公开(公告)号：US08628620B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13977645

申请日：2011-12-28

申请人： Shinichi Kawato ,  Nobuhiro Hayashi ,  Tohru Sonoda ,  Satoshi Inoue

发明人： Shinichi Kawato ,  Nobuhiro Hayashi ,  Tohru Sonoda ,  Satoshi Inoue

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/00 ,  C23C14/24 ,  C23C14/22 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01L21/02263 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  C23C14/562 ,  H01L21/67017 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/56

摘要： A vapor deposition device (50) includes a mask (60) having periodic patterns, and only a region of the mask (60) where a one-period pattern is formed is exposed. A length of the mask base material along a direction perpendicular to a long-side direction of the mask base material is shorter than a length of a film formation substrate (200) along a direction of scanning of the film formation substrate (200). The mask (60) is provided so that the long-side direction of the mask base material is perpendicular to the direction of scanning and that the exposed region is allowed to move in a direction perpendicular to the direction of scanning by rotation of a wind-off roll (91) and a wind-up roll (92).

摘要翻译： 气相沉积装置（50）包括具有周期性图案的掩模（60），并且仅露出形成有一个周期图案的掩模（60）的区域。 掩模基材沿着与掩模基材的长边方向垂直的方向的长度比成膜基板（200）沿着成膜基板（200）的扫描方向的长度短。 掩模（60）设置成使得掩模基材的长边方向垂直于扫描方向，并且允许暴露区域沿着与扫描方向垂直的方向移动， 卷筒（91）和卷绕辊（92）。

公开(公告)号：US20130319331A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13985854

申请日：2012-03-08

申请人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

发明人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

IPC分类号： H01L51/56

CPC分类号： H01L51/56 ,  C23C14/243 ,  C23C14/26 ,  C23C14/542 ,  C23C14/562 ,  H01L51/0008

摘要： A vapor deposition particle injection device (501) of the present invention includes: vapor deposition particle generating sections (110) and (120) for generating vapor deposition particles in the form of vapor by heating vapor deposition materials (114) and (124); and a nozzle section (170) which (i) is connected to the vapor deposition particle generating sections (110) and (120) and (ii) has an injection hole (171) from which the vapor deposition particles generated by the vapor deposition particle generating sections (110) and (120) are injected outward. The vapor deposition particle generating section (120) has a smaller capacity for the vapor deposition material than the vapor deposition particle generating section (110).

摘要翻译： 本发明的气相沉积粒子注入装置（501）包括：通过加热气相沉积材料（114）和（124）产生汽相形式的气相沉积颗粒的气相沉积颗粒产生部分（110）和（120） 和（i）连接到气相沉积颗粒产生部分（110）和（120）的喷嘴部分（170）和（ii）具有喷射孔（171），由气相沉积颗粒产生的气相沉积颗粒 产生部分（110）和（120）向外注入。 气相沉积粒子产生部分（120）具有比气相沉积粒子产生部分（110）更小的气相沉积材料的能力。

公开(公告)号：US20130302572A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13980571

申请日：2012-01-13

申请人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

发明人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

IPC分类号： H05B33/14

CPC分类号： H05B33/145 ,  C23C14/042 ,  C23C14/54 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/558 ,  Y10T428/24612

摘要： A film formation substrate (200) is arranged such that (i) a base end, in a y-axis direction, of a film-thickness-gradually-diminishing part (23sR) of a first film (23R) overlaps a first film formation region (24R), and (ii) a film-thickness-gradually-diminishing part (23sB) of a second film (23B) is disposed on an outside, in the y-axis direction, of a second film formation region (24B) and overlaps the film-thickness-gradually-diminishing part (23sR) of the first film (23R) so as to compensate for a gradually diminished thickness of the film-thickness-gradually-diminishing part (23sR).

摘要翻译： 成膜基板（200）配置成：（i）第一膜（23R）的膜厚逐渐减小部（23sR）的y轴方向的基端与第一膜形成物 区域（24R），和（ii）第二膜形成区域（24B）的y轴方向的外侧设置第二膜（23B）的膜厚逐渐减小部分（23sB） 并且与第一膜（23R）的膜厚逐渐减小部分（23sR）重叠，以补偿膜厚逐渐减小部分（23sR）的逐渐减小的厚度。

公开(公告)号：US20130292501A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13996515

申请日：2011-12-16

申请人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

发明人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

IPC分类号： B03C1/005

CPC分类号： B03C1/005 ,  B03C1/30 ,  B03C2201/20 ,  C23C14/12 ,  C23C14/564 ,  H01L51/0016

摘要： A layer (71), made from a material that is attracted by a magnet, is formed in at least part of a chamber component (70), which at least part makes in contact with a film forming material. A method for collecting a film forming material includes the steps of: (a) exfoliating an attachment (22) which has attached to a surface of the chamber component (70); and (b) collecting the attachment (22) by separating a fragment of the layer (71), which fragment has been exfoliated in the step (a), while causing the fragment to be attracted by a magnet (202a).

