source and a drain of the first switching transistor. A first bias voltage is applied between the first non-controlling terminal and the gate of the first switching transistor and a rectified voltage is received between the first non-controlling terminal and a second non-controlling terminal of the first switching transistor.

    摘要翻译： 一种用于在RFID标签中产生整流信号的系统和方法。 交替信号由RFID标签接收，交流信号的第一相耦合到第一开关晶体管的栅极和第一非控制端子。 第一开关晶体管的非控制端子是第一开关晶体管的源极和漏极之一。 在第一非控制端子和第一开关晶体管的栅极之间施加第一偏置电压，并且在第一非控制端子和第一开关晶体管的第二非控制端子之间接收整流电压。

    RFID readers and tags transmitting and receiving waveform segment with ending-triggering transition
    16.
    发明授权
    RFID readers and tags transmitting and receiving waveform segment with ending-triggering transition 有权
    RFID阅读器和标签发送和接收具有结束触发转换的波形段

    公开(公告)号：US07187290B2

    公开(公告)日：2007-03-06

    申请号：US11347734

    申请日：2006-02-02

    申请人： John D. Hyde ,  Christopher J. Diorio

    发明人： John D. Hyde ,  Christopher J. Diorio

    IPC分类号： G08B13/14

    CPC分类号： G06K7/10297 ,  G06K7/0008

    摘要： RFID readers exchange information with RFID tags. The information is encoded for transmission and decoded upon reception. Encoding is in binary bits, which are in turn encoded in waveform segments. The last transmitted waveform incorporates an ending-triggering transition, and terminates in a preset manner with respect to when the ending-triggering transition occurs. Parsing while decoding can happen by waiting for the ending-triggering transition, and then waiting according to the preset manner. This way there is no ambiguity in the ending of the waveform, and no End Frame is necessary.

    摘要翻译： RFID读写器与RFID标签交换信息。 信息被编码用于发送并在接收时被解码。 编码是二进制位，它们又以波形段编码。 最后发送的波形包含终止触发转换，并且相对于结束触发转换发生时以预设的方式结束。 解码时可以通过等待结束触发转换来进行解码，然后根据预设的方式进行等待。 这样一来，波形的结束就没有歧义，没有结束帧是必要的。

    Hole impact ionization mechanism of hot electron injection and four-terminal .rho.FET semiconductor structure for long-term learning
    20.
    发明授权
    Hole impact ionization mechanism of hot electron injection and four-terminal .rho.FET semiconductor structure for long-term learning 失效
    热电子注入和四端rho FET半导体结构的孔冲击电离机理进行长期学习

    公开(公告)号：US5990512A

    公开(公告)日：1999-11-23

    申请号：US845018

    申请日：1997-04-22

    申请人： Christopher J. Diorio ,  Paul E. Hasler ,  Bradley A. Minch ,  Carver A. Mead

    发明人： Christopher J. Diorio ,  Paul E. Hasler ,  Bradley A. Minch ,  Carver A. Mead

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/76

    摘要： Hot-electron injection driven by a hole impact ionization mechanism at the channel-drain junction provides a new method of hot electron injection. Using this mechanism, a four-terminal pFET floating-gate silicon MOS transistor for analog learning applications provides nonvolatile memory storage. Electron tunneling permits bidirectional memory updates. Because these updates depend on both the stored memory value and the transistor terminal voltages, the synapses can implement a learning function. The synapse learning follows a simple power law. Unlike conventional EEPROMs, the synapses allow simultaneous memory reading and writing. Synapse transistor arrays can therefore compute both the array output, and local memory updates, in parallel. Synaptic arrays employing these devices enjoy write and erase isolation between array synapses is better than 0.01% because the tunneling and injection processes are exponential in the transistor terminal voltages. The synapses are small, and typically are operated at subthreshold current levels.

    摘要翻译： 在通道 - 漏极连接处由孔冲击电离机制驱动的热电子注入提供了一种新的热电子注入方法。 使用这种机制，用于模拟学习应用的四端子pFET浮栅硅MOS晶体管提供非易失性存储器存储。 电子隧道允许双向内存更新。 因为这些更新取决于存储的存储器值和晶体管端子电压两者，所以突触可以实现学习功能。 突触学习遵循简单的幂律。 与常规EEPROM不同，突触允许同时进行存储器读写。 因此，Synapse晶体管阵列可以同时计算阵列输出和本地存储器更新。 使用这些器件的突触阵列享受阵列突触之间的写入和擦除隔离优于0.01％，因为隧道和注入过程在晶体管端子电压中是指数的。 突触很小，通常以亚阈值电流水平操作。