公开(公告)号：US08993416B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13194565

申请日：2011-07-29

申请人： Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Hiroyuki Ichikawa

发明人： Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Hiroyuki Ichikawa

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/02647 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes growing a first GaN layer on a SiC substrate, and forming a second GaN layer on the first GaN layer, the second GaN layer being grown under such conditions that a ratio of a vertical growth rate to a horizontal growth rate is lower than that in the growth of the first GaN layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在SiC衬底上生长第一GaN层，并在第一GaN层上形成第二GaN层，第二GaN层在垂直生长速率与水平面的比例 生长速率低于第一GaN层的生长速率。

公开(公告)号：US20120001195A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13172426

申请日：2011-06-29

申请人： Isao Makabe ,  Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Takamitsu Kitamura

发明人： Isao Makabe ,  Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Takamitsu Kitamura

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor substrate inclu8des an AlN layer that is formed so as to contact a Si substrate and has an FWMH of a rocking curve of a (002) plane by x-ray diffraction, the FWMH being less than or equal to 1500 seconds, and a GaN-based semiconductor layer formed on the AlN layer.

摘要翻译： 半导体衬底包括形成为与Si衬底接触并且通过x射线衍射具有（002）面的摇摆曲线的FWMH，FWMH小于或等于1500秒的AlN层，以及 形成在AlN层上的GaN基半导体层。

公开(公告)号：US08648389B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13489667

申请日：2012-06-06

申请人： Isao Makabe

发明人： Isao Makabe

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： A nitride semiconductor device is disclosed. The device includes a stack of semiconductor layers including the channel layer, the spacer layer, and the doped layer. The spacer layer is made of AlN while the doped layer is InAlN. A feature of the embodiment is that the spacer layer has a thickness of 0.5 to 1.25 nm.

摘要翻译： 公开了一种氮化物半导体器件。 该器件包括包括沟道层，间隔层和掺杂层的半导体层堆叠。 间隔层由AlN制成，而掺杂层为InAlN。 该实施例的特征在于间隔层的厚度为0.5至1.25nm。

公开(公告)号：US08629479B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13192766

申请日：2011-07-28

申请人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

发明人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device includes a first GaN layer provided on a SiC substrate, a second GaN layer provided on the first GaN layer, and an electron supply layer that is provided on the second GaN layer and has a band gap greater than that of GaN, the first GaN layer having an acceptor concentration higher than that of the second GaN layer.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在SiC衬底上的第一GaN层，设置在第一GaN层上的第二GaN层和设置在第二GaN层上并具有大于GaN的带隙的电子供应层， 第一GaN层的受主浓度高于第二GaN层的受主浓度。

公开(公告)号：US08546813B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13172426

申请日：2011-06-29

申请人： Isao Makabe ,  Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Takamitsu Kitamura

发明人： Isao Makabe ,  Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Takamitsu Kitamura

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor substrate includes an AlN layer that is formed so as to contact a Si substrate and has an FWMH of a rocking curve of a (002) plane by x-ray diffraction, the FWMH being less than or equal to 1500 seconds, and a GaN-based semiconductor layer formed on the AlN layer.

摘要翻译： 半导体衬底包括AlN层，其形成为与Si衬底接触并且通过x射线衍射具有（002）面的摇摆曲线的FWMH，FWMH小于或等于1500秒，以及 形成在AlN层上的GaN基半导体层。

公开(公告)号：US08247796B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12731728

申请日：2010-03-25

申请人： Isao Makabe ,  Ken Nakata

发明人： Isao Makabe ,  Ken Nakata

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a superlattice buffer layer that is formed on the substrate and is composed of first AlxGa1-xN layers and second AlxGa1-xN layers having an Al composition greater than that of the first AlxGa1-xN layers, the first and second AlxGa1-xN layers being alternately stacked one by one, both the Al compositions of the first and second AlxGa1-xN layers being greater than 0.3, and a difference in Al composition between the first and second AlxGa1-xN layers being greater than 0 and smaller than 0.6.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，超晶格缓冲层，其形成在衬底上并且由Al x Ga 1-x N层和Al组分大于第一Al x Ga 1-x N层的Al组分构成的第一Al x Ga 1-x N层， 第二Al x Ga 1-x N层交替层叠，第一和第二Al x Ga 1-x N层的Al组成都大于0.3，第一Al x Ga 1-x N层之间的Al组成差异大于0， 小于0.6。

公开(公告)号：US08232557B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US11965302

申请日：2007-12-27

申请人： Isao Makabe ,  Ken Nakata

发明人： Isao Makabe ,  Ken Nakata

IPC分类号： H01L29/205

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor substrate includes: an AlN layer provided on a silicon substrate; an AlGaN layer that is provided on the AlN layer and has an Al composition ratio of 0.3 to 0.6; and a GaN layer provided on the AlGaN layer.

摘要翻译： 半导体衬底包括：设置在硅衬底上的AlN层; AlGaN层，其设置在AlN层上，Al组成比为0.3〜0.6; 以及设置在AlGaN层上的GaN层。

公开(公告)号：US20120028447A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13194565

申请日：2011-07-29

申请人： Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Hiroyuki Ichikawa

发明人： Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Hiroyuki Ichikawa

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02647 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes growing a first GaN layer on a SiC substrate, and forming a second GaN layer on the first GaN layer, the second GaN layer being grown under such conditions that a ratio of a vertical growth rate to a horizontal growth rate is lower than that in the growth of the first GaN layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在SiC衬底上生长第一GaN层，并在第一GaN层上形成第二GaN层，第二GaN层在垂直生长速率与水平面的比例 生长速率低于第一GaN层的生长速率。

公开(公告)号：US20120025205A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13192247

申请日：2011-07-27

申请人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

发明人： Ken Nakata ,  Isao Makabe ,  Keiichi Yui

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L21/02505 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device includes an AlGaN layer that is provided on a SiC substrate and has an acceptor concentration equal to or higher than a donor concentration, a GaN layer provided on the AlGaN layer, and an electron supply layer that is provided on the GaN layer and has a band gap greater than that of GaN.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在SiC衬底上并具有等于或高于施主浓度的受主浓度的AlGaN层，设置在AlGaN层上的GaN层和设置在GaN层上的电子供给层， 具有比GaN的带隙大的带隙。

公开(公告)号：US07947578B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12750011

申请日：2010-03-30

申请人： Isao Makabe ,  Ken Nakata ,  Tsuyoshi Kouichi

发明人： Isao Makabe ,  Ken Nakata ,  Tsuyoshi Kouichi

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02458 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

摘要： A method for fabricating a semiconductor device including: cleaning an apparatus used to grow a layer including Ga; performing a first step of forming a first layer on a substrate made of silicon by using the apparatus, the first layer including a nitride semiconductor that does not include Ga as a composition element and has a Ga impurity concentration of 2×1018 atoms/cm3 or less; and performing a second step of forming a second layer on the first layer by using the apparatus after the first step is repeatedly carried out multiple times, the second layer including a nitride semiconductor including Ga.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括：清洗用于生长包括Ga的层的装置; 通过使用该装置，在由硅构成的衬底上形成第一层的第一工序，第一层包括不包含Ga作为组成元素并且Ga杂质浓度为2×1018原子/ cm3的氮化物半导体，或者 减; 以及在第一步骤之后通过使用该设备在第一层上形成第二层的第二步骤重复进行多次，所述第二层包括包含Ga的氮化物半导体。