摘要翻译： 在由至少部分与成膜材料接触的室部件（70）的至少一部分中形成由被磁体吸引的材料制成的层（71）。 收集成膜材料的方法包括以下步骤：（a）剥离附着在室部件（70）的表面上的附件（22）; 和（b）通过在片段被磁体（202a）吸引的同时分离在步骤（a）中剥离的片段的片段（71）来收集附件（22）。

公开(公告)号：US20130273679A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13976011

申请日：2011-12-20

申请人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

发明人： Tohru Sonoda ,  Shinichi Kawato ,  Satoshi Inoue ,  Satoshi Hashimoto

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0011 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L51/0008

摘要： A vapor deposition method of the present invention includes the steps of (i) preparing a mask unit including a shadow mask (81) and a vapor deposition source (85) fixed in position relative to each other, (ii) while moving at least one of the mask unit and the film formation substrate (200) relative to the other, depositing a vapor deposition flow, emitted from the vapor deposition source (85), onto a vapor deposition region (210), and (iii) adjusting the position of a second shutter (111) so that the second shutter (111) blocks a vapor deposition flow traveling toward the vapor deposition unnecessary region (210).

摘要翻译： 本发明的气相沉积方法包括以下步骤：（i）制备掩模单元，其包括荫罩（81）和相对于彼此固定的位置的气相沉积源（85），（ii）在移动至少一个 的掩模单元和成膜基板（200）相对于另一方形成，从蒸镀源（85）排出的气相沉积流沉积在蒸镀区域（210）上，（iii） 第二挡板（111），使得所述第二挡板（111）阻挡向所述气相沉积不需要区域（210）行进的气相沉积流。

公开(公告)号：US08535864B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13352786

申请日：2012-01-18

申请人： Eisuke Iwazaki ,  Yuki Takamiya ,  Satoshi Inoue

发明人： Eisuke Iwazaki ,  Yuki Takamiya ,  Satoshi Inoue

IPC分类号： G03G9/08

CPC分类号： G03G9/0906 ,  G03G9/081 ,  G03G9/0819 ,  G03G9/0827 ,  G03G9/08755 ,  G03G9/08782 ,  G03G9/08795 ,  G03G9/08797 ,  G03G9/092

摘要： A magenta toner including toner particles containing a colorant and a binder resin is provided. The colorant contains C.I. Pigment Red 122 and C.I. Pigment Yellow 180 and a mass ratio of the C.I. Pigment Red 122 and the C.I. Pigment Yellow 180 is in the range of 99:1 to 10000:1. The binder resin contains a polyester resin and a polyester resin having a repeating unit obtained from a Bisphenol A alkylene oxide adduct expressed by the following chemical formula is used as the polyester resin: wherein m and n independently represent an integer of 2 to 4, and x and y independently represent a positive number.

摘要翻译： 提供包括含有着色剂和粘合剂树脂的调色剂颗粒的品红色调色剂。 着色剂含有C.I. 颜料红122和C.I. 颜料黄180，质量比C.I. 颜料红122和C.I. 颜料黄180在99:1至10000:1的范围内。 粘合剂树脂含有聚酯树脂，具有由以下化学式表示的双酚A环氧烷加合物得到的重复单元的聚酯树脂用作聚酯树脂：其中m和n独立地表示2至4的整数，并且 x和y独立地表示正数。

公开(公告)号：US08501380B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12857998

申请日：2010-08-17

申请人： Yuka Ishihara ,  Masaki Nakamura ,  Satoshi Inoue ,  Katsumi Daimon

发明人： Yuka Ishihara ,  Masaki Nakamura ,  Satoshi Inoue ,  Katsumi Daimon

IPC分类号： G03G9/087 ,  G03G9/10

CPC分类号： G03G15/08 ,  G03G9/0819 ,  G03G9/0821 ,  G03G9/0827 ,  G03G9/08755 ,  G03G9/08795 ,  G03G9/08797 ,  G03G9/09708 ,  G03G9/1135 ,  G03G9/1137 ,  G03G9/1139 ,  G03G2215/0602

摘要： An electrostatic latent image developing toner includes a mother particle which contains a coloring agent, a release agent and a binder resin; and an inorganic particle which is added to the surface of the mother particle, and wherein a relation between a relaxation time t and a relaxation modulus G(t) which are determined from the dynamic viscoelasticity measurement made on the toner satisfies the following equations (1) and (2); G(t1)

