公开(公告)号：US08629479B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13192766

申请日：2011-07-28

申请人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

发明人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device includes a first GaN layer provided on a SiC substrate, a second GaN layer provided on the first GaN layer, and an electron supply layer that is provided on the second GaN layer and has a band gap greater than that of GaN, the first GaN layer having an acceptor concentration higher than that of the second GaN layer.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在SiC衬底上的第一GaN层，设置在第一GaN层上的第二GaN层和设置在第二GaN层上并具有大于GaN的带隙的电子供应层， 第一GaN层的受主浓度高于第二GaN层的受主浓度。

公开(公告)号：US20120028447A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13194565

申请日：2011-07-29

申请人： Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Hiroyuki Ichikawa

发明人： Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Hiroyuki Ichikawa

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02647 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes growing a first GaN layer on a SiC substrate, and forming a second GaN layer on the first GaN layer, the second GaN layer being grown under such conditions that a ratio of a vertical growth rate to a horizontal growth rate is lower than that in the growth of the first GaN layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在SiC衬底上生长第一GaN层，并在第一GaN层上形成第二GaN层，第二GaN层在垂直生长速率与水平面的比例 生长速率低于第一GaN层的生长速率。

公开(公告)号：US20120025205A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13192247

申请日：2011-07-27

申请人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

发明人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L21/02505 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device includes an AlGaN layer that is provided on a SiC substrate and has an acceptor concentration equal to or higher than a donor concentration, a GaN layer provided on the AlGaN layer, and an electron supply layer that is provided on the GaN layer and has a band gap greater than that of GaN.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在SiC衬底上并具有等于或高于施主浓度的受主浓度的AlGaN层，设置在AlGaN层上的GaN层和设置在GaN层上的电子供给层， 具有比GaN的带隙大的带隙。

公开(公告)号：US08742426B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13192247

申请日：2011-07-27

申请人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

发明人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L21/02505 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device includes an AlGaN layer that is provided on a SiC substrate and has an acceptor concentration equal to or higher than a donor concentration, a GaN layer provided on the AlGaN layer, and an electron supply layer that is provided on the GaN layer and has a band gap greater than that of GaN.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在SiC衬底上并具有等于或高于施主浓度的受主浓度的AlGaN层，设置在AlGaN层上的GaN层和设置在GaN层上的电子供给层， 具有比GaN的带隙大的带隙。

公开(公告)号：US20120025203A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13194396

申请日：2011-07-29

申请人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

发明人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： A semiconductor device includes a first GaN layer formed on a substrate, the first GaN layer including a transition metal and an impurity under constant concentration, the impurity forming a deeper energy level in the first GaN layer than energy level formed by the transition metal, a second GaN layer formed on the first GaN layer, the second GaN layer including the transition metal and the impurity under inclined concentration, an inclined direction of the transition metal being same as an inclined direction of the impurity, and an electron supply layer formed on the second GaN layer.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一GaN层，第一GaN层包括过渡金属和恒定浓度的杂质，杂质在第一GaN层中形成的能级高于由过渡金属形成的能级， 形成在第一GaN层上的第二GaN层，包含过渡金属的第二GaN层和倾斜浓度的杂质，过渡金属的倾斜方向与杂质的倾斜方向相同，以及形成在第一GaN层上的电子供给层 第二GaN层。

公开(公告)号：US20120025202A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13194217

申请日：2011-07-29

申请人： Isao Makabe ,  Keiichi Yui ,  Ken Nakata

发明人： Isao Makabe ,  Keiichi Yui ,  Ken Nakata

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device includes a silicon substrate; a buffer layer provided on the silicon substrate and has a band gap greater than GaN; a first GaN layer provided on the buffer layer; and a second GaN layer provided directly on the first GaN layer, a carbon concentration of the first GaN layer being higher than a carbon concentration of the second GaN layer.

摘要翻译： 半导体器件包括硅衬底; 设置在硅衬底上并具有大于GaN的带隙的缓冲层; 设置在缓冲层上的第一GaN层; 以及直接设置在第一GaN层上的第二GaN层，第一GaN层的碳浓度高于第二GaN层的碳浓度。