摘要翻译： 静电潜像显影调色剂包括含有着色剂，脱模剂和粘合剂树脂的母体颗粒; 和添加到母粒子的表面的无机粒子，并且其中由对调色剂进行的动态粘弹性测定确定的弛豫时间t和松弛模量G（t）之间的关系满足以下等式（1 ）和（2）; G（t1）<100Pa（1）515 <（G（t2）-G（t1））/（log（t1）-log（t2））<1,230（2）其中t1表示最大弛豫时间，t2表示 最小的放松时间。

公开(公告)号：US20130184327A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13636910

申请日：2011-03-25

申请人： Satoshi Inoue ,  Kenichi Takayama

发明人： Satoshi Inoue ,  Kenichi Takayama

IPC分类号： C12N15/113

CPC分类号： C12N15/113 ,  A61K31/7088 ,  A61K31/713 ,  C12N15/1137 ,  C12N2310/11 ,  C12N2310/113 ,  C12N2310/351 ,  C12N2320/30 ,  C12Y101/01158 ,  G01N33/5041 ,  G01N33/57434

摘要： An object is to provide a cell growth inhibitor also effective for androgen-independent prostate cancer. The present invention provides a cell growth inhibitor having, as an active ingredient, an expression inhibitor or function inhibitor of an antisense RNA (CTBP1-AS) expressed in the vicinity of an androgen receptor (AR) binding site of a C-terminal binding protein (CTBP1) gene.

摘要翻译： 目的是提供一种对雄激素依赖性前列腺癌有效的细胞生长抑制剂。 本发明提供一种细胞生长抑制剂，其具有作为活性成分的在C-末端结合蛋白的雄激素受体（AR）结合位点附近表达的反义RNA（CTBP1-AS）的表达抑制剂或功能抑制剂 （CTBP1）基因。

公开(公告)号：US20130011943A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13635201

申请日：2011-02-28

申请人： Rena Tsuruoka ,  Hisao Ikeda ,  Takuya Tsurume ,  Tohru Sonoda ,  Satoshi Inoue

发明人： Rena Tsuruoka ,  Hisao Ikeda ,  Takuya Tsurume ,  Tohru Sonoda ,  Satoshi Inoue

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L51/0013 ,  C23C14/04 ,  C23C14/048 ,  H01L51/56

摘要： One embodiment of the present invention is a film forming method comprising: arranging a surface of a film formation substrate 10 including an absorption layer 12 on a first substrate 11 and a material layer 13 containing a film formation material and a surface of a film-formation target substrate 20 including a first layer 23 over a second substrate 22, so as to face each other; forming a second layer 13a containing the film formation material over the first layer 23 by performing first heat treatment on the material layer 13; and forming a third layer 13b containing the film formation material over the second layer 13a by performing second heat treatment on the material layer 13. In the second heat treatment, energy with a density higher than that in the first heat treatment is applied to the material layer.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案是一种成膜方法，其包括：将包含吸收层12的成膜基板10的表面布置在第一基板11和包含成膜材料的材料层13和膜形成表面 目标基板20包括第二基板22上的第一层23，以便彼此面对; 通过对材料层13进行第一次热处理，在第一层23上形成含有成膜材料的第二层13a; 并在第二层13a上形成含有成膜材料的第三层13b，在材料层13上进行第二热处理。在第二热处理中，将密度高于第一热处理的能量施加到材料 层。

公开(公告)号：US20130005121A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13635227

申请日：2011-02-28

申请人： Takahiro Ibe ,  Tomoya Aoyama ,  Rena Sturuoka ,  Satoshi Inoue ,  Tohru Sonoda

发明人： Takahiro Ibe ,  Tomoya Aoyama ,  Rena Sturuoka ,  Satoshi Inoue ,  Tohru Sonoda

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H05B33/10 ,  C23C14/048 ,  C23C14/12 ,  C23C14/28 ,  C23C14/564 ,  H01L51/0027 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56

摘要： One embodiment of the present invention is a deposition method for forming a layer 13a containing a deposition material on a deposition target surface of a second substrate, comprising the steps of forming an absorbing layer 12 over one surface of a first substrate 11; forming a material layer 13 containing the deposition material over the absorbing layer; performing first heat treatment on the material layer from the other surface of the first substrate to a temperature lower than the sublimation temperature of the deposition material so as to remove an impurity 14 in the material layer 13; disposing the one surface of the first substrate and the deposition target surface of the second substrate to face each other; and performing second heat treatment on the material layer from the other surface of the first substrate.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案是用于在第二基底的沉积靶表面上形成含有沉积材料的层13a的沉积方法，包括以下步骤：在第一基底11的一个表面上形成吸收层12; 在吸收层上形成含有沉积材料的材料层13; 在所述材料层上从所述第一基板的另一表面进行第一热处理至低于所述沉积材料的升华温度的温度，以除去所述材料层13中的杂质14; 将第一基板的一个表面和第二基板的沉积目标表面布置成彼此面对; 以及从所述第一基板的另一表面对所述材料层进行第二热处